阻抗匹配電路的作用，阻抗匹配的理想模型

一、阻抗匹配電路的作用

阻抗控制在硬件設(shè)計中是一個比較重要的環(huán)節(jié)，IC廠商針對其應(yīng)用一般會向終端產(chǎn)商提供PCB板材質(zhì)、PCB疊層、PCB板厚等一些相關(guān)參考設(shè)計建議（這些都是跟PCB阻抗控制設(shè)計息息相關(guān)的），終端廠商在拿到這些資料后，會結(jié)合實際情況據(jù)此進行本地化的設(shè)計調(diào)整，然后將相關(guān)設(shè)計資料及要求提供給PCB的生產(chǎn)廠家進行PCB生產(chǎn)。

針對不同信號系統(tǒng)有不同的特征阻抗值，比如75ohm、100ohm、90ohm、50ohm等，而對頻率較高的RF信號來講，最常見的是50ohm的阻抗控制。

在實際的PCB設(shè)計中，RF傳輸線通常都會采用微帶線和帶狀線的走線方式， 且需要選取參考層來進行阻抗控制?？紤]到芯片的RF特性、實際PCB生產(chǎn)工藝、及元器件用料的因素，除了需進行PCB RF傳輸線的阻抗控制外，在硬件設(shè)計上通常還需添加一些匹配網(wǎng)絡(luò)電路用作RF的調(diào)試，一般說來，其作用大概為以下幾種：

1、諧振頻率以及帶寬的調(diào)整

2、功率、EVM、ACLR、PA電流、傳導(dǎo)雜散和輻射雜散等指標的調(diào)試等

圖1 某IC廠商建議的4-layer層疊方式

二、阻抗匹配的理想模型

射頻工程師大都遇到過匹配阻抗的問題，通俗的講，阻抗匹配的目的是確保能實現(xiàn)信號或能量從“信號源”到“負載”的有效傳送，其最最理想模型當(dāng)然是希望Source端的輸出阻抗為50歐姆，傳輸線的阻抗為50歐姆，Load端的輸入阻抗也是50歐姆，一路50歐姆下去，這是最理想的。

圖2 理想阻抗傳輸

然而實際情況是：源端阻抗不會是50ohm，負載端阻抗也不會是50ohm，這個時候就需要若干個阻抗匹配電路，而匹配電路就是由電感和電容所構(gòu)成，這個時候我們就需要使用電容和電感來進行阻抗匹配電路調(diào)試，以達到RF性能最優(yōu)。

三、電感電容的高頻特性

要用電感電容解決高頻的性能問題，那我們就需要先了解下電容和電感這些器件在高頻的特性。

翻一翻以前的物理課本，對電容器，是用平板表面積與平板間距的比值來定義其容量：

（A代表平板表面積，d代表平板間距，理想情況下在平板間沒有電流流動）

但在高頻信號通過時，電容器平板間的實際電介質(zhì)存在損耗（也就是板間有傳導(dǎo)電流流動），所以，電容器的阻抗需要表示成電導(dǎo)和電納的并聯(lián)組合：

圖3 高頻電容等效電路

而對電感而言，在射頻電路中經(jīng)常使用的電感為線圈結(jié)構(gòu)，其線圈是用導(dǎo)線在圓柱體上繞制而成，線圈除了具有與頻率無關(guān)的電阻之外，它還存在一個“電感”，而臨近的繞圈間存在著分離的移動電荷，所以它還存在一個寄生旁路“電容”。

圖4 高頻電感等效電路

在高頻時，電容器中的電介質(zhì)產(chǎn)生了損耗，所以電容器在諧振點前，呈現(xiàn)的阻抗特性與頻率成反比；而對電感器而言，當(dāng)頻率接近諧振點時，高頻電感的阻抗迅速提高，當(dāng)頻率繼續(xù)提高時，寄生電容C的影響成為主要的，線圈阻抗逐漸降低。

所以，一個實際電感或者電容并不能簡單用電感量或電容量來衡量，而應(yīng)該將其當(dāng)成寄生旁路電容C、串聯(lián)電阻R、寄生電感L的綜合效應(yīng)，這個時候通過一個等效網(wǎng)絡(luò)去模擬要更為合理，當(dāng)然，具體使用時，有時還需考慮集總參數(shù)和分布參數(shù)電路模型。

圖5 高頻電容阻抗頻率曲線

圖6 高頻電感阻抗頻率曲線

四、Smith圓圖在RF匹配電路調(diào)試中的應(yīng)用

說完電感、電容的高頻特性，接著我們來看看Smith圓圖。

Smith圓圖上可以反映出如下信息： 阻抗參數(shù)Z，導(dǎo)納參數(shù)Y，品質(zhì)因子Q，反射系數(shù)，駐波系數(shù)，噪聲系數(shù)，增益，穩(wěn)定因子，功率，效率，頻率信息等抗等參數(shù)。

圖5 Simth圓圖

是不是一臉懵，我們還是來看阻抗圓圖吧：

圖6 阻抗圓圖

阻抗圓圖的構(gòu)圖原理是利用輸入阻抗與電壓反射系數(shù)之間的一一對應(yīng)關(guān)系，將歸一化輸入阻抗表示在反射系數(shù)極坐標系中，其特點歸納如下：

