盤點歐美國家集成電路發(fā)展概況

（一）美國集成電路發(fā)展概況

美國是半導體技術(shù)的發(fā)源地。半導體產(chǎn)業(yè)建立之初主要為了應(yīng)對二次世界大戰(zhàn)，當時美國開始對電子和材料進行研發(fā)投入，這成為半導體技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展的關(guān)鍵力量。二戰(zhàn)結(jié)束后，冷戰(zhàn)大幕逐漸開啟，半導體產(chǎn)業(yè)開始逐步發(fā)展，但主要目的仍在于支持國防業(yè)和宇航業(yè)，以確保美國國防部能獲得最先進的武器系統(tǒng)和宇航局擁有最精密的操作控制設(shè)備。60年代，軍用集成電路市場占比高達80%至90%。

此后，70年代至80年代大力推進的計算機技術(shù)成為半導體產(chǎn)業(yè)的一個重要應(yīng)用領(lǐng)域，這時越來越多的國家也開始意識到半導體產(chǎn)業(yè)的重要性，半導體技術(shù)從美國逐步擴散到日本、韓國、***等其他地區(qū)。這一階段日本半導體產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，一直穩(wěn)坐IC產(chǎn)業(yè)世界第一的美國，因為日本在DRAM上的大力趕超于1986年被拉下了寶座。DRAM之爭的戰(zhàn)敗給美國IC產(chǎn)業(yè)敲響了警鐘，美國半導體產(chǎn)業(yè)積極思變，投入大量資源于生產(chǎn)工藝技術(shù)（Process Technology）研發(fā)，提高本國半導體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率；同時1987年美國半導體協(xié)會成立，同年美國國防部還牽頭與美國多家IC企業(yè)成立半導體制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（SEMATECH），促進元件廠與設(shè)備供應(yīng)商的合作關(guān)系，加速半導體設(shè)備與材料的研發(fā)，和工藝標準化工作。此外，美國于1989年底組建了“國家半導體咨詢委員會”，從國家層面實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，放棄了競爭激烈DRAM芯片領(lǐng)域，重點發(fā)展微組件及LOGIC等附加價值高產(chǎn)品，形成本國半導體產(chǎn)業(yè)獨特的創(chuàng)新能力。

到上世紀90年代末期，美國以家用電腦和光纖通信為核心的信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，帶動了計算機中央處理器、模擬器件和存儲器產(chǎn)品市場的快速發(fā)展，集成電路產(chǎn)品在民用市場開始大規(guī)模應(yīng)用，2003年美國重新確立了在全球半導體市場的絕對主導地位。此后，隨著美國汽車工業(yè)醫(yī)療電子產(chǎn)業(yè)、先進制造業(yè)的不斷發(fā)展，美國半導體市場需求不斷擴大，產(chǎn)業(yè)綜合實力不斷增強。

美國之所以始終如一地重視以集成電路為核心的半導體產(chǎn)業(yè)，正是看到了其在信息產(chǎn)業(yè)、國家安全，乃至整體國民經(jīng)濟中基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、引領(lǐng)性的重要地位。

目前，美國半導體產(chǎn)業(yè)依然擁有著48%左右的市場份額。在全球大多數(shù)國家的半導體市場當中，美國半導體公司所占有的市場份額一般都超過50%。根據(jù)美國半導體工業(yè)協(xié)會(SIA)最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2017年全球半導體行業(yè)的銷售額達到4122億美元，是該行業(yè)有史以來最高的年度銷售額，比2016年增長了21.6%。

2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額及各地區(qū)所占比例

2016年美國半導體企業(yè)在全球各地區(qū)市場占比

美國半導體公司（包括無晶圓廠）的研發(fā)和資本支出總額在2016年達到了569億美元。1996年至2016年期間，復合年增長率約為5.3%。投資水平在銷售額中所占比例未受市場周期性波動的影響。研發(fā)支出對于半導體企業(yè)的競爭地位至關(guān)重要。無論年度銷售周期如何，美國半導體公司的研發(fā)支出持續(xù)走高，在過去的20年里，每年的研發(fā)支出占銷售額的百分比已經(jīng)超過了10%。這個比例在美國主要制造業(yè)中是前所未有的。技術(shù)變革的快速步伐需要不斷提高工藝技術(shù)和設(shè)備能力，美國半導體行業(yè)研發(fā)支出的比例是主要高科技行業(yè)中是最高的。

（二）歐洲集成電路發(fā)展概況

歐洲曾經(jīng)是全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要區(qū)域之一，市場份額曾占到全球的20%以上。而隨著全球經(jīng)濟格局的變化及半導體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，歐洲半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)失去了往日的輝煌，逐步趨向沒落與保守。近年歐洲半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占到全球的10%左右，產(chǎn)業(yè)發(fā)展相對平緩競爭力有所減弱。近年來，歐洲半導體廠商紛紛成為被收購整合的對象，最為典型的比如日本軟銀收購ARM，美國高通收購恩智浦。目前歐洲半導體技術(shù)的重點已經(jīng)不再是CMOS技術(shù)，而是更關(guān)注衍生性技術(shù)以及超越摩爾定律(more than Moore)的解決方案。目前歐洲半導體產(chǎn)業(yè)擁有英飛凌、意法半導體、博世等老牌企業(yè)，在歐洲大陸也散落著一些獨具特色的半導體廠商，比如奧利地微電子（ams）、德國Dialog等。在半導體設(shè)備領(lǐng)域，歐洲擁有最先進的光刻機提供商ASML。在歐洲的比利時、法國、德國，還擁有IMEC、CEA-Leti、Fraunhofer Group等全球知名微電子研發(fā)機構(gòu)。

歐洲半導體產(chǎn)業(yè)政策演變可大致分為三個階段：第一階段是1965年前，除政府對與國防相關(guān)的R&D進行投資和在政府采購中偏向于本國生產(chǎn)商外，基本上不存在政府對半導體業(yè)發(fā)展的干預(yù)行為；第二階段，1965年至1975年，歐洲政府非常重視計算機行業(yè)，對半導體的科研給予了一些激勵措施，但政府的參與仍有相當?shù)木窒扌?；第三階段，自1975年之后，歐洲各國政府逐漸加大了對半導體產(chǎn)業(yè)的支持力度，政策重心更集中于信息技術(shù)包括微電子方面。由于歐洲國家小，人力資源、資金和物力分散，進入80年代后，歐洲通過聯(lián)合發(fā)展計劃，各國政府積極推動信息技術(shù)及半導體產(chǎn)業(yè)政府和企業(yè)的戰(zhàn)略合作，例如ESPRIT（歐洲信息、技術(shù)研究發(fā)展戰(zhàn)略計劃）是歐共體為了集中成員國的財力、物力、人力，迎頭趕上美國、日本，改變美、日在信息領(lǐng)域的霸主地位而制定的一項競爭前的技術(shù)研究與發(fā)展戰(zhàn)略計劃該計劃為期十年，共籌資金47億歐元，工作小組多數(shù)成員來自于產(chǎn)業(yè)界。JESSI項目（歐洲聯(lián)合亞微米硅倡議，1988-1996年）總投入30億歐元，由14家公司和研究結(jié)構(gòu)發(fā)起，最終吸引了來自16個國家、190個機構(gòu)、超過3000名的科學家和工程師共同參與。該項目使歐洲重新獲得提供先進集成電路的能力，還在全歐范圍內(nèi)建立了有效的合作氛圍。此外，西歐各國政府還聯(lián)合向非歐洲的半導體制造商施壓，要求他們不能僅僅是在歐洲進行加工組裝業(yè)務(wù)，而是更多的設(shè)立設(shè)計與技術(shù)部門。其目標則是希望通過一系列措施，能加速歐洲半導體的技術(shù)創(chuàng)新，鼓勵歐洲內(nèi)部各國半導體企業(yè)間的交流與聯(lián)系，從而在一定程度上保護歐洲本土的半導體核心技術(shù)以及生產(chǎn)競爭力。

- 歐美國家對中國集成電路發(fā)展的限制 -

（一）歐美國家對集成電路技術(shù)出口的限制

歐美國家為保護半導體技術(shù)，制訂了一系列技術(shù)出口限制政策，而對中資的海外并購也制訂各項審查措施，如下表所示：

表 歐美國家對技術(shù)出口限制條款/法令

1、 “巴統(tǒng)”禁運貨單

巴黎統(tǒng)籌委員會（簡稱“巴統(tǒng)”）的正式名字是“輸出管制統(tǒng)籌委員會” （Coordinating Committee for Multilateral Export Controls） ，是1949年11月在美國的提議下秘密成立的，因其總部設(shè)在巴黎，是第二次世界大戰(zhàn)后西方發(fā)達工業(yè)國家在國際貿(mào)易領(lǐng)域中糾集起來的一個非官方國際機構(gòu)，其宗旨是限制成員國向社會主義國家出口戰(zhàn)略物資和高技術(shù)。被巴統(tǒng)列為禁運對象的不僅有社會主義國家，還包括一些民族主義國家，總數(shù)共約30個。

巴統(tǒng)有17個成員國：美國、英國、法國、德國、意大利、丹麥、挪威、荷蘭、比利時、盧森堡、葡萄牙、西班牙、加拿大、希臘、土耳其、日本和澳大利亞。

禁運貨單有4 類：Ⅰ號貨單為絕對禁運者，如武器和原子能物質(zhì)。Ⅱ號貨單屬于數(shù)量管制。Ⅲ號貨單屬于監(jiān)視項目。中國禁單，即對中國貿(mào)易的特別禁單，該禁單所包括的項目比蘇聯(lián)和東歐國家所適用的國際禁單項目多 500 余種。

1994年4月1日，巴統(tǒng)正式宣告解散。然而，它所制定的禁運物品列表后來被《瓦森納協(xié)定》所繼承，延續(xù)至今。

2、瓦森納協(xié)定

《瓦森納協(xié)定》又稱瓦森納安排機制，全稱為《關(guān)于常規(guī)武器和兩用物品及技術(shù)出口控制的瓦森納安排》 （The Wassenaar Arrangement on Export Controls for Conventional Arms and Dual-Use Good and Technologies），目前共有包括美國、日本、英國、俄羅斯等40個成員國。盡管“瓦森納安排”規(guī)定，成員國自行決定是否發(fā)放敏感產(chǎn)品和技術(shù)的出口許可證，并在自愿基礎(chǔ)上，向“安排”其他成員國通報有關(guān)信息。但“瓦森納安排”實際上完全受美國控制。

