本文主要是關于NOR Flash的相關介紹,并著重對NOR Flash原理及其燒寫進行了詳盡的闡述。
NOR Flash
NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術,徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結構,強調降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點是芯片內執(zhí)行(XIP ,eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的寫入速度比NOR快很多,在設計中應該考慮這些情況?!?a target="_blank">ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)從入門到精通》 李亞峰 歐文盛 等編著 清華大學出版社 P52 注釋 API Key
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數(shù)情況下,在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距,統(tǒng)計表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時,設計師必須權衡以下的各項因素。l 、NOR的讀速度比NAND稍快一些。2、 NAND的寫入速度比NOR快很多。3 、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。4 、大多數(shù)寫入操作需要先進行擦除操作。5 、NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。此外,NAND的實際應用方式要比NOR復雜的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接運行代碼;而NAND需要I/O接口,因此使用時需要驅動程序。不過當今流行的操作系統(tǒng)對NAND結構的Flash都有支持。此外,Linux內核也提供了對NAND結構的Flash的支持。
J-Link
J-Link是SEGGER公司為支持仿真ARM內核芯片推出的JTAG仿真器。配合IAR EWAR,ADS,KEIL,WINARM,RealView等集成開發(fā)環(huán)境支持所有ARM7/ARM9/ARM11,Cortex M0/M1/M3/M4, Cortex A5/A8/A9等內核芯片的仿真,與IAR,Keil等編譯環(huán)境無縫連接,操作方便、連接方便、簡單易學,是學習開發(fā)ARM最好最實用的開發(fā)工具。產(chǎn)品規(guī)格:電源USB供電,整機電流 《50mA 支持的目標板電壓 1.2 ~ 3.3V,5V兼容 目標板供電電壓 4.5 ~ 5V (由USB提供5V) 目標板供電電流 最大300mA,具有過流保護功能 工作環(huán)境溫度 +5℃~ +60℃ 存儲溫度 -20℃ ~ +65℃ 濕度 《90%尺寸(不含電纜) 100mm x 53mm x 27mm 重量(不含電纜)70g 電磁兼容 EN 55022, EN 5502 。
主要特點
* IAR EWARM集成開發(fā)環(huán)境無縫連接的JTAG仿真器。
*支持CPUs: Any ARM7/9/11, Cortex-A5/A8/A9, Cortex-M0/M1/M3/M4, Cortex-R4, RX610, RX621, RX62N, RX62T, RX630, RX631, RX63N。
*下載速度高達1 MByte/s。
*最高JTAG速度15 MHz。
*目標板電壓范圍1.2V –3.3V,5V兼容。
*自動速度識別功能。
*監(jiān)測所有JTAG信號和目標板電壓。
*完全即插即用。
*使用USB電源(但不對目標板供電)
*帶USB連接線和20芯扁平電纜。
*支持多JTAG器件串行連接。
*標準20芯JTAG仿真插頭。
*選配14芯JTAG仿真插頭。
*選配用于5V目標板的適配器。
*帶J-Link TCP/IP server,允許通過TCP/ IP網(wǎng)絡使用J-Link。
產(chǎn)品規(guī)格
電源: USB供電,整機電流《 50mA 。
USB接口: USB 2.0全速12Mbps。
目標板接口: JTAG (20P)
支持的目標板電壓: 1.2 – 3.3V,5V兼容。
目標板供電電壓: 4.5 – 5V (由USB提供5V)
目標板供電電流: 最大300mA,具有過流保護功能。
工作環(huán)境溫度: +5°C 。。. +60°C。
存儲溫度: -20°C 。。. +65 °C。
濕度: 《90%
尺寸(不含電纜): 100mm x 53mm x 27mm。
重量(不含電纜): 80g。
電磁兼容: EN 55022, EN 55024。
基于J-Link直接燒寫NOR Flash的辦法
本步驟適合Mini 2440 / micro 2440 / TQ 2440 / OK 2440-Ⅲ / FL 2440開發(fā)板燒寫Nor Flash。
一、確認J-Link能否識別ARM核
(1)開發(fā)板斷電
(2)將J-Link通過JTAG排線插在開發(fā)板的JTAG接口座上,另外一頭插在筆記本的USB口
(3)開發(fā)板上電
(4)運行J-Link Commander程序
(5)輸入usb并回車
如上圖所示,代表能識別ARM核。
如果上述窗口顯示的信息是:Could not find supported CPU core on JTAG chain,說明當前的操作J-Link不能識別CPU??梢酝ㄟ^下面三種情況來依次排除問題:
(1)轉接板的插針沒有對齊J-Link的20針。重新拔插轉接板,并嚴格對齊每一針,重新插好,然后再測試
(2)換一根USB延長線,可以直接用2440開發(fā)板盒子里白色的USB線,替換掉黑色的USB線,插在J-Link上連接筆記本的USB口,然后重新測試
(3)替換JTAG排線,可以直接用2440開發(fā)板盒子里的JTAG排線,然后重新測試
二、燒寫Nor Flash
(1)將開發(fā)板S1跳線打到Nor,然后接上J-Link,一頭插在底板的JTAG插座上,J-Link另一頭接PC的USB口,然后給開發(fā)板上電
(2)打開J-Flash ARM工具(開始 -》 SEGGER -》 J-Link ARM V4.40 -》 J-Flash ARM)
(3)File -》 Open project,打開s3c2440a_embedclub.jflash
(4)Options -》 Project settings,選擇Flash,點擊Select flash device,選中開發(fā)板對應的Nor Flash芯片型號。例如S29AL016JXXXXXX2(此型號標注在開發(fā)板的Nor Flash芯片上)
(5)Target -》 Connect
(6)File -》 Open data file,打開需要下載的映像文件,例如Superboot2440.bin或者u-boot.bin
注意:這里支持的格式為.bin,如果下載的是supervivi-128M的話,需要修改后綴為supervivi-128M.bin
文件打開后,會彈出下載地址對話框,直接輸入0即可。
點擊OK后如下圖所示
開發(fā)板斷電,拔掉J-Link,再重新上電,此時在SecureCRT中將顯示Superboot啟動的消息
結語
關于NOR Flash的相關介紹就到這了,如有不足之處歡迎指正。
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