具有自動(dòng)防擊穿保護(hù)的MOSFET器件在各種H橋配置中的應(yīng)用

MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。

一般采用一個(gè)高側(cè)（HS）功率MOSFET，M1和一個(gè)低側(cè)（LS）MOSFET，M2的配置來(lái)驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載（圖1）。當(dāng)HS FET開(kāi)啟，LS FET關(guān)閉時(shí)，從電源VCC出來(lái)的電流經(jīng)電感L0流出。當(dāng)HS FET關(guān)閉，LS FET開(kāi)啟時(shí)，電感電流繼續(xù)同時(shí)從零點(diǎn)流入L0。

當(dāng)HS和LS功率FET同時(shí)開(kāi)啟時(shí)，會(huì)發(fā)生所謂擊穿的嚴(yán)重短路的情況。即使我們從未打算同時(shí)開(kāi)啟兩個(gè)FET，也可能發(fā)生擊穿。例如，當(dāng)指令開(kāi)啟HS FET，關(guān)閉LS FET時(shí)，邏輯傳播延遲，當(dāng)HS FET半開(kāi)啟，LS FET半關(guān)閉時(shí)，給FET的門(mén)電容充電或放電需要一個(gè)較短的時(shí)間。如果這樣，電流直接從VCC經(jīng)過(guò)兩個(gè)FET流入GND（擊穿）。

圖1中，將我們?yōu)樽詣?dòng)防故障MOSFET擊穿保護(hù)所做的設(shè)計(jì)嵌入到半H橋拓?fù)?。HS_ON信號(hào)通過(guò)HS驅(qū)動(dòng)器開(kāi)啟和關(guān)閉HS FET，它是由一個(gè)數(shù)字微控制器或由一個(gè)含有比較器或錯(cuò)誤放大器的反饋回路產(chǎn)生的。

HS驅(qū)動(dòng)器將低功率邏輯水平信號(hào)轉(zhuǎn)化為高功率HS_ON信號(hào)。同樣，LS_ON信號(hào)通過(guò)LS驅(qū)動(dòng)器開(kāi)啟和關(guān)閉LS FET。電路通過(guò)使兩個(gè)功率MOSFET具有正確的順序，來(lái)控制馬達(dá)系統(tǒng)或者三相調(diào)節(jié)器。

該保護(hù)配置自動(dòng)檢測(cè)到HS和LS FET的傳導(dǎo)狀態(tài)。除非LS器件完全關(guān)閉，HS FET禁止開(kāi)啟，反之亦然。我們的反擊穿設(shè)計(jì)在正常工作過(guò)程中充分保護(hù)了MOSFET H橋，在系統(tǒng)中有多個(gè)噪聲干擾或者錯(cuò)誤控制程序的情況下，保證了自動(dòng)防故障的運(yùn)行。

為了開(kāi)啟HS FET，系統(tǒng)將信號(hào)HS_ON設(shè)為高值。這個(gè)設(shè)計(jì)是這樣的：如果LS FET關(guān)閉（在此后更久），HS_EN為高值。HS_ON高值致使鎖LSR0裝置的輸出端QZ（LS_EN）為低值，使得LS FET不工作。同樣應(yīng)這種HS_ON的要求，HS驅(qū)動(dòng)器通過(guò)用電壓穿過(guò)HS FET的門(mén)和源極（VGS）來(lái)開(kāi)啟它。

通過(guò)HS VGS監(jiān)測(cè)器來(lái)檢測(cè)HS FET的開(kāi)啟狀態(tài)，所以HS_IS_ON的信號(hào)探測(cè)到是高值，LS_EN_RST保持為低值。最終結(jié)果是LS_EN保持低值，而不允許開(kāi)啟LS FET。只要HS FET開(kāi)啟，LS FET就不可以運(yùn)行。為了使該配置運(yùn)行，HS_ON必須用于NOR門(mén)（NOR0）輸入。這也確保只要HS_ON為高值時(shí)，LS_EN就得保持低值。

