0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

紫光內(nèi)存ddr3評測 比較中規(guī)中矩

454398 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-08-24 10:31 ? 次閱讀

2017年個人認為從某種程度上是PC DIY正式衰落的元年,其中很大的因素就是因三星為首的一眾廠商的壟斷內(nèi)存和閃存的生產(chǎn),導致內(nèi)存、SSD、顯卡(部分原因)輪番漲價,成為“最佳理財產(chǎn)品”。NVIDIA甚至放棄了核心與顯存捆綁出貨的利潤,“讓利”給了AIC廠商自行采購顯存。

那還有什么可以阻止這種無恥的寡頭行為?從最近內(nèi)存SSD出現(xiàn)降價就可以看到還是會有的,那就是國產(chǎn)的紫光內(nèi)存正式發(fā)布。雖然目前只有DDR3用上了國產(chǎn)顆粒,但這畢竟是一個開端。

內(nèi)存包裝與外觀:

紫光內(nèi)存的包裝可以說是非常簡陋了,僅有一個塑料殼子。

紫光內(nèi)存外觀上來說非常“原始”,典型的無馬甲普條外觀。

本文最為核心的就是內(nèi)存上的顆粒了,這是標示為紫光自家的DDR3顆粒??梢园l(fā)現(xiàn)紫光現(xiàn)在用到的應該是封裝廠用來測試各種顆粒的公版PCB

目前紫光只有DDR3用到了國產(chǎn)顆粒,DDR4暫時還在用海力士的顆粒。雖然被部分“權(quán)威”媒體酸是依靠收購來的封裝廠封裝的“不明顆粒”,但畢竟標志著國芯國造的到來。

內(nèi)存的PCB是六層,算是比較中規(guī)中矩的用料。

金手指的樣式跟十銓的略有不同,最前端會多了一個尖角。

產(chǎn)品測試平臺:

以下為測試平臺的詳細配置表。

平臺用的是4790K+Z87X-OC,基本上已經(jīng)是DDR3時代最好的平臺了。

作為對比的是十銓的2666C11內(nèi)存,這是我手上頻率最高的內(nèi)存,便于對比。

中間會有搭配獨顯的測試,顯卡采用的是迪蘭恒進的VEGA 64水冷版。

SSD是三塊INTEL,系統(tǒng)盤用的是比較主流的535,以保證測試更接近一般用戶。240G用作系統(tǒng)盤,480G*2主要是拿來放測試游戲。游戲越來越多,只能加SSD了。

散熱器是酷冷至尊的T610P。

電源是銀欣的SX650-G。

測試平臺是Streacom的BC1。

產(chǎn)品性能測試:

這邊首先講一下測試中的具體設(shè)置參數(shù),紫光這個內(nèi)存默認就可以直接上1600MHz,時序是11-11-11-28。1333的設(shè)置檔是9-9-9-24。其他頻率按照有XMP的十銓內(nèi)存,所以統(tǒng)一為11-13-13-35。其他參數(shù)均為AUTO設(shè)置。

紫光的內(nèi)存在1.65V下最高只能運行在1866MHz上面。

測試項目上,這邊主要用到了AIDA 64的內(nèi)存測試和WINRAR的性能測試,從理論測試和實際性能測試來驗證兩者的差異性。

簡單測試結(jié)論:

從測試結(jié)果來看,就可以發(fā)現(xiàn)一個比較有意思的現(xiàn)象,紫光內(nèi)存的性能在相同頻率下會明顯高于對比組,差不多相當于頻率高一檔的差異。

原因其實很簡單,就是紫光對內(nèi)存小參的設(shè)置相當激進,所以在相同頻率下被壓榨出更多的性能。

但是相應的,內(nèi)存的超頻能力就大大受到了限制,其實這個內(nèi)存如果有比較合理的XMP設(shè)置的話,2400以上應該是比較穩(wěn)的。

這張圖是分別截取兩者在AIDA 64中顯示的SPD參數(shù),可以看到整體的小參紫光的設(shè)置相當?shù)募みM。

不過紫光顆粒與其他內(nèi)存的差異比較大,我試著套用了幾個內(nèi)存的XMP進去,并不能正常超頻,這事情還是需要紫光自己來解決。

具體的性能對比上來看,紫光表現(xiàn)最好的是復制性能,1866下已經(jīng)達到十銓2133的水平了。

延遲上紫光在1600上表現(xiàn)比較好,但是1866上優(yōu)勢就不明顯了。

回到實際的應用軟件中,WINRAR上紫光的表現(xiàn)是相當不錯的,1866下已經(jīng)接近十銓2133的性能。

簡單總結(jié):

關(guān)于內(nèi)存的兼容性:

這邊簡單用Z87和Z97都跑過,基本的兼容性應該問題不大。

關(guān)于內(nèi)存的性能:

紫光內(nèi)存的性能在同頻下會略好于其他的內(nèi)存,不過相對激進的小參設(shè)置也限制了內(nèi)存的超頻能力。暫時沒有辦法復現(xiàn)出來之前B站視頻中不加壓超2000是怎么做到的。

