硅晶棒
用做硅電元件和硅光電池用的原材料是硅晶棒。他的生產(chǎn)包括:晶棒成長(zhǎng)〉晶棒裁切與檢測(cè)〉外徑研磨〉切片〉圓邊〉表層研磨〉蝕刻〉去疵〉拋光〉清洗〉檢驗(yàn)〉包裝。
一、晶棒成長(zhǎng)工序
1)融化
將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi),加熱到其熔點(diǎn)1420°C以上,使其完全融化。
2)頸部成長(zhǎng)
待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后,將晶種慢慢插入其中,接著將晶種慢慢往上提升,使其直徑縮小到一定尺寸,維持此直徑并拉長(zhǎng)100至200毫米,以消除晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。
3)晶冠成長(zhǎng)
頸部成長(zhǎng)完成后,慢慢降低提升速度和溫度,使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸(如5、6、8、12吋等)。
4)晶體成長(zhǎng)
不斷調(diào)整提升速度和融煉溫度,維持固定的晶棒直徑,只到晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值。
5)尾部成長(zhǎng)
當(dāng)晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提升速度并提高融煉溫度,使晶棒直徑逐漸變小,以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生,最終使晶棒與液面完全分離。到此即得到一根完整的晶棒。
二、晶棒裁切與檢測(cè)
將長(zhǎng)成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分,并對(duì)尺寸進(jìn)行檢測(cè),以決定下步加工的工藝參數(shù)。
三、外徑研磨
由于在晶棒成長(zhǎng)過(guò)程中,其外徑尺寸和圓度均有一定偏差,其外園柱面也凹凸不平,所以必須對(duì)外徑進(jìn)行修整、研磨,使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。
四、切片
由于硅的硬度非常大,所以在本工序里,采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。
硅晶棒的五種工藝詳解
硅晶棒的切斷,滾磨,腐蝕,切片,倒角,研磨和化學(xué)腐蝕工藝介紹。
1、切斷
切斷的目的:沿著垂直于晶體生長(zhǎng)的方向,切除硅棒的頭(硅單晶的籽晶和放肩部分),尾部以及外形尺寸小于規(guī)格要求的無(wú)用部分,將硅晶棒切成數(shù)段,同時(shí),對(duì)硅棒切取樣片,檢測(cè)其電阻率,氧碳含量,晶體缺陷等相關(guān)質(zhì)量參數(shù)。
2、外圓滾磨
無(wú)論是采用直拉法或是區(qū)熔法生長(zhǎng)的硅單晶棒,一般是按<100 >或<111 >晶向生長(zhǎng)的。通過(guò)滾磨加工,使其表面整形達(dá)到基本的直徑和直徑公差要求,并確定其定位面的位置及其基本尺寸。
3、表面腐蝕
為了去除磨削加工過(guò)程中的表面機(jī)械損傷和沾污,有利于后道工序的加工,就要對(duì)其表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理。
4、硅切片
把單晶棒切成一定厚度的薄晶片,以便對(duì)其主要參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)。
5、硅片倒角
其目的是消除硅片邊緣表面由于切割而產(chǎn)生的棱角,毛刺,崩邊,裂縫或其他缺陷和各種邊緣污染,倒角后,可以降低硅片邊緣表面的粗糙度,增加硅片邊緣表面的機(jī)械強(qiáng)度,減少表面沾污。
6、雙面研磨和表面磨削
為了去除上道工序的表面機(jī)械應(yīng)力損傷層和雜質(zhì)污染,并使硅片具有一定的幾何尺寸精度的平坦表面。
7、硅片的化學(xué)腐蝕
化學(xué)腐蝕可以消除機(jī)械應(yīng)力損傷層和雜質(zhì)污染。 對(duì)于大直徑硅單晶片,一般都采用酸腐蝕工藝。
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