正常條件下，當(dāng)準(zhǔn)備開(kāi)啟或已開(kāi)啟HS FET時(shí)，HS_ON 和 HS_IS_ON足夠保持LS FET關(guān)閉。實(shí)際應(yīng)用中，噪聲干擾（或系統(tǒng)錯(cuò)誤）的出現(xiàn)常常會(huì)在控制信號(hào)中產(chǎn)生小故障，由于驅(qū)動(dòng)器和VGS監(jiān)測(cè)器（邏輯型）的有限響應(yīng)時(shí)間，使得HS_IS_ON不可靠（VGS監(jiān)測(cè)器失效）。在這種情況下，LS_EN_BLANK保證了自動(dòng)防故障的運(yùn)行，如下所述。

每次HS_ON從低值轉(zhuǎn)為高值時(shí)，一個(gè)邊緣探測(cè)器（R0， C3， AND4）產(chǎn)生了一個(gè)短時(shí)間的20-ns的脈沖來(lái)開(kāi)啟M0，開(kāi)始一個(gè)脈沖周期（M0， C2， INV0），輸出一個(gè)150-ns的 LS_EN_BLANK脈沖來(lái)使LS_EN在低值保持150ns。在這個(gè)150ns中，任何企圖開(kāi)啟LS FET的操作都是反常的不安全的操作。因此，LS FET穩(wěn)定地保持關(guān)閉。I3UA是一個(gè)給C2充電的3-？A的電流源。由于20ns的短觸發(fā)脈沖，150ns過(guò)后是再次觸發(fā)。這確保即使在HS_ON線(xiàn)上出現(xiàn)多干擾小故障的情況下，該保護(hù)電路能正常運(yùn)行。

躍然我們這里以150ns為例，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)脈沖周期必須長(zhǎng)于HS VGS監(jiān)測(cè)器和HS驅(qū)動(dòng)器，包括所有寄生元件貢獻(xiàn)的總信號(hào)傳播延遲。但是這一周期的長(zhǎng)度要短于正常的HS_ON脈沖寬度，以避免干擾正常運(yùn)行。為了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，用鎖LSR0作為低通濾波器來(lái)過(guò)濾控制回路中的噪聲。

在圖2中，信號(hào)的第一欄（左邊）表示正常運(yùn)行。信號(hào)名對(duì)應(yīng)圖1。當(dāng)HS_ON走高，命令驅(qū)動(dòng)器開(kāi)啟HS FET時(shí)，HS_FET_G-HS_FET_S升高。監(jiān)測(cè)電路探測(cè)到后，正確地顯示HS_IS_ON從而關(guān)閉LS FET（LS_EN為低值），直到HS FET完全關(guān)閉之后（HS_FET_G-HS_FET_S 接近零）。

信號(hào)的第二欄（右邊）表示反常運(yùn)行。當(dāng)HS_ON指令由于噪聲或固件失靈而過(guò)早停止時(shí)，HS FET處于半開(kāi)狀態(tài)。HS監(jiān)測(cè)器不能探測(cè)到這個(gè)HS FET處于開(kāi)啟狀態(tài)，因?yàn)樗挠邢揄憫?yīng)時(shí)間，所以它錯(cuò)誤地顯示HS_IS_ON為低值。沒(méi)有LS_EN_ BLANK，LS_EN信號(hào)將會(huì)變高，允許系統(tǒng)在HS FET仍半開(kāi)時(shí)開(kāi)啟LS FET。由于LS_EN_ BLANK脈沖，LS_EN保持150ns的低值，允許HS FET門(mén)電壓在LS_EN成為高值之間設(shè)為低值。結(jié)果避免了擊穿。

出于簡(jiǎn)單，圖1省去了驅(qū)動(dòng)HS_EN的電路塊。簡(jiǎn)單地采用相同的電路發(fā)出LS_EN信號(hào)監(jiān)測(cè)LS_FET_G，以及LS_ON信號(hào)產(chǎn)生HS_EN信號(hào)。

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