與“巴統(tǒng)”一樣，“瓦協(xié)”同樣包含兩份控制清單：一份是軍民兩用商品和技術(shù)清單，涵蓋了先進材料、材料處理、電子器件、計算機、電信與信息安全、傳感與激光、導航與航空電子儀器、船舶與海事設(shè)備、推進系統(tǒng)等9大類；另一份是軍品清單，涵蓋了各類武器彈藥、設(shè)備及作戰(zhàn)平臺等共22類。中國同樣在被禁運國家之列。

當“瓦森納安排”某一國家，擬向中國出口某項高技術(shù)時，美國甚至直接出面干涉，如捷克擬向中國出口“無源雷達設(shè)備”時，美便向捷克施加壓力，迫使捷克停止這項交易。

在美國的操縱下，1996年7月，以西方國家為主的33個國家在奧地利維也納簽署了《瓦森納協(xié)定》，決定從1996年11月1日起實施新的控制清單和信息交換規(guī)則，33個成員國如下：澳大利亞、比利時、加拿大、丹麥、法國、德國、希臘、意大利、日本、盧森堡、荷蘭、挪威、葡萄牙、西班牙、土耳其、英國、美國（以上17國為原“巴統(tǒng)”成員國）、阿根廷、奧地利、保加利亞、捷克共和國、芬蘭、匈牙利、愛爾蘭、新西蘭、波蘭、羅馬尼亞、俄羅斯、斯洛伐克、韓國、瑞典、瑞士，烏克蘭。

“安排”規(guī)定，申請加入“安排”的國家須滿足以下條件：一是為武器或工業(yè)設(shè)備的生產(chǎn)國或出口國；二是遵守三大防擴散集團性制度（“核供應(yīng)國集團”、“導彈及其技術(shù)控制制度”和“澳大利亞集團”）的不擴散政策，控制清單或準則，并遵守三大公約（《不擴散核武器條約》、《禁止生物武器公約》和《禁止化學武器公約》）；三是實行完全有效的出口控制制度。很不幸，中國又在這個被限制的國家之中。

《瓦森納協(xié)議》嚴重影響著我國與其成員國之間開展的高技術(shù)國際合作。在中美高技術(shù)合作方面，美國總是從其全球安全戰(zhàn)略考慮，并以出口限制政策為借口，嚴格限制高技術(shù)向我國出口。中美兩國雖然在能源、環(huán)境、可持續(xù)發(fā)展等領(lǐng)域科技合作比較活躍，但是在航空、航天、信息、生物技術(shù)等高技術(shù)領(lǐng)域幾乎沒有合作。

《瓦森納協(xié)定》中和半導體、集成電路相關(guān)的主要是第三部分——“Electronics”和第六部分“Sensors and Lasers”，當然第四、五部分（“Computer”和 “Telecom & Info Security”），可以看作是集成電路的系統(tǒng)級驗證。2016年4月4日，“瓦森納安排”公布了最新版本的兩用物項和技術(shù)清單和軍品清單。

舉例來看，受限于《瓦森納協(xié)定》，全球光刻機龍頭制造商ASML為一家荷蘭企業(yè)，荷蘭也屬于瓦森納協(xié)議框架的締約國之一。瓦森納協(xié)議的限制清單會與時俱進不斷更新，高端的光刻機ASML不能賣給中國，從而制約了先進制程工藝的開發(fā)。中芯國際成功和IMEC合作實現(xiàn)14nm工藝，這已經(jīng)將中國的晶圓代工工藝推向了一個全新的國際水平。而將時間推回到2011年，當時的全球半導體前15大設(shè)備供應(yīng)商，他們當中全部都是受到瓦森納協(xié)定限制的，中芯國際就買不到最先進的制造設(shè)備。和比利時微電子研究中心（IMEC）的合作就是曲線救國的一種方式。IMEC先從ASML應(yīng)用材料買設(shè)備，用完5年后符合瓦森納協(xié)議要求就可以轉(zhuǎn)賣給中芯國際。

臺積電是名列北約技術(shù)封鎖同盟——瓦森納協(xié)定體系的清單之中，，臺積電的制程技術(shù)未經(jīng)美國允許，不得向其他企業(yè)、國家、機構(gòu)出讓，甚至連臺積電在海外設(shè)置晶圓FAB都要按照瓦森納協(xié)議條款審核。比如臺積電在南京獨資設(shè)立的16nm制程12英寸晶圓廠，也受到了美國的百般阻撓，最終以當時的執(zhí)政黨在立法院的優(yōu)勢，困難重重地通過了南京晶圓廠的投資國會審核。不止臺積電，包括三星、英特爾在內(nèi)的半導體三巨頭均受到瓦森納協(xié)議框架的約束。

3、美國對華高技術(shù)出口限制

現(xiàn)行美國出口管制政策主要由兩大部分組成。第一部分主要管理軍用項目，即軍火和防務(wù)技術(shù)、武器、產(chǎn)品和服務(wù)的輸出?！段淦鞒隹诳刂品ā肥枪芾碓擁椖砍隹诠苤频闹饕伞＿@類項目的審批主要由國務(wù)院負責。第二部分管理民用部分，重點是所謂的“兩用”項目，即既可以用于民用目的，也可以用于軍用目的的技術(shù)和產(chǎn)品的出口。

“兩用”出口管制的法律基礎(chǔ)是1979年頒布的《出口管理法》（EAA，P.L. 96-72）。由于《出口管理法》已于2001年8月過期，目前“兩用”出口管制的法律基礎(chǔ)是《國際突發(fā)事件經(jīng)濟權(quán)力法》（IEEPA，P.L. 95-223）對美國總統(tǒng)在突發(fā)緊急情況下的特殊授權(quán)，但《出口管理法》中的相關(guān)規(guī)定仍然適用。負責“兩用”出口管制的是美國商務(wù)部下屬的產(chǎn)業(yè)和安全局（BIS）。為執(zhí)行“兩用”出口管制，美國商務(wù)部頒布了《出口管理條例》（EAR，15 CFR 730-774），其中包括《商業(yè)管制目錄》（CCL）?！冻隹诠芾項l例》是研究美國“兩用”出口管制最重要的法律文件。

《出口管理條例》對于“出口”的定義很寬泛，即使是雙邊投資中的技術(shù)合作都有可能觸犯“出口”管制的規(guī)定。因此，《出口管理條例》建立的“兩用”出口管制制度的潛在影響遠超國際貿(mào)易領(lǐng)域。

軍民兩用品清單主要包括10個大類，分別為：①核材料、設(shè)施政策與設(shè)備；②材料、化學、微生物、生化毒素；③材料處理技術(shù)；④電子技術(shù)；⑤計算機技術(shù)；⑥通訊與信息安全技術(shù)；⑦傳感與激光技術(shù)；⑧導航或航天技術(shù)；⑨海洋探測技術(shù)；⑩推進系統(tǒng)、空間探測技術(shù)及相關(guān)設(shè)備。

兩用品管制清單基本上與“瓦森納安排”的9類平衡，但增加了核材料、設(shè)施及設(shè)備；包括了“澳大利亞集團”清單中的材料、化學、微生物、生化毒素?！吧唐饭苤魄鍐巍惫灿?72個出口管制分類編號、約2400個物項，其中有158 個出口管制分類編號與“瓦森納安排”的管制清單中的物項相同；有97個出口管制分類編號與“核供應(yīng)國集團”的管制清單中的物項相同；有108個分類編號與“導彈及其技術(shù)控制制度”管制清單中的物項相同；有16個分類編號與“澳大利亞集團”的管制清單的物項相同。美國單邊控制是139個物項。根據(jù)美國商務(wù)部《出口管理條例》的規(guī)定，以上管制清單內(nèi)的產(chǎn)品或技術(shù)出口都要事先向商務(wù)部申請出口許可證。

2015年5月5日，美國商務(wù)部產(chǎn)業(yè)與安全局（BIS）發(fā)布聯(lián)邦紀事公告，宣布修改《出口管理條例》（EAR），將總統(tǒng)確定不再納入軍品清單（USML）第12類的測距儀及消防、光學、制導與控制設(shè)備納入商業(yè)管制清單（CCL）的“600系列”。

4、歐洲對華技術(shù)出口限制

（1）《歐盟兩用品出口管制條例》

2015年10月12日，歐盟委員會批準更新《歐盟兩用品出口管制條例》（EC No.428/2009）的管制清單。此次更新基于2014年多邊出口管制機制的管制清單變化，共涉及100余個品目修改，目的旨在符合國際安全義務(wù)、提高政策透明度、維護歐盟出口行業(yè)競爭力和便利出口管制部門管理。此次清單更新的主要內(nèi)容包括：一是加強了對機床、航空技術(shù)、飛機折疊翼系統(tǒng)、宇航設(shè)備和民用無人機等相關(guān)產(chǎn)品的管制；二是取消了相關(guān)加密信息安全產(chǎn)品的管制。

（2）歐盟《1334號法令》

歐盟理事會在2000年通過了《1334號法令》，將《瓦森納協(xié)定》的機制貫徹到歐盟高科技出口貿(mào)易方面，歐盟《1334號法令》確定的控制出口清單同《瓦森納協(xié)定》沒有太多區(qū)別。《1334號法令》共8章22條，規(guī)定了出口控制的范圍，主管部門，控制物項的變更、海關(guān)程序，行政合作和控制措施等，該法令規(guī)定附有軍民兩用品和技術(shù)清單，涉及核材料、技術(shù)與設(shè)備；材料、化學品、“微生物和有毒物品”；材料處理；電子；計算機；電信和“信息安全”，傳感和激光；導航與電子；船舶；推進系統(tǒng)、航天器及 其相關(guān)設(shè)備等共10大類。對于不在清單上的項目，如果被認為與核、生、化武器的生產(chǎn)、儲存、試驗、操作、維護等有關(guān)，或接受國正接受武器禁運，也必須取得授權(quán)。這項法令后來經(jīng)過多次修訂，目前成為對華高科技出口管制的主要“指導性文件”。