1.上半圓阻抗為感抗，下半圓阻抗為容抗；

2.實軸為純電阻，單位圓為純電抗；

3.實軸的右半軸皆為電壓波腹點（除開路點），左半軸皆為電壓波節(jié)點（除短路點）；

4.匹配點（1，0），開路點（∞，∞）和短路點（0，0）；

5.兩個特殊圓:最大的為純電抗圓，與虛軸相切的為匹配圓；

6.兩個旋轉(zhuǎn)方向:逆時針轉(zhuǎn)為向負載移動，順時針轉(zhuǎn)為向波源移動。

導(dǎo)納圓圖與阻抗圓圖互為中心對稱，同一張圓圖，即可以當(dāng)作阻抗圓圖來用，也可以當(dāng)作導(dǎo)納圓圖來用，但是在進行每一次操作時，若作為阻抗圓圖用則不能作為導(dǎo)納圓圖。

Smith圓圖中，能表示出一些很有意思的特征：

在負載之前串聯(lián)或并聯(lián)一個可變電感/電容，電路圖如圖7左側(cè)4個圖所示，將得到Smith圓圖上右側(cè)的幾條曲線。對應(yīng)Smith阻抗圓及導(dǎo)納圓，其運動軌跡如下：

1、使用Smith阻抗圓時，串聯(lián)電感順時針轉(zhuǎn)，串聯(lián)電容逆時針轉(zhuǎn)；

2、使用Smith導(dǎo)納圓時，并聯(lián)電感，逆時針轉(zhuǎn)，并聯(lián)電容順時針轉(zhuǎn)。

圖7 聯(lián)接集中元件，Smith軌跡變化規(guī)律

五、匹配電路調(diào)試的注意事項

以上串并聯(lián)元件對應(yīng)的smith圖上的運動軌跡可作為調(diào)試的參考及對結(jié)果的初步判斷，而至于RF匹配電路實際調(diào)試過程中的注意事項，一般而言有五項：

1 .電感/電容值不要過小，原因是要維持匹配的穩(wěn)定性，因為電感/電容值會有誤差，以電容為例子，大概有±0.1pF的誤差，如果是一個容值為 0.3pF的電容，則誤差高達33%，其容值范圍為0.2pF~0.4pF，這可能會導(dǎo)致每片PCB的Tx/Rx Performance不一致，進而影響工廠量產(chǎn)時的良率。

2. 落地電容值不要過大，是因為依照容抗公式:

電容值越大，容抗越小，因此落地電容值過大，則可能會讓信號都流到地端。

3.電感/電容值不要過于冷門，原因是方便備料。若是常見的值，則所有廠家都會有，量產(chǎn)過程中，避免出現(xiàn)廠家缺料的情況。

4.盡可能設(shè)計成Low Pass Filter，原因是這樣可以抑制諧波。常用的 Low Pass Filter的組合如下:

圖8 Low Pass Filter組合

5.對一般消費電子產(chǎn)品而言，匹配電路整個頻帶的smith原圖軌跡需落在VSWR=2的圓內(nèi)，且其整個頻帶的阻抗軌跡盡可能收斂，這是最重要的原則，上述步驟，是以單一頻率點來做匹配，但最后看整個頻率范圍內(nèi)的Smith Chart軌跡，才能決定這一組匹配值可否采用。（如圖9和圖10）

圖9 Smith Chart軌跡

圖10 Smith Chart軌跡

六、小結(jié)

對于靠近PA或者DUP等射頻前端器件的匹配網(wǎng)絡(luò)大家都會預(yù)留，但在一些物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品設(shè)計中，由于產(chǎn)品尺寸較小又需要設(shè)計PCB板載天線，有些工程師為了節(jié)省空間而省掉了靠近天線端的匹配網(wǎng)絡(luò)，從而導(dǎo)致在RF性能的優(yōu)化過程中或者認證要求的雜散測試中束手無策，造成產(chǎn)品開發(fā)周期加長或者硬件設(shè)計的改版，得不償失。

因此，在實際的電路設(shè)計中，還是建議預(yù)留匹配電路，不管是射頻前端還是后端的部分。

另外，還存在這樣的一種可能，在將靠近天線端的匹配網(wǎng)絡(luò)作為“天線”的一部分進行調(diào)試時，雖然駐波比得到了優(yōu)化，但天線系統(tǒng)的效率反而會降低。所以，在整機環(huán)境較為惡劣的情況下，僅僅想依靠匹配網(wǎng)絡(luò)的調(diào)整去提升整機的無線性能會有一定的難度，而且會存在雜散超標的風(fēng)險。

調(diào)整匹配電路雖然能降低反射，但同樣會引入損耗，為了優(yōu)化性能多增加元器件，還有可能在生產(chǎn)制程上增加一些SMT issue的風(fēng)險。

為解釋一句情詩，寫2900字注釋。為做一項測試，終日與儀器為伴。沒錯，這就是班妹style。

班妹的愿望是大家在生產(chǎn)產(chǎn)品時，可以少走彎路少掉坑！產(chǎn)品研發(fā)階段，有關(guān)技術(shù)方面的內(nèi)容，可隨時找我討論，如果我知道的話，一定會盡力解答。另外，有測試需求的話，也可隨時找我喲~