總體而言,紫光DDR3內(nèi)存產(chǎn)品做得比較中規(guī)中矩,使用表現(xiàn)上正常穩(wěn)定,但是SPD的小參設(shè)置堪稱敗筆,個人認為對這個體質(zhì)的顆粒來說是極大的浪費。

從這個角度也可以看出紫光這家廠商還是典型的工廠思維,而不像三星在早期推廣自家內(nèi)存的時候,寧可讓那些內(nèi)存容易縮缸,也要盡可能保證可以超高頻,所以在行銷宣傳的角度上,兩家廠商差距顯露無疑。

不過對于我們來說,紫光內(nèi)存的出現(xiàn)意味著內(nèi)存、SSD等閃存、內(nèi)存產(chǎn)品價格開始重新回歸正常化?,F(xiàn)在DDR3已經(jīng)開始明顯回調(diào)價格了。

不過三星依然對市場不愿放手,就在我測試期間,三星又再次完成了一波拉閘-燒廠-漲價的騷操作,可見對于這種明火執(zhí)仗的寡頭(前腳跟商務(wù)部達成調(diào)解,后腳回去就拉閘)只有國貨的崛起才會是解法。

祝三星最后這么皮一下可以玩的開心。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DDR3
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    274

    瀏覽量

    42161
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    2978

    瀏覽量

    73819
  • 紫光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    409

    瀏覽量

    33989
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-23 11:06 ?1次下載
    <b class='flag-5'>DDR3</b>寄存器和PLL數(shù)據(jù)表

    研華工控機購買指南:DDR3DDR4、DDR5怎么選?如何選擇內(nèi)存條?

    有限公司將詳細介紹 研華工控機 購買指南:DDR3DDR4、DDR5怎么選?如何根據(jù)具體需求選擇適合的內(nèi)存條? 一、內(nèi)存條的種類
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:57 ?768次閱讀
    研華工控機購買指南:<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>4、<b class='flag-5'>DDR</b>5怎么選?如何選擇<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>條?

    基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設(shè)計

    今天給大俠帶來《基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設(shè)計》,話不多說,上貨。 摘要 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3時出現(xiàn)的數(shù)據(jù)存儲沖突問題,設(shè)計了一種基于FPGA
    發(fā)表于 06-26 18:13

    三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

    近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著
    的頭像 發(fā)表于 05-17 10:12 ?590次閱讀

    SK海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,帶動市場價格上行

    雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產(chǎn)品,但其在電視機頂盒、無線路由器、交換機以及顯示器等設(shè)備中的應用仍然廣泛。值得關(guān)注的是,全球第四大內(nèi)存商美光雖尚未明確決定是否停產(chǎn) DDR3,但其供應量已經(jīng)明顯減少。
    的頭像 發(fā)表于 05-13 11:27 ?473次閱讀

    華邦傾力挺進DDR3市場,抓住轉(zhuǎn)單商機

    華邦自DDR2時期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、電信等高附加值領(lǐng)域,而隨著制程升級至DDR3階段,該公司開始加大對DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投資力度。高雄工廠今年引入了20納米設(shè)備,產(chǎn)能逐漸釋放,未來將成為華邦新制程DRAM產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基
    的頭像 發(fā)表于 05-13 10:03 ?438次閱讀

    一句話概括DDR、LPDDR、GDDR的區(qū)別

    DDR開頭的內(nèi)存適用于計算機、服務(wù)器和其他高性能計算設(shè)備等領(lǐng)域,目前應用廣泛的是DDR3DDR4;
    的頭像 發(fā)表于 05-10 14:21 ?5349次閱讀
    一句話概括<b class='flag-5'>DDR</b>、LPDDR、GDDR的區(qū)別

    全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4 電源
    發(fā)表于 04-09 09:51 ?7次下載
    全套<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR</b>4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    完整DDR,DDR2,DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整DDR,DDR2,DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-09 09:49 ?0次下載
    完整<b class='flag-5'>DDR</b>,<b class='flag-5'>DDR</b>2,<b class='flag-5'>DDR3</b> 和LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-13 13:58 ?0次下載
    完整的<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>和<b class='flag-5'>DDR3</b>L<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表

    適用于DDR2、DDR3DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR
    發(fā)表于 03-13 13:53 ?1次下載
    適用于<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L和<b class='flag-5'>DDR</b>4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流<b class='flag-5'>DDR</b>終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-13 11:24 ?0次下載
    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L和<b class='flag-5'>DDR</b>4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表

    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4
    發(fā)表于 03-13 11:13 ?0次下載
    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b>和<b class='flag-5'>DDR</b>4<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案數(shù)據(jù)表

    完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-13 10:16 ?1次下載
    完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2和<b class='flag-5'>DDR3</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    DDR3存儲廠迎漲價商機 華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等訂單涌進

    法人方面解釋說:“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導,因此,中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡?!痹?b class='flag-5'>ddr3 ddr3的情況下,臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲,給臺灣半
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:29 ?752次閱讀