（3）歐盟與《瓦森納協(xié)定》

歐盟27個成員國中已有21個簽署了《瓦森納協(xié)定》。《瓦森納協(xié)定》雖然允許成員國在自愿的基礎(chǔ)上對各自的技術(shù)出口實施控制，但實際上成員國在重要的技術(shù)出口決策上受到美國的影響。

中歐高技術(shù)合作受制于美國。由于美國是全球唯一的超級大國，歐盟及其成員國在各方面都會受制于美國，特別是在中歐高技術(shù)領(lǐng)域的合作，而《瓦森納協(xié)議》正是歐美共同戰(zhàn)略利益和政治理念的鮮明體現(xiàn)。2004年，捷克政府曾批準捷克武器出口公司向我國出售10部總價值為5570萬美元的“維拉”雷達系統(tǒng)，但在美國的壓力下，取消了這一合同。2006年，我國與意大利阿萊尼亞空間公司曾簽署了發(fā)射意衛(wèi)星的合作協(xié)議，但由于美國的干預(yù)，意方不惜經(jīng)濟和信譽損失而最終取消了合作協(xié)議。

（二）近兩年美國對中國集成電路發(fā)展的限制動作

自2016年起，美國政府加強了對于中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的限制，包括在貿(mào)易、知識產(chǎn)權(quán)及投資并購審查等領(lǐng)域。

1、美國總統(tǒng)科學技術(shù)咨詢委員會的建議

2017年1月6日，美國總統(tǒng)科學技術(shù)咨詢委員會（President’s Council of Advisors on Science and Technology，簡稱PCAST）發(fā)表了名為《確保美國在半導體行業(yè)長期領(lǐng)先地位》（Ensuring Long-Term U.S. Leadership in Semiconductors）的報告。在詳細介紹半導體產(chǎn)業(yè)的全球現(xiàn)狀之前，委員會在報告里面寫了一封給美國第44任總統(tǒng)奧巴馬的信。在報告中提到，中國的半導體的崛起，對美國已經(jīng)構(gòu)成了“威脅”，委員會建議政府對中國半導體產(chǎn)業(yè)加以限制。

該報告提報告是由半導體工作組內(nèi)的相關(guān)行業(yè)領(lǐng)袖、杰出研究員和曾經(jīng)的政策制定者擬定的，并由PSAST審核并通過。報告主要是談及半導體產(chǎn)業(yè)在創(chuàng)新、競爭和安全方面面臨的挑戰(zhàn)和機會。簡要內(nèi)容如下：

半導體是現(xiàn)代生活的重要組成部分，在半導體領(lǐng)域取得的進展已經(jīng)將機基于其打造的設(shè)備和服務(wù)提升到一個新的階段。與此同時，還開拓了很多新的業(yè)務(wù)模式和產(chǎn)業(yè)，為美國相關(guān)從業(yè)人員與消費者帶來了巨大的收益，對促進全球經(jīng)濟的發(fā)展也產(chǎn)生了重大的影響。我們也要明白到，尖端的半導體技術(shù)對于美國的國防系統(tǒng)和軍隊實力來說，也是重要的保證。無處不在的半導體使得我們還同時面臨了網(wǎng)絡(luò)安全的風險。

但現(xiàn)在，美國半導體的創(chuàng)新、競爭及其完整性正在面臨重大的的挑戰(zhàn)。由于材料、設(shè)備和技術(shù)本身的限制，市場的速度變化，半導體創(chuàng)新的步伐已經(jīng)放緩。加上現(xiàn)在中國正在打造半導體產(chǎn)業(yè)鏈帶來的擔憂。他們使用政府主導的數(shù)千億美元基金在全球瘋狂并購，在國內(nèi)建設(shè)，會給美國帶來重要的威脅。

該報告的核心是：只通過在尖端科技的持續(xù)創(chuàng)新，可以減緩中國半導體帶來的威脅并能促進美國經(jīng)濟的發(fā)展。因此本報告精心制定并推薦了三個重點策略保持美國半導體的領(lǐng)先：

抑制中國半導體產(chǎn)業(yè)的所謂創(chuàng)新；

改善美國本土半導體企業(yè)的業(yè)務(wù)環(huán)境；

推動半導體接下來幾十年的創(chuàng)新轉(zhuǎn)移；

為將這些影響放到最大，那就需要政府、產(chǎn)業(yè)界和學術(shù)界通力合作。

2、美國對中國重啟301調(diào)查針對半導體領(lǐng)域

2017年8月14日，美國總統(tǒng)特朗普簽署總統(tǒng)備忘錄，正式授權(quán)美國貿(mào)易代表萊特希澤就中國有關(guān)法律、政策、實踐或做法可能不合理或歧視性地損害美國知識產(chǎn)權(quán)、創(chuàng)新或技術(shù)發(fā)展展開調(diào)查。2017年8月18日，美國貿(mào)易代表辦公室在其官網(wǎng)發(fā)布聲明，宣布根據(jù)《1974年貿(mào)易法》第301條，啟動對中國的調(diào)查，以裁定中國有關(guān)技術(shù)轉(zhuǎn)讓、知識產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的法律或政策是否對美國企業(yè)造成歧視。

本次301調(diào)查的正式名稱是：“301調(diào)查：中國有關(guān)技術(shù)轉(zhuǎn)讓、知識產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的法律、政策和做法”，其中提到的四項調(diào)查內(nèi)容包括：中國政府是否強迫美國企業(yè)轉(zhuǎn)讓技術(shù)；是否削弱美國企業(yè)在華技術(shù)談判能力；是否直接或不公平地幫助中國企業(yè)收購美國先進技術(shù)與知識產(chǎn)權(quán)；是否非法侵入商業(yè)機密等。

301調(diào)查在第一章中，重點針對了中國對于國外知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的引進、吸收和再創(chuàng)新的過程，其中一個重要的舉例便是集成電路，并提到了中國集成電路領(lǐng)域的多項產(chǎn)業(yè)政策如"集成電路產(chǎn)業(yè)十二五發(fā)展規(guī)劃"、"國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要"等等。

其次，301調(diào)查報告的第二章"中國對在華美國公司的不公平技術(shù)轉(zhuǎn)讓制度"部分，援引了美國商務(wù)部和國土安全局對美國集成電路產(chǎn)業(yè)的調(diào)查報告，稱"25家美國集成電路公司稱，他們?yōu)榘l(fā)展中國市場不得不與中國實體組成合資企業(yè)，并轉(zhuǎn)讓知識產(chǎn)權(quán)，2017年這些公司的總銷售額超過了250億美元"。

第三，301調(diào)查報告的第四章"對外投資"部分。列舉了中國的"走出去"戰(zhàn)略，其中便重點強調(diào)了在多項國家級政策支持下，集成電路領(lǐng)域的境外收購和出海戰(zhàn)略。并且重點分析了清華大學（紫光集團）的北京，以及參與幾項收購案例，如美光、Western Digital等。同時，在報告此章節(jié)提出了"國家支持的基金和投資公司的出現(xiàn)是中國金融業(yè)的一個重要新特征"，并將國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金作為了典型案例。最后，報告列舉了幾項中國在美國集成電路領(lǐng)域的投資，如集創(chuàng)北方收購iML，亦莊國投收購Mattson，以及ISSI并購案等。

3、美國337調(diào)查2017年涉中企業(yè)居高位

337調(diào)查，是指美國國際貿(mào)易委員會（United States International Trade Commission）根據(jù)美國《1930年關(guān)稅法》（Tariff Act of 1930）第337節(jié)及相關(guān)修正案進行的調(diào)查，禁止的是一切不公平競爭行為或向美國出口產(chǎn)品中的任何不公平貿(mào)易行為。

美國總統(tǒng)特朗普上臺以來，以“美國優(yōu)先”、“制造業(yè)回歸”為口號，大肆推行保護主義，而在此大背景下，2017年，美國337調(diào)查案件保持高位。2017年涉及中國企業(yè)的337調(diào)查立案數(shù)量達到22起，是中國加入WTO以來最高的一年。機電產(chǎn)品仍占比最高。根據(jù)調(diào)查案件表明，中美知識產(chǎn)權(quán)之爭集中在電子行業(yè)、半導體及醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。

4、特朗普政府宣布對中國進口商品加征關(guān)稅

2018年3月22日美國總統(tǒng)特朗普簽署總統(tǒng)備忘錄，依據(jù)“301調(diào)查”結(jié)果，將對從中國進口的商品大規(guī)模征收關(guān)稅，并限制中國企業(yè)對美投資并購。

美國貿(mào)易代表辦公室將在15天內(nèi)制定對中國商品征收關(guān)稅的具體方案。同時，美國貿(mào)易代表辦公室還將就相關(guān)問題向世界貿(mào)易組織起訴中國。此外，美國財政部將在60天內(nèi)出臺方案，限制中國企業(yè)投資并購美國企業(yè)。

中美兩國目前正在舉行磋商，談判過程中，特朗普政府高級官員要求中方降低進口汽車關(guān)稅，允許外資持有金融服務(wù)公司多數(shù)股權(quán)，并購買更多美國生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品。

中美貿(mào)易中半導體在其中扮演著非常重要的角色，雖然美國占中國半導體進口總額不大，但中國高度依賴自美進口半導體芯片產(chǎn)品與相關(guān)設(shè)備，同樣，美國多家半導體企業(yè)對中國市場的依賴度非常大。

5、美國外商投資委員會阻撓中國半導體海外并購

美國外商投資委員會（CFIUS）是一個機密的多機構(gòu)委員會，由CFIUS是美國財政部主導的跨部門審查機構(gòu)，由國防部、國土安全部、司法部、商務(wù)部、國務(wù)院、能源部、貿(mào)易談判代表辦公室，以及經(jīng)濟顧問委員會、科學技術(shù)辦公室、管理及預(yù)算辦公室等核心政府機構(gòu)組成，負責在國家安全層面評估跨國交易，以確定外國在美投資交易對國家安全是否存在潛在影響。CFIUS經(jīng)常會以國家安全為由對海外并購予以阻止。

