ROHM新增高效MOS智能功率模塊，助于應(yīng)用整體實(shí)現(xiàn)節(jié)能

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出滿足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機(jī)低功耗化需求的高效MOS-IPM（Intelligent Power Module）“BM65364S-VA/-VC（額定電流15A、耐壓600V）”，產(chǎn)品陣容更加豐富。

此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品搭載了ROHM生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻MOSFET“PrestoMOS？※ ”，而且還利用了ROHM獨(dú)有的LSI控制技術(shù)，使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過(guò)實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低功耗化，不僅有助于應(yīng)用實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步節(jié)能化，還能通過(guò)IPM產(chǎn)品的解決方案降低設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

本產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始出售樣品，預(yù)計(jì)于2015年8月份開(kāi)始以月產(chǎn)3萬(wàn)片的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM濱松株式會(huì)社（靜岡縣）、ROHM Apollo Co.， Ltd.（福岡縣）、ROHM Wako Co.， Ltd.（岡山縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems （Thailand） Co.， Ltd.（泰國(guó)）。

＜背景＞

近年來(lái)，節(jié)能化趨勢(shì)日益加速，在這個(gè)大背景下，隨著日本節(jié)能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標(biāo)識(shí)APF（Annual Performance Factor），不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節(jié)能，要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更節(jié)能的趨勢(shì)日益高漲。

而為了減輕這種節(jié)能家電的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)，較標(biāo)準(zhǔn)的做法是采用將建構(gòu)系統(tǒng)所需的功率元器件和控制IC等集成于單芯片化的IPM。

＜新產(chǎn)品詳情＞

此次ROHM通過(guò)采用以往的MOSFET很難實(shí)現(xiàn)的可支持更大電流的自產(chǎn)PrestoMOS？，大大降低導(dǎo)通損耗，實(shí)現(xiàn)了IPM的產(chǎn)品化。不僅如此，還通過(guò)融合ROHM獨(dú)家擁有的柵極驅(qū)動(dòng)器電路技術(shù)，使在低電流范圍的損耗相比IGBT-IPM降低約43%。業(yè)界頂級(jí)的低功耗，非常有助于應(yīng)用整體實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步節(jié)能。

另外，還通過(guò)ROHM獨(dú)有的電路與封裝技術(shù)，確立了構(gòu)建變頻器所需的各種元器件的綜合可靠性，實(shí)現(xiàn)IPM化，還有助于減輕系統(tǒng)的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

因?yàn)樗钶d的芯片全部為ROHM的生產(chǎn)，因此不僅可以提供高品質(zhì)的產(chǎn)品，還沒(méi)有供貨方面的擔(dān)憂，客戶可安心使用。

＜特點(diǎn)＞

1．采用可支持大電流的PrestoMOS？，實(shí)現(xiàn)節(jié)能

現(xiàn)在，以家庭內(nèi)功耗比率較高的空調(diào)變頻器為首，需要支持大電流的設(shè)備中一般都會(huì)使用IGBT-IPM，但旨在使設(shè)備實(shí)現(xiàn)更高效率的努力從未停止。

一般MOSFET具有在高速開(kāi)關(guān)條件下和低電流范圍內(nèi)的導(dǎo)通損耗較低的優(yōu)勢(shì)，具有降低設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的功耗的效果。通過(guò)開(kāi)發(fā)出可支持大電流的MOS-IPM，可使設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更加節(jié)能。

2．通過(guò)搭載使用了ROHM獨(dú)有的電路技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器LSI，實(shí)現(xiàn)高效化

采用PrestoMOS？，并利用ROHM獨(dú)創(chuàng)的柵極驅(qū)動(dòng)器電路技術(shù)，通過(guò)導(dǎo)入ROHM獨(dú)有的柵極驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)了IPM產(chǎn)品進(jìn)一步的高效化。例如，通過(guò)導(dǎo)入防止高電壓條件下高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作容易產(chǎn)生的MOSFET誤動(dòng)作的電路，實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，并且可以降低開(kāi)關(guān)損耗。而且，考慮到開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的噪音，還優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和噪音的平衡關(guān)系，使可最大限度充分發(fā)揮PrestoMOS？性能的柵極驅(qū)動(dòng)成為現(xiàn)實(shí)。

3．通過(guò) IPM化，減輕高效系統(tǒng)的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)

采用ROHM獨(dú)創(chuàng)的高散熱封裝技術(shù)將構(gòu)建變頻器系統(tǒng)所需的柵極驅(qū)動(dòng)器和組成變頻器部分的MOSFET一體化封裝。

另外，本產(chǎn)品在優(yōu)化了功率元器件驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，為使客戶安心使用，還搭載了各種重要的保護(hù)功能，從而可減輕客戶的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

IPM（Intelligent Power Module）

將功率元器件以及具有控制它們的功能的元器件（IC等）模塊化的產(chǎn)品。PrestoMOS？

低導(dǎo)通電阻、低Qg、實(shí)現(xiàn)內(nèi)部二極管的高速trr的ROHM生產(chǎn)的 MOSFET系列產(chǎn)品之一。IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistors）

與MOSFET一樣，是通過(guò)向柵極施加電壓進(jìn)行控制的元器件，也是利用雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特點(diǎn)的元器件。APF（Annual Performance Factor）

全年使用家用空調(diào)時(shí)的能效比。數(shù)值越大節(jié)能性能越好。