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QLC閃存是否會取代TLC成為新一代的主流閃存?

臺電存儲 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-11 16:06 ? 次閱讀

想當(dāng)年TLC閃存剛剛出現(xiàn)的時候,眾人嗤之以鼻的態(tài)度,而如今3D TLC終歸還是成為了市場的絕對主流。而將目光看向眼前的未來,QLC閃存是否也會最終取代TLC成為新一代的主流閃存?

QLC即Quad-Level Cell,每單元存儲4位的數(shù)據(jù),容量上是SLC的四倍。為了達(dá)到如此大的數(shù)據(jù)存儲量,其控制難度和精確度需求相當(dāng)之高,因此其性能和耐久度與前代相比會有一定程度降低,但是每GB存儲空間的成本也隨著單顆粒的容量密度提高而降低,從而降低成本。

對于大家都關(guān)心的QLC的性能下降問題,到底是不是真的很嚴(yán)重呢?著名半導(dǎo)體公司美光給出了參考。圖上分別是使用美光TLC和QLC閃存顆粒的7680GB固態(tài)硬盤。兩者讀取性能相當(dāng),都頂?shù)搅?a target="_blank">SATA接口的極限,寫入性能上QLC只有360MB/s,IOPS下降接近一半??傮w看來,性能有一定程度的下降。

除了性能,耐久度也是QLC顆粒被詬病的一點。相比于美光給出的1000P/E,另一閃存大牌在閃存峰會上表示96層的3D QLC可以達(dá)到1500P/E。實際使用測試中,即使超過1500P/E也沒有明顯劣化。所以壽命還是可以的。

回到一開始的問題上,QLC是否會取代TLC?以目前的發(fā)展趨勢,與其說取代TLC,QLC的任務(wù)更應(yīng)該是取代機(jī)械硬盤。結(jié)合復(fù)雜、高負(fù)載情況下的寫入性能下降嚴(yán)重而讀取性能依然不錯的特點以及容量遠(yuǎn)超其他固態(tài)硬盤的特性,QLC固態(tài)硬盤更適合用作寫入少,讀取多的倉庫盤而并非頻繁讀寫的系統(tǒng)盤,TLC固態(tài)硬盤則不會受影響,依然是系統(tǒng)盤中的消費級主流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:步步逼近的QLC閃存顆粒真的可靠嗎?

文章出處:【微信號:gh_59da4a650b34,微信公眾號:臺電存儲】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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