2017年11月8日，共和黨參議員John Cornyn提出《外商投資風險評估現(xiàn)代化法案》（FIRRMA），該法案旨在擴大CFIUS的管轄范圍，也更新了CFIUS關(guān)于“關(guān)鍵技術(shù)”的定義，即美國在國防、情報或其他國家安全領(lǐng)域?qū)μ貏e關(guān)注國維持或擴大技術(shù)優(yōu)勢至關(guān)重要的其他新興技術(shù)，或是獲得對此類國家尚不存在技術(shù)優(yōu)勢領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)，都在“關(guān)鍵技術(shù)”的范疇里。另一方面，法案也為CFIUS增加了一項新的免責條款。如果外國投資者都來自符合某些標準的國家，比如美國的條約盟友，F(xiàn)IRRMA就可以免除對這些交易的審查。

在中資收購美國企業(yè)的案例中，CFIUS以國家安全為由否定交易。近兩年在半導體領(lǐng)域的案例尤其明顯，主要案例如下：

2016年1月，金沙江投資擬33億美元收購飛利浦LED芯片公司Lumileds股權(quán)，因CFIUS反對而失敗。

2016年2月，美國仙童半導體公司(Fairchild Semiconductor)拒絕了華潤微電子有限公司和清芯華創(chuàng)投資管理有限公司聯(lián)合提出的收購要約，因擔心CFIUS可能以擔憂國家安全為由拒絕批準交易。

2016年2月，紫光集團旗下紫光股份宣布終止收購西部數(shù)據(jù)15%的交易，因CFIUS審查而失敗。

2016年12月，中國宏芯投資基金對德國設(shè)備企業(yè)愛思強在與德方商務(wù)談妥的情形下，收購遭到美國CFIUS否決。

2017年9月，并購基金Canyon Bridge Capital Partners13億美元并購美國芯片企業(yè)Lattice Semiconductor遭否決。

2018年2月，湖北鑫炎股權(quán)投資合伙企業(yè)欲5.8億美元收購美國半導體測試公司Xcerra，因遭受CFIUS國家安全審查而終止，CFIUS以“使用Xcerra設(shè)備的芯片制造商屬于美國政府和軍方供應(yīng)鏈的一部分”為由阻止了這筆交易。

2018年3月，在博通高價收購高通復雜的案件仍充滿變數(shù)時，尚未正式開始時，美國CFIUS以將影響美國國家安全為由對此案進行調(diào)查。CFIUS已向高通發(fā)布臨時禁令，要求高通推遲將于3 月6日召開的年度股東大會，同時延后董事會成員選舉30天，以便CFIUS能夠有充足的時間全面調(diào)查博通欲收購高通一事。CFIUS認為該收購案將會影響到高通在5G通信領(lǐng)域的競爭力，因為華為正在積極參與5G標準的制定，而如果因為被收購而影響到高通在通信領(lǐng)域的領(lǐng)導角色，則可能對美國構(gòu)成威脅。最終，美國總統(tǒng)特朗普發(fā)布命令，禁止博通按原計劃收購高通。

（三）近兩年歐洲對中國集成電路發(fā)展的限制動作

歐洲在限制其它國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策法規(guī)方面，一直延續(xù)歐盟理事會在2000年通過的《1334號法令》，將《瓦森納協(xié)定》的機制貫徹到歐盟高科技出口貿(mào)易方面，內(nèi)容涵蓋了核技術(shù)、材料、電子、計算機、傳感與激光、推進系統(tǒng)、船舶、導航與電子等十個方面的高新技術(shù)成果。近年歐盟并未出臺新的限制中國集成電路發(fā)展的政策法規(guī)。但是隨著中國并購整合歐洲半導體企業(yè)的案例趨多，歐洲有些國家如德國、法國及意大利，開始加強對于外國投資的監(jiān)管。

1、德國政府出臺限制外國投資新規(guī)

2017年7月，德國聯(lián)邦政府通過了一項加強監(jiān)管外國投資新規(guī)。旨在防止本國具有戰(zhàn)略重要性的企業(yè)出售給外國投資者。新法規(guī)將并購調(diào)查范圍延伸到包括提供戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)服務(wù)或軟體的企業(yè)，這些產(chǎn)業(yè)包括電網(wǎng)、核電廠、水公司、電信網(wǎng)、醫(yī)院）及機場等。生產(chǎn)或開發(fā)“關(guān)鍵技術(shù)”而列入審查的國防企業(yè)，涵蓋范圍也比先前更加規(guī)范。根據(jù)新規(guī)，如果并購涉及所謂的“核心基礎(chǔ)設(shè)施”即被認為是“對公共秩序的威脅”，德國政府就可以出手阻止并購。此外，德國政府評估這些并購交易的時間也將從兩個月增至四個月，新規(guī)定無需經(jīng)過國會審批，很快可以生效。

此次新規(guī)主要針對非歐盟國家。如果這些國家的企業(yè)想要收購一家德國企業(yè)超過25%的股權(quán)，又涉及“關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施”領(lǐng)域的運營，德國聯(lián)邦經(jīng)濟事務(wù)與能源部將對此類收購進行國家安全審查，并有權(quán)否決相關(guān)交易或?qū)ζ涮岢鱿拗茥l件。此舉在于阻止外資，尤其是中國資本收購德國企業(yè)，防止重要技術(shù)外流。

2、德意法欲建立歐盟版CFIUS

2017年8月，德國聯(lián)合法國和意大利致信歐盟委員會，要求其擴大目標企業(yè)所在的成員國對外資并購的否決權(quán)。信件要求，如果相關(guān)投資受到國家鼓勵、得到本國政府提供的補貼或者以不切實際的價格進行交易，歐盟國家就應(yīng)該拒絕這樣的企業(yè)收購或提出附加條件。其中對“國家支持、政府補貼和戰(zhàn)略性的投資限制”被再三強調(diào)，其對于中資并購技術(shù)類產(chǎn)業(yè)的針對性可謂非常明顯。

歐盟方面則對于擁有更多的監(jiān)管權(quán)并不拒絕。然而在有關(guān)到底要不要建立一個歐盟版的外國投資委員會（CFIUS）的問題上，爭議始終存在。

歐盟28國中，目前只有13個國家對海外投資設(shè)置了審查體系，雖然以德意法為代表的國家堅持認為歐盟應(yīng)當建立一個能阻止交易的體系，但北歐一些國家堅定支持自由貿(mào)易主義，反對任何形式的投資審查，而南歐一些國家則擔心審查制度的收緊會妨礙對本國的投資。

雖然歐盟版CFIUS遭到了北歐和一些南歐國家的激烈反對，暫時無法實現(xiàn)，但德意法等國已率先開始收緊外資并購政策。而歐盟層面，亦希望能推動統(tǒng)一歐盟的外國投資審查標準，目前的難題是，究竟只是出臺規(guī)則，還是推動新的立法。

- 歐美國家對集成電路發(fā)展的考慮及行動 -

（一）美國政府集成電路產(chǎn)業(yè)政策扶持歷程

縱觀美國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的60多年，可以清晰看到美國政府在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的巨大作用。在產(chǎn)業(yè)初創(chuàng)期，主要以政府扶持為主。在產(chǎn)業(yè)成長期和成熟期，采取的是開放促競爭的政策，政府進行宏觀調(diào)控。通過制定一系列的法律法規(guī)保證產(chǎn)業(yè)的正常發(fā)展，通過證券交易市場為產(chǎn)業(yè)提供發(fā)展資本等。根據(jù)美國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史，政府主要是在政策支持、資金保障、需求創(chuàng)造、組織管理與產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)、創(chuàng)造良好外部環(huán)境五大方面對產(chǎn)業(yè)進行扶持。

美國集成電路產(chǎn)業(yè)不同發(fā)展階段所采取的核心政策

1、政策支持

70年代前，美國沒有明顯的產(chǎn)業(yè)政策，主要是通過產(chǎn)業(yè)組織政策反對壟斷，但是在經(jīng)歷了70年代的經(jīng)濟萎縮后，美國開始注意研究政府在經(jīng)濟發(fā)展中的作用，特別是面對日本的迅速崛起與競爭，美國采取了一系列特殊的稅收優(yōu)惠政策，刺激企業(yè)不斷增加對R&D的投入，美國國會也通過一系列法案，進一步挖掘聯(lián)邦開發(fā)計劃的商業(yè)潛力，建立政府與民間的合作關(guān)系，提高美國的競爭力。

（1）法律制度建立

圍繞促進科技創(chuàng)新活動、保護科技創(chuàng)新成果、強化科技成果轉(zhuǎn)移，美國建立了涵蓋廣泛、較為完善的科技法律制度體系。該體系以《貝爾-多爾法案》為核心，包含1980年《聯(lián)邦技術(shù)轉(zhuǎn)移法案》、1982年《小企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展法》、1983年《關(guān)于政府專利政策的總統(tǒng)備忘錄》、1984年《專利與商標法修正案》、1989年《國家競爭性技術(shù)轉(zhuǎn)移法》、1998年《技術(shù)轉(zhuǎn)讓商業(yè)化法》、1999年《美國發(fā)明人保護法》、2000年《對發(fā)明推廣者申訴的臨時規(guī)章》和《技術(shù)轉(zhuǎn)移商業(yè)化法》等一系列法律法規(guī)，以及其他相關(guān)聯(lián)邦政府行政命令。另外，美國還制定和實施嚴格的《反壟斷法》，以保護競爭、反對壟斷，確保其科學研究與發(fā)展充滿活力。

（2）稅收優(yōu)惠

研發(fā)費用稅收減免：美國稅收法典規(guī)定了研究開發(fā)費用可由公司自行選擇一次性扣除或作資本化處理，并實行研發(fā)費用減稅制度。早在1954年美國稅收法典就規(guī)定了R&D費用可由企業(yè)選擇一次性扣除或作資本化處理；1981年又實行了R&D費用增長減稅的優(yōu)惠，即公司當年發(fā)生的R&D費用若超過前3年平均數(shù)，則超過部分的20%可在當年應(yīng)納稅額中抵免。2015年美國將“企業(yè)研發(fā)稅收抵免”由周期性變?yōu)橛谰眯砸怨膭钇髽I(yè)加強長期研發(fā)。

另外一方面，美國為了鼓勵企業(yè)應(yīng)用研究和基礎(chǔ)研究的有機結(jié)合，規(guī)定公司委托大學或科研機構(gòu)進行基礎(chǔ)性研究，根據(jù)合同所支付的研究費用的65%可從所得稅中抵免。

促進風險投資的稅收支持政策：美國為促進企業(yè)風險投資，在修改《國內(nèi)稅法》時規(guī)定投資者對小型企業(yè)投入2.5萬美元以上的，允許從收入中沖銷投資帶來的資本損失，從而減輕投資者的稅收負擔。同時美國為了鼓勵民間投資，在1978年降低了投資收益稅率，從49%降為28%。1981年將投資收益稅再度降低到20%。該法明確只對法律上具有獨立主體資格的公司征收公司所得稅，而對不具有法人資格的公司僅征收投資人的個人所得稅，而不征收公司所得稅。因此從稅收負擔上有限合伙制的風險投資企業(yè)比公司制的風險投資企業(yè)低得多。1981年美國在《股票期權(quán)鼓勵法》中規(guī)定，準許將股票選擇權(quán)作為對風險投資家的報酬，并將納稅環(huán)節(jié)由行使選擇權(quán)時推遲到股票出售時，即只有出售股票時才課稅，取得股票期權(quán)時不需要繳稅。

在投資抵免方面，美國規(guī)定企業(yè)用于技術(shù)更新改造的設(shè)備投資可按其投資額的10%抵免當年應(yīng)繳所得稅，而企業(yè)購買其他的資本設(shè)備，法定使用年限須在5年以上，才可享受10%的抵免率，若法定使用年限不到5年，抵免率則為6%。

（3）人才培養(yǎng)與引進

美國政府高度重視通過教育發(fā)展，提高國民整體素質(zhì)，為科技創(chuàng)新提供強大后備力量，其高技術(shù)發(fā)展規(guī)劃和政策將教育擺在首位，公共教育支出總數(shù)在政府支出中一直保持較高比例，在主要創(chuàng)新型國家中位居前列，2007年該比例為14.1%，盡管受金融危機影響，2008年這一比例仍達到13.8% 。政府各部門還設(shè)立各種專門計劃培養(yǎng)高層次人才，如美國海軍的“青年研究員計劃”，美國家科學基金會設(shè)立的“總統(tǒng)青年研究獎”，等。為吸引世界各國優(yōu)秀人才，美國長期執(zhí)行有效的移民政策，實施靈活的專門為吸收外國人才的H-1B簽證計劃，并通過建立自由寬松的學術(shù)氛圍、提供豐富的信息資源等營造集聚世界優(yōu)秀科技人才為之服務(wù)的良好環(huán)境。

2、資金保障

研發(fā)資金支持：二戰(zhàn)以來，美國開始大規(guī)模支持科技研發(fā)，研發(fā)經(jīng)費不斷增加，從1947年的5億美元增加到2009年的1471億美元，在發(fā)達國家中，美國每年投入的研發(fā)經(jīng)費最多。在過去十余年中，美國研發(fā)費用占其GDP的比重基本上一直保持在2.6%～2.8%。奧巴馬上臺后，美國政府將爭奪經(jīng)濟科技制高點作為戰(zhàn)略重點，提出將研發(fā)投入進一步提高到GDP的3%這一歷史最高水平。

在集成電路產(chǎn)業(yè)，自從上世紀50年代，美國聯(lián)邦政府就專門成立了集成電路創(chuàng)投研發(fā)資金，該項目的啟動資金當時僅為10至35萬美元。到1967年，該研發(fā)資金政府投入已經(jīng)接近百萬美元。從1967年至1987年，美國聯(lián)邦政府為集成電路產(chǎn)品的研發(fā)資金已經(jīng)提高至了6000萬美元，而到1993年，該項投資規(guī)模已經(jīng)達到了7.5億美元。除了政府提供專門的研發(fā)資金，美國自上世紀50年代開始就以國家的名義為國內(nèi)各大企業(yè)投入巨資，用于集成電路尖端領(lǐng)域的研發(fā)工作。而在上世紀90年代末，以英特爾為代表的公司抓住了國家先期投入的契機，為半導體集成電路的研發(fā)與產(chǎn)品推廣工作做出了巨大的貢獻。可以說，政府研發(fā)資金的投入對產(chǎn)業(yè)的建立和良性發(fā)展起到關(guān)鍵性作用。

大力發(fā)展風險投資市場：發(fā)達的風險投資為美國半導體產(chǎn)業(yè)和半導體科技的飛躍發(fā)展提供了的巨大助力。為推動和規(guī)范風險投資的發(fā)展，從1958年的《小企業(yè)投資公司法》到1993的《信貸擔保法案》，美國共頒布了十幾部與風險投資相關(guān)的法律。這些法律使美國成為全球風險投資最活躍的地區(qū)，有力地保障了美國半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的新技術(shù)、新成果迅速完成產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)換，并創(chuàng)造出了良好的經(jīng)濟效益?？梢哉f，硅谷的誕生及發(fā)展，以及90年代后期美國半導體產(chǎn)業(yè)的重新崛起，都與美國風險投資市場的發(fā)展密不可分。

3、需求創(chuàng)造

政府采購是美國扶持特定產(chǎn)業(yè)的重要政策工具，通過合同研發(fā)、購買產(chǎn)品等方式，美國政府利用龐大的政府采購支出極大地激勵了企業(yè)的研發(fā)創(chuàng)新活動，支持了包括集成電路及半導體等在內(nèi)的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

國防、宇航和民用領(lǐng)域的大量政府采購占據(jù)了早期半導體市場的最大份額。上世紀60年代，美國80%至90%的集成電路產(chǎn)品都由國防部采購。到上世紀90年代初期，美國軍用集成電路市場占集成電路總市場的比例仍高達40%。事實表明，美國國防部的采購對美國半導體業(yè)的早期發(fā)展具有決定性的影響，為其后來長期處于世界領(lǐng)先地位奠定了堅實基礎(chǔ)。

上世紀90年代克林頓上臺不久即采取措施，促進政府在半導體等高科技領(lǐng)域投資，當時僅計算機及其相關(guān)產(chǎn)品的政府采購就高達90億美元，這一措施在一定程度上支持美國重新奪回了集成電路產(chǎn)業(yè)的主導地位。

4、組織管理與產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)

20世紀80年代美國作為半導體的主要生產(chǎn)商在全球的位次大幅度下降，這樣的衰退被很多美國人認為是對國家軍事安全和經(jīng)濟的嚴重威脅，不少人將其歸咎于美國政府微電子產(chǎn)業(yè)的政策方向。為了應(yīng)對這種狀況，除美國政府繼續(xù)以巨大的國防支出來資助半導體業(yè)的研發(fā)外，1987年美國半導體協(xié)會成立。

美國國防部還牽頭與美國多家IC企業(yè)成立半導體制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（SEMATECH），促進元件廠與設(shè)備供應(yīng)商的合作關(guān)系，加速半導體設(shè)備與材料的研發(fā)，和工藝標準化工作。美國國家科學院此后評價該聯(lián)盟顯著提升了20世紀90年代美國半導體制造能力。

1989年底組建了“國家半導體咨詢委員會”，從國家層面實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，放棄了競爭激烈DRAM芯片領(lǐng)域，重點發(fā)展微組件及LOGIC等附加價值高產(chǎn)品。

2015年7月國會成立“半導體核心工作組”，專為聯(lián)邦政府不斷增加的半導體研發(fā)投資提供政策等支持。

5、創(chuàng)造良好的外部環(huán)境

當美國集成電路與半導體產(chǎn)業(yè)作為整體遭遇不利的國際環(huán)境時，美國會動用政府力量，充分利用外交、貿(mào)易、法律等手段不遺余力地為產(chǎn)業(yè)界排除不利國際環(huán)境的影響。20世紀80年代，當日本占據(jù)了全球隨機動態(tài)存儲器的最大市場份額后，美國政府采取了多種應(yīng)對方式，包括1986年簽訂的美日雙邊協(xié)議來打開日本半導體市場。1993年美國政府公布了“國家出口戰(zhàn)略”，包括半導體、電腦、通訊等在內(nèi)的6大產(chǎn)業(yè)被列為國家重點出口產(chǎn)業(yè)。該戰(zhàn)略提出采取包括減除政府對技術(shù)領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)出口的管制，提供貿(mào)易融資，貿(mào)易咨詢服務(wù)等措施，擴大美國企業(yè)出口，強化美國企業(yè)的外部競爭能力。

綜上所述，美國通過一系列政策和舉措，一方面實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展發(fā)展，另一方面實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)與市場需求的緊密結(jié)合。在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、汽車工業(yè)、裝備工業(yè)、先進制造業(yè)構(gòu)成的強大綜合工業(yè)體系支撐下，美國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展既有應(yīng)用市場做牽引和保障，反過來集成電路產(chǎn)品的發(fā)展也推動美國工業(yè)體系實力的不斷增強，二者形成良性互動。

不僅如此，注重原始創(chuàng)新、產(chǎn)品定位高端確保了美國集成電路產(chǎn)業(yè)的高獲利能力和在技術(shù)和產(chǎn)品方而的持續(xù)領(lǐng)先地位。合理的企業(yè)結(jié)構(gòu)加之開放金融體系下形成的硅谷模式，穩(wěn)固了美國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)，增添了產(chǎn)業(yè)發(fā)展活力。目前，美國正積極通過培育市場需求、定義產(chǎn)品形態(tài)、加強軟件與硬件的融合以及打造產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈等方式，進一步鞏固在集成電路產(chǎn)業(yè)的獨特競爭優(yōu)勢，持續(xù)保持在全球集成電路產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。

（二）美國政府近兩年集成電路發(fā)展策略

盡管自1997年美國重返世界半導體市場第一位，并且在技術(shù)創(chuàng)新方面仍居全球首位。但是，在2016年美國奧巴馬總統(tǒng)顧問委員會表示美國半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)正面臨的挑戰(zhàn)：摩爾定律放緩和中國競爭力的增強。2016年10月31日，美國奧巴馬總統(tǒng)顧問委員會宣布成立半導體工作組，工作組研究保持美國半導體產(chǎn)業(yè)強大的發(fā)展想法及建議，另外美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）連同幾家行業(yè)研究公司，也協(xié)同提出發(fā)展建議。自2017年初，美國相關(guān)政府部門及行業(yè)協(xié)會組織陸續(xù)發(fā)布了對于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策及建議。

1、特朗普政府稅法改革

美國總統(tǒng)特朗普2017年12月22日在白宮簽署了1.5萬億《稅收減免與就業(yè)法案》。這是30多年來美國最大的減稅計劃，作為世界最發(fā)達的經(jīng)濟體，這一減稅政策將對包括半導體產(chǎn)業(yè)在內(nèi)美國經(jīng)濟增長產(chǎn)生巨大影響。

自1986年里根總統(tǒng)簽署《稅制改革法案》以來，美國歷屆政府均未對稅法做過重大調(diào)整。近年來，隨著產(chǎn)業(yè)空心化和資本外移趨勢增強，特朗普總統(tǒng)認為，在經(jīng)濟全球化條件下，受高稅負的影響，美國企業(yè)在海外形成的大量收入并未如期回歸美國，而是滯留在投資國的所在地，嚴重影響了美國人的利益?；诖?，特朗普政府承諾進行減稅方案，實現(xiàn)“美國經(jīng)濟優(yōu)先”目標。

新的稅法將美國企業(yè)所得稅由 35% 降為 21% ，這一標準低于全球工業(yè)化國家 22. 5% 的平均企業(yè)所得稅，且新稅法將對稅賦流轉(zhuǎn)企業(yè)的所有者給予相應(yīng)扣除額度，能夠增加美國半導體企業(yè)利潤收入，增強美國半導體企業(yè)競爭力，提高勞動者薪資水平，還將引發(fā)跨國企業(yè)大量返美投資，創(chuàng)造更多就業(yè)崗位，增加勞動者收入，促進美國經(jīng)濟的可持續(xù)發(fā)展。

按照原美國稅法規(guī)定，美國企業(yè)匯回海外利潤時，將被征收 35% 的高額稅。特朗普新稅法要求美國企業(yè)匯回海外利潤時，只需一次性繳稅14% ，凈減稅幅度達21 個百分點。美國半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)比如高通，英特爾和NVIDIA等在海外有大量收入及利潤，新的政策可大幅增加美國半導體企業(yè)境外企業(yè)利潤匯回數(shù)量，對增加國內(nèi)有效投資，促進就業(yè)有積極作用。

新稅法給予美國企業(yè)海外子公司的股息所得稅豁免，對納稅人在國外獲得收入不予征稅。也就是說，美國公司利潤只需在利潤產(chǎn)生的國家交稅，無需在美國國內(nèi)重新納稅，避免了重復課稅，有利于增加企業(yè)利潤。與此同時，新稅法將新增 20% 的 “執(zhí)行稅”，旨在避免跨國企業(yè)與國外分支機構(gòu)以內(nèi)部交易形式避稅，有利于跨國公司把現(xiàn)金更多的用于股票分紅和回購股份，將增加投資人收益。

美國半導體產(chǎn)業(yè)占有全球48%左右的市場份額，美國半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)比如英特爾、高通和NVIDIA等在海外業(yè)務(wù)收入額巨大，特朗普政府的稅法改革將使得美國半導體公司在全球市場更具競爭力，促進產(chǎn)業(yè)進一步創(chuàng)新持續(xù)保持領(lǐng)先地位。

2、特朗普政府強推制造業(yè)回歸

制造業(yè)一度占美國國內(nèi)生產(chǎn)總值25%，但今天這一比例已縮小到10%。早在競選期間，美國總統(tǒng)特朗普就提出了“重振美國經(jīng)濟”、“重振制造業(yè)”的綱領(lǐng)。一個強大和充滿活動的制造業(yè)根基對于美國經(jīng)濟長期繁榮至關(guān)重要，除此而外，重振制造業(yè)也是出于戰(zhàn)略上的考慮。

在半導體領(lǐng)域，2017年2月8日，英特爾CEO科再奇（Brian Krzanich）和特朗普舉行了會談，隨后英特爾宣布未來3-4年將投資70億美元用于建設(shè)半導體工廠，生產(chǎn)先進的七納米芯片。新工廠計劃坐落于美國亞利桑那州的錢德勒（Chandler），將創(chuàng)造3000個工作崗位之外，參與建廠也將創(chuàng)造一萬多個工作機會。

為積極響應(yīng)特朗普政策，2017年11月博通（Broadcom）表示將把總部從新加坡搬遷回美國，2018年4月，博通表示已經(jīng)完成了總部的遷回計劃，位于加州圣何塞的聯(lián)合總部將成為其唯一總部。這也意味著博通將200億美元的年營收帶回美國。據(jù)悉，后續(xù)博通還將投資40億美元用于研發(fā)，60億美元用于制造。

得益于稅改及制造業(yè)回歸政策，蘋果表示將在未來5年于美國境內(nèi)投資超過300億美元，其中100億美元將投資于數(shù)據(jù)中心。此外，蘋果將選址新建園區(qū)，新園區(qū)將主要用于為顧客提供技術(shù)支持。蘋果認為，得益于目前在國內(nèi)供應(yīng)商、制造商方面的支出以及新的投資計劃，2018年蘋果為美國經(jīng)濟的直接貢獻將達到550億美元，而在未來5年這一數(shù)字將達到3500億美元，而這還不包括蘋果持續(xù)的稅收、雇員所得稅和蘋果的產(chǎn)品銷售。此外，蘋果目前已在美國各州雇傭了84000名員工，并預(yù)計將在未來5年創(chuàng)造超過20000個新增就業(yè)崗位。除直接雇傭外，其還將在投資供應(yīng)商制造商和促進應(yīng)用程序市場發(fā)展等方面為美國國內(nèi)創(chuàng)造就業(yè)崗位。

3、美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）2018年政策建議

美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）于1977年設(shè)立，是代表美國半導體產(chǎn)業(yè)的最大的貿(mào)易協(xié)會，其會員公司的產(chǎn)量占美國本土半導體產(chǎn)量的85%，通過與國會、政府以及其他關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)份額占有者合作，SIA 旨在增強美國半導體研究、設(shè)計以及制造方面的領(lǐng)導地位，并敦促出臺鼓勵創(chuàng)新的政策規(guī)定，推動行業(yè)進步和國際競爭。SIA最初總部位于西海岸的硅谷，但目前則遷移至首都華盛頓，與美國政府和議會的合作變得更加密切。

美國半導體行業(yè)協(xié)會雖就性質(zhì)上而言不是政府機構(gòu)，但所起的作用有時并不亞于后者。在立法活動中，SIA向政府提供本行業(yè)發(fā)展趨勢報告，負責有關(guān)貿(mào)易保護、市場損害的調(diào)查，并在必要時參與協(xié)調(diào)貿(mào)易糾紛，代表本行業(yè)向政府反映本行業(yè)企業(yè)的共同要求，提出行業(yè)經(jīng)濟政策和制定行業(yè)標準。在美國半導體行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時期，美國半導體行業(yè)協(xié)會都起到了智囊團及幕后推手的作用。

在當前世界經(jīng)濟及半導體產(chǎn)業(yè)進入新的市場格局時期，美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）也積極發(fā)聲，表示強大的美國半導體產(chǎn)業(yè)是美國經(jīng)濟、技術(shù)和國家安全基礎(chǔ)設(shè)施的基礎(chǔ)。2018年向美國政府政策提出多條建議，具體如下：

（1）研究——增加對半導體研究的聯(lián)邦投資。

研究是半導體行業(yè)和整個經(jīng)濟創(chuàng)新、背后的驅(qū)動力。SIA將繼續(xù)敦促政府作為合作伙伴，在DARPA、NIST、NSF和DOE的科學研究上大幅增加聯(lián)邦投資。SIA還將推動政策制定者實施和支持推動下一代半導體技術(shù)的研究項目。

（2）貿(mào)易——擴大進入全球市場的渠道。

超過80%的美國半導體公司的銷售來自海外客戶，不受限制地進入全球市場至關(guān)重要。SIA將努力保持和擴大對這些市場的準入，并支持強勁的全球貿(mào)易。SIA還將敦促執(zhí)行國際貿(mào)易規(guī)則，為美國企業(yè)維持一個公平的競爭環(huán)境。

（3）稅收——-使美國的稅收系統(tǒng)具有全球競爭力。

2017年底頒布的全面改革美國過時的企業(yè)稅收制度的法案是對美國半導體行業(yè)的一種歡迎和期待已久的勝利，也是美國在半導體研究、設(shè)計和制造領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位的重要一步。2018年，SIA將努力制定實施新稅法中所包含的公司稅改革規(guī)定所需的法規(guī)。SIA還將努力保持無形收入的較低水平，并鼓勵研究和創(chuàng)新。

（4）出口管制——減少商業(yè)半導體出口的負擔。

半導體是美國第四大出口產(chǎn)品，緊隨飛機、成品油和汽車，是美國經(jīng)濟實力的重要推動力。SIA將倡導放寬對5G技術(shù)和其他商業(yè)產(chǎn)品的控制，允許美國半導體公司在全球商業(yè)和雙用途半導體市場上進行有效競爭。

（5）勞動力——加強美國的技術(shù)勞動力水平。

美國的半導體行業(yè)包括一些世界上最優(yōu)秀、最聰明、最具創(chuàng)新精神的人。美國政府必須通過促進在科學、技術(shù)、工程和數(shù)學(STEM)領(lǐng)域吸引和留住高技能工人的政策來加強美國的技術(shù)勞動力。從長遠來看，投資STEM教育對于培養(yǎng)未來美國勞動力的技能至關(guān)重要。

（6）環(huán)境、健康和安全——支持可持續(xù)性。

在設(shè)計、制造和使用產(chǎn)品，以及操作的健康和安全方面，半導體行業(yè)是公認的全球領(lǐng)導者，都在促進環(huán)境的可持續(xù)性。2018年，SIA將努力推動制定適當?shù)姆ㄒ?guī)管理氣候氣體的工業(yè)排放和基本化學品及材料使用，并保障對半導體制造至關(guān)重要的材料供應(yīng)。

（7）防偽——打擊假冒的半導體。

半導體被嵌入到無數(shù)的產(chǎn)品和系統(tǒng)中，這些產(chǎn)品和系統(tǒng)在我們的社會中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。在這些產(chǎn)品或系統(tǒng)中，單個組件的故障可能導致重大的健康、安全和安全風險。SIA將與美國海關(guān)和邊境保護局以及其他執(zhí)法機構(gòu)合作，加強對假冒半導體產(chǎn)品的執(zhí)法力度，并增加對假冒產(chǎn)品的起訴，還將通過加強鼓勵通過授權(quán)采購的政策來減少假冒半導體的供應(yīng)，特別是在政府供應(yīng)鏈中。

（8）知識產(chǎn)權(quán)——通過保護有價值的知識產(chǎn)權(quán)來促進創(chuàng)新。

知識產(chǎn)權(quán)是半導體創(chuàng)新的命脈，知識產(chǎn)權(quán)的強大保護是持續(xù)成功的關(guān)鍵。包括幾家新航成員在內(nèi)的半導體公司，每年都是美國專利的最大受益者。SIA將支持平衡的改革，以提高專利質(zhì)量，減少專利侵權(quán)訴訟，并增加對商業(yè)秘密的保護。

4、SIA和SRC聯(lián)合發(fā)布《半導體研究機遇：產(chǎn)業(yè)愿景與指南》

美國半導體研究協(xié)會（Semiconductor Research Corporation（SRC））是半導體及相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域里的全球領(lǐng)先大學研究協(xié)會，非營利性組織。 SRC積極推進大學研究項目，在半導體研發(fā)戰(zhàn)略中扮演著不可或缺的角色。

美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）和半導體研究公司（SRC）2017年3月30日聯(lián)合發(fā)布《半導體研究機遇：產(chǎn)業(yè)愿景與指南》（Semiconductor Research Opportunities：An IndustryVision and Guide）報告，呼吁產(chǎn)業(yè)界、學術(shù)界和政府必須加強相互之間的聯(lián)系合作，加大對超越傳統(tǒng)硅基半導體的重視程度和投入力度，進一步探索推動半導體技術(shù)創(chuàng)新的新興領(lǐng)域，以此確保美國的經(jīng)濟實力和技術(shù)能力在全球范圍圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。

當前，延續(xù)摩爾定律正直面兩大基本挑戰(zhàn)：一是由于物理性質(zhì)限制，縮小晶體管尺寸越來越難。二是先進制程工藝的推進步伐越來越慢，半導體創(chuàng)新步伐開始放緩。因此，全球領(lǐng)先的半導體公司如英特爾、德州儀器、高通、IBM、美光、ARM、臺積電、聯(lián)發(fā)科、Synopsys、MediaTek、GlobalFoundrie等共同發(fā)出聲音，認為半導體系統(tǒng)必須最大限度地提高性能，減少能源消耗并提供安全保證，若要使半導體繼續(xù)實現(xiàn)性能改進，必須制定面向未來的半導體技術(shù)路線。

《半導體研究機遇：產(chǎn)業(yè)愿景與指南》提出半導體多項關(guān)鍵研究領(lǐng)域及其潛在研究方向。關(guān)鍵研究領(lǐng)域包括：先進器件、材料和封裝；互聯(lián)技術(shù)和架構(gòu)；智能內(nèi)存與存儲；半導體電源管理；傳感器和通信系統(tǒng)；分布式計算和網(wǎng)絡(luò)；認知計算；仿生計算和存儲；先進架構(gòu)與算法；安全與隱私；設(shè)計工具、方法和測試；下一代制造范式；與環(huán)境友好和安全相關(guān)的材料和工藝；新型度量與表征。

電子應(yīng)用系統(tǒng)支撐技術(shù)

5、DARPA推出“電子復興計劃”

在集成電路發(fā)明的70多年，美國在科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟及安全層面均處于優(yōu)勢，為繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，需革命性新舉措。同時，集成電路在摩爾定律的驅(qū)動下，面臨物理和經(jīng)濟極限；拐點臨近，電子技術(shù)的進步將進入下一創(chuàng)新階段。在此背景下，美國國防高級研究計劃局（Defense Advanced Research Projects Agency，簡稱DARPA）DAPRA在2017年6月1日提出電子復興計劃:Beyond Scaling: An Electronics Resurgence Initiative。

DARPA電子復興計劃主要內(nèi)容

電子復興計劃計劃2018年度財政預(yù)算 7500萬美元，和電子、光子及相關(guān)領(lǐng)域年度資金總額目標為2億美元以上，并會額外引入商業(yè)投資。該計劃計劃將專注于開發(fā)用于新器件的新材料、集成復雜電路的新架構(gòu)、效率更高的系統(tǒng)級軟硬件，計劃目標旨在不僅僅是通過“傳統(tǒng)的微縮化”來提高電子性能。其中材料部分，將研究通過新材料，而不是縮小晶體管尺寸來提高電路性能，將不同的半導體材料集成在單個芯片上，具有邏輯和存儲功能，垂直結(jié)構(gòu)而非平面結(jié)構(gòu)；架構(gòu)部分，將針對特定任務(wù)進行優(yōu)化的新架構(gòu)，比如GPU在深度學習中發(fā)揮了強大的作用；將繼續(xù)探索其它機會，比如可重構(gòu)的物理結(jié)構(gòu)，以適應(yīng)軟件的需求；設(shè)計部分，側(cè)重于開發(fā)快速設(shè)計及實現(xiàn)的專用電路工具。新的設(shè)計工具也將會發(fā)生變革。

DARPA微系統(tǒng)技術(shù)辦公室計劃在2018年7月23-25日舉辦第一屆年度電子復興計劃(ERI)峰會。這次為期三天的活動將會將那些受到摩爾定律影響最大的專業(yè)人士聚集在一起，包括來自商業(yè)部門、國防工業(yè)基地、學術(shù)界和政府的高級代表，以促進美國半導體創(chuàng)新未來方向上的合作。

（三）歐洲各國集成電路政策及代表項目歷程

1、歐盟委員會發(fā)布歐盟新電子產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略

歐盟委員會于2013年5月23日發(fā)表“歐盟新電子產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”，提出公共部門與私營機構(gòu)攜手合作加大對電子產(chǎn)業(yè)研發(fā)創(chuàng)新的投資，大力促進電子產(chǎn)業(yè)在研發(fā)創(chuàng)新領(lǐng)域的跨國合作，以確保歐盟在世界電子行業(yè)的領(lǐng)先地位和擴展歐盟先進的制造基地。

“歐盟新電子產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”主要包括以下幾方面：一是加大協(xié)調(diào)對電子產(chǎn)業(yè)研發(fā)創(chuàng)新（R&D&I）的投資，通過加強成員國之間的合作來充分發(fā)揮歐盟及其成員國投資的作用；二是加強和完善歐盟現(xiàn)有的三大世界級電子產(chǎn)業(yè)集群（分別位于德國的德累斯頓、荷蘭和比利時的埃因霍溫、魯汶以及法國的格勒諾布爾）的建設(shè)，并且促進這三大產(chǎn)業(yè)集群與歐盟其他電子產(chǎn)業(yè)集群（如英國的劍橋、愛爾蘭的都柏林和意大利的米蘭等）的聯(lián)系合作；三是通過研發(fā)創(chuàng)新讓芯片的價格更低、速度更快、功能更多。

歷屆歐盟研發(fā)框架計劃

“地平線2020”計劃是歐盟委員會于2013年底批準實施的一項科研規(guī)劃方案，期限為7年（從2014年至2020年），預(yù)算總額約為770億歐元，是第七個歐盟科研框架計劃之后的主要科研規(guī)劃。作為歐盟科技創(chuàng)新的主要規(guī)劃，“地平線2020”計劃的主要目的就是整合歐盟各成員國的科研資源，提高科研效率，促進科技創(chuàng)新，推動經(jīng)濟增長和增加就業(yè)。根據(jù)“地平線2020”計劃，歐盟委員會建議成員國將研發(fā)經(jīng)費在國內(nèi)生產(chǎn)總值中所占比例從現(xiàn)在的2%左右增至2020年的3%。

按照計劃，歐盟將在今后7年中出資170億歐元用于有關(guān)應(yīng)用技術(shù)方面的研發(fā)，具體包括信息技術(shù)、納米技術(shù)、新材料技術(shù)、生物技術(shù)、先進制造技術(shù)和空間技術(shù)等領(lǐng)域的研發(fā)。此外，歐盟還將根據(jù)計劃向“戰(zhàn)略創(chuàng)新議程”項目投資28億歐元，為中小企業(yè)創(chuàng)新投資25億歐元，并且向科研企業(yè)提供種子基金以幫助吸引更多的私人投資。

“地平線2020”三大戰(zhàn)略優(yōu)先領(lǐng)域之“工業(yè)技術(shù)”單列資助計劃

2、德國首次出臺國家層面的創(chuàng)新戰(zhàn)略《德國高技術(shù)戰(zhàn)略》

2006年，德國首次出臺國家層面的創(chuàng)新戰(zhàn)略《德國高技術(shù)戰(zhàn)略》，重點選擇了17個技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域，包括健康與醫(yī)藥技術(shù)、安全技術(shù)、種植技術(shù)、能源技術(shù)、環(huán)境技術(shù)、通信與信息技術(shù)等，引入包括“尖端集群競爭”、“創(chuàng)新聯(lián)盟”等激勵機制。2010年德國再次推出升級版科技發(fā)展戰(zhàn)略《德國高技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略2020》，主要聚焦氣候與能源、健康與營養(yǎng)、物流、安全性和通信五大領(lǐng)域，從國家需求出發(fā)應(yīng)對全球性挑戰(zhàn)。2014出臺的德國 “工業(yè)4.0”戰(zhàn)略，更像一種制造業(yè)的智能化戰(zhàn)略加強版，是在《德國高技術(shù)戰(zhàn)略》與《德國高技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略2020》的基礎(chǔ)之上提出來的。2015年出臺的“高科技戰(zhàn)略3.0”是德國高科技戰(zhàn)略的進一步升級。2016年下半年，德國聯(lián)邦內(nèi)閣通過了由聯(lián)邦教研部提交的《納米技術(shù)2020行動計劃》。，目標是安全環(huán)保地生產(chǎn)使用納米材料，同時提升德國的國際競爭力。

2016年德國聯(lián)邦政府的研發(fā)資金支出高達158億歐元，較2006年增長70%。德國各領(lǐng)域在研發(fā)上的投入總額早在2012年便達到約795億歐元，占當年國內(nèi)生產(chǎn)總值的2.98%，在歐洲國家處于領(lǐng)先地位。

3、比利時微電子研究中心IMEC

比利時微電子研究中心（IMEC）的全稱為Interuniversity Microelectronics Center，是比利時弗蘭芒政府響應(yīng)魯汶大學Van Overstraeten教授關(guān)于推動歐洲跨院校微電子研究合作的倡議，于1984年在魯汶大學微電子系的基礎(chǔ)上成立的一個非盈利性組織。

IMEC的研究模式共有4種，最主要的方式是“產(chǎn)業(yè)聯(lián)合項目（IIAP）”，與全球合作伙伴開展聯(lián)合研究，其余是與當?shù)馗咝ｉ_展基礎(chǔ)研究，受邀與企業(yè)開展雙邊合作，以及申請參與歐洲政府項目，IMEC積極申請歐洲政府機構(gòu)資助的研究項目，主要包括歐洲委員會第七科技框架計劃（FP 7）、歐洲航天局研究項目、比利時政府項目等。

IMEC經(jīng)費收入從初期的1000萬~2000萬歐元，逐年增多，2000年突破1億歐元，2013年已達到3.32億歐元，其經(jīng)費構(gòu)成主要包括當?shù)卣Y助、國際企業(yè)和比利時企業(yè)的合作研究收入、歐洲委員會和歐洲航天局的項目經(jīng)費。

微電子特別是半導體工藝研究具有持續(xù)時間長、資金投入大、技術(shù)風險高的特點，特別需要政府的大力扶持。比利時弗蘭芒政一直給予IMEC持續(xù)資助，這是其發(fā)展壯大的一個重要原因。從1984年至今，弗蘭芒政府每年都給予IMEC資金資助，并且穩(wěn)步增長，從20世紀80年代年均1000多萬歐元，到90年代年均2000多萬歐元，再到2002年超過3000萬歐元，2008年超過4000萬歐元。而每當IMEC有大型研究或減少項目時，弗蘭芒政府還會額外增資，并且是第一個投資者。如：2003年，IMEC開始實施300nm晶圓計劃，弗蘭芒政府在年度撥款外增資3700萬歐元（IMEC籌集4700萬歐元），建成了2200m2實驗室；2012年，為支持IMEC的450nm晶圓凈化間建設(shè)，弗蘭芒政府向IMEC額外撥款1億歐元，并計劃在未來5年內(nèi)投資10億歐元幫助其擴大建設(shè)。

當然，弗蘭芒政府在IMEC論文數(shù)量、經(jīng)費使用、成果轉(zhuǎn)化方面提出了具體要求，同時要求IMEC將部分成果通過孵化公司的方式實現(xiàn)商業(yè)化，每年至少成立1家公司。

（四）歐洲各國近兩年集成電路政策及代表項目

近年歐洲在促進集成電路發(fā)展政策方面未見有亮點，更多的是通過設(shè)立“傳感器”、“功率器件、“工業(yè)4.0”等歐洲半導體優(yōu)勢領(lǐng)域的大型項目來繼續(xù)提高歐洲廠商在此領(lǐng)域的競爭力。

1、德國聯(lián)邦經(jīng)濟部2017年發(fā)布《創(chuàng)新政策重點》

為使德國晉升全球創(chuàng)新領(lǐng)先行列，德國聯(lián)邦經(jīng)濟部2017年發(fā)布《創(chuàng)新政策重點》文件，提出了到2025年研發(fā)強度達3.5%、企業(yè)創(chuàng)新比例達50%、創(chuàng)業(yè)投資占GDP比重達0.06%的目標。將大力推進中小企業(yè)創(chuàng)新和數(shù)字化，并使德國在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域未來處于領(lǐng)先地位。一方面，對不同技術(shù)方向持開放態(tài)度，由企業(yè)自主決定技術(shù)投資方向，通過促進各類創(chuàng)新、刺激創(chuàng)業(yè)、加快數(shù)字化、加大公共創(chuàng)新采購、開展創(chuàng)新友好型監(jiān)管，使更多創(chuàng)新潛力成為可能。另一方面，為占領(lǐng)未來世界科技領(lǐng)先地位，將加強產(chǎn)學研合作，發(fā)展工業(yè)4.0，完善質(zhì)量保證基礎(chǔ)設(shè)施，考慮部分借鑒美國DARPA新設(shè)德國戰(zhàn)略性創(chuàng)新中心，并著重發(fā)展微電子、人工智能、生物技術(shù)、量子技術(shù)四大關(guān)鍵技術(shù)。

創(chuàng)新政策有兩大使命：一是對不同技術(shù)方向持開放態(tài)度，讓企業(yè)自主決定技術(shù)領(lǐng)域投資方向；二是需要資助有利于提升價值創(chuàng)造的未來技術(shù)。

其中在微電子領(lǐng)域，德國聯(lián)邦經(jīng)濟部認為，微電子技術(shù)是經(jīng)濟數(shù)字化和成功實施“工業(yè)4.0”的關(guān)鍵，在很大程度上決定著機械制造、電子、汽車制造、新能源等德國核心產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新。德國將積極推進具有歐洲共同利益的重要項目，以在物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)4.0、自動駕駛等應(yīng)用領(lǐng)域加強本國開發(fā)和制造能力，維護數(shù)字主權(quán)。2017-2020年將提供投資補助10億歐元，帶動企業(yè)項目投資44億歐元。

在政策的導向與支持下，博世集團2017年6月20日宣布，將在德國德累斯頓新建一座半導體晶圓廠。隨著物聯(lián)網(wǎng)和交通出行的發(fā)展，為了更好地滿足日益增長的產(chǎn)品需求，新工廠落成后將用來生產(chǎn)基于12英寸晶圓技術(shù)的芯片。這座投資約10億歐元的高新技術(shù)工廠預(yù)計在2019年底竣工，2021年底開始投入運營。新的晶圓廠是博世集團130多年歷史上最大的單項投資。

2、歐盟 “傳感互聯(lián)（IoSense）”項目

2016年5月，歐盟啟動了“傳感互聯(lián)（IoSense）”項目。IoSense項目將在英飛凌公司現(xiàn)有制造廠中建造三條工藝制造線，并通過模塊化思路將歐盟現(xiàn)有先進制造能力整合進相應(yīng)環(huán)節(jié)，形成歐盟范圍內(nèi)先進生產(chǎn)能力的網(wǎng)狀連接。先進制造能力包括比利時微電子研究中心（IMEC）的光子和光電集成技術(shù)、德國的弗朗恩霍夫光電微系統(tǒng)研究所（IPMS）微機電系統(tǒng)技術(shù)、奧地利艾邁斯半導體公司（AMS）的三維集成組裝技術(shù)等。研究領(lǐng)域包括壓力、光學、磁、氣體、溫度、環(huán)境等各類傳感器，并可進一步按需嵌入數(shù)據(jù)存儲、處理和收發(fā)，以及自配置、自修復、安全和功率監(jiān)控等系統(tǒng)級功能；目標是將歐盟先進傳感器和微機電系統(tǒng)的制造產(chǎn)能增加10倍，制造成本和時間減少30%，傳感器新產(chǎn)品從概念提出到上市銷售的時間縮短至1年以內(nèi)，以提高競爭力和滿足未來巨大市場需求。IoSense項目的總預(yù)算為6500萬歐元，由英飛凌公司牽頭，來自比利時等6個國家的33個機構(gòu)參與其中。

3、歐盟“功率半導體制造4.0（SemI40）”項目

2016年6月歐洲啟動SemI40項目，強化智能制造優(yōu)勢。SemI40項目以在不同地方，采用多種技術(shù)制造先進功率器件為目標，通過研制網(wǎng)絡(luò)攻擊防范、大數(shù)據(jù)處理、基于數(shù)據(jù)提取和分析的自主決策、制造流程的數(shù)字化和虛擬化仿真、可靈活自主分配制造流程的系統(tǒng)等多項技術(shù)，確保有可用、可變、可控和可追蹤的制造能力，以及為整個制造流程增加自主決策能力，建造可實現(xiàn)歐盟范圍內(nèi)多種先進制造技術(shù)混合使用的智能化制造能力，并以此為出發(fā)點探索工業(yè)4.0背景下更多半導體器件的智能制造。SemI40項目的總預(yù)算為6200萬歐元，被歐盟視為歐盟工業(yè)4.0最大的研究項目之一，由英飛凌公司牽頭，來自德國等5個國家的37個機構(gòu)參與其中。

4、歐盟“Productive4.0”項目

2017年5月歐洲啟動的最大的工業(yè)4.0研究項目Productive4.0是歐洲微電子研究資助計劃ECSEL的一部分，其目標是加強微電子技術(shù)專長，以期實現(xiàn)廣泛的數(shù)字化。由英飛凌科技股份公司牽頭、聯(lián)合19個國家的100多家合作伙伴，包括寶馬、博世、飛利浦、泰利斯、恩智浦、STM、SAP、ABB、沃爾沃和愛立信等，以及領(lǐng)先科研機構(gòu)，如卡爾斯魯赫技術(shù)學院、弗勞恩霍夫應(yīng)用研究促進協(xié)會和德累斯頓工業(yè)大學等。該項目的投資為1.06億歐元，將在三年內(nèi)合作完成。該項目的意義還在于在強化歐洲半導體行業(yè)的同時也在歐洲不同行業(yè)領(lǐng)域進行廣泛應(yīng)用。

5、CEA-Leti和Fraunhofer Group聯(lián)手研發(fā)合作

2017年7月，歐洲兩大研究機構(gòu)——法國CEA-Leti以及德國Fraunhofer Group宣布簽署研發(fā)合作協(xié)議，雙方將建立一個“技術(shù)平臺”，讓歐洲的中小企業(yè)與新創(chuàng)公司能取得先、進技術(shù)，共同推動歐洲將微電子技術(shù)研發(fā)與半導體制造根留本土的愿景。

這兩大研究機構(gòu)的合作目標包括取得法國與德國政府的研發(fā)資金，不只是為他們自己的研發(fā)項目，也為了兩地的微電子產(chǎn)業(yè)界；他們將爭取來自歐盟(EU)的認證，將其研發(fā)項目提升至“歐洲共同利益重要項目”(Important Project of Common European Interest，IPCEI)的等級，而終極目標是取得來自歐盟的資金補助。FD-SOI、傳感器、電力電子以及化合物半導體是Leti-Fraunhofer合作研發(fā)項目的四大支柱。