norflash存儲器常見的8個(gè)特征是什么

本文主要是關(guān)于norflash的相關(guān)介紹，并著重對norflash的特征進(jìn)行了詳盡的闡述。

norflash存儲器常見的8個(gè)特征是什么

NOR Flash

NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片，數(shù)據(jù)掉電不會丟失.NOR FLASH支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH片內(nèi)執(zhí)行（這意味著存儲在NOR FLASH上的程序不需要復(fù)制到RAM就可以直接運(yùn)行）。這點(diǎn)和NAND FLASH不一樣。因此，在嵌入式系統(tǒng)中，NOR FLASH很適合作為啟動(dòng)程序的存儲介質(zhì).NOR FLASH的讀取和RAM很類似（只要能夠提供數(shù)據(jù)的地址，數(shù)據(jù)總線就能夠正確的給出數(shù)據(jù)），但不可以直接進(jìn)行寫操作。對NOR FLASH的寫操作需要遵循特定的命令序列，最終由芯片內(nèi)部的控制單元完成寫操作。

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

像“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。

NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP， eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。

接口差別

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。

NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。

NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。

容量成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。

NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC（多媒體存儲卡Multi Media Card）存儲卡市場上所占份額最大。

可靠耐用

采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF（平均故障間隔時(shí)間Mean Time Between Failures）的系統(tǒng)來說，F(xiàn)lash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖陀眯裕?、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性。

壽命（耐用性）

在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

位交換

所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下（很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多），一個(gè)比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。

一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問題，多讀幾次就可能解決了。

當(dāng)然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測/錯(cuò)誤更正（EDC/ECC）算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。

這個(gè)問題對于用NAND存儲多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。

壞塊處理

NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。

NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。

易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。

由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。

在使用NAND器件時(shí)，必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

軟件支持

當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。

在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序（MTD），NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD（Memory Technology Devices）。

使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。

驅(qū)動(dòng)還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。

NOR Flash擦寫及原理

NOR FLASH的讀取和RAM很類似（只要能夠提供數(shù)據(jù)的地址，數(shù)據(jù)總線就能夠正確的給出數(shù)據(jù)），但不可以直接進(jìn)行寫操作。對NOR FLASH的寫操作需要遵循特定的命令序列，最終由芯片內(nèi)部的控制單元完成寫操作。

從支持的最小訪問單元來看，NOR FLASH一般分為 8 位的和16位的（當(dāng)然，也有很多NOR FLASH芯片同時(shí)支持8位模式和是16 位模式，具體的工作模式通過特定的管腳進(jìn)行選擇）。

對8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片來說，一個(gè)地址對應(yīng)一個(gè)BYTE（8-BIT）的數(shù)據(jù)。例如一塊8-BIT的NOR FLASH，假設(shè)容量為4個(gè)BYTE.那芯片應(yīng)該有8個(gè)數(shù)據(jù)信號D7-D0 和2個(gè)地址信號，A1-A0.地址0x0對應(yīng)第0個(gè) BYTE，地址0x1對應(yīng)于1BYTE，地址0x2對應(yīng)于第2個(gè)BYTE，而地址0x3則對應(yīng)于第3 個(gè)BYTE.對16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片來說，一個(gè)地址對應(yīng)于一個(gè)HALF-WORD（16-BIT）的數(shù)據(jù)。例如，一塊16-BIT的 NOR FLASH，假設(shè)其容量為4個(gè)BYTE.那芯片應(yīng)該有16 個(gè)數(shù)據(jù)信號線D15-D0 和1個(gè)地址信號A0.地址 0x0對應(yīng)于芯片內(nèi)部的第0個(gè)HALF-WORD，地址0x1對應(yīng)于芯片內(nèi)部的第1個(gè) HALF-WORD

FLASH一般都分為很多個(gè)SECTOR，每個(gè)SECTOR包括一定數(shù)量的存儲單元。對有些大容量的FLASH，還分為不同的BANK，每個(gè)BANK包括一定數(shù)目的SECTOR.FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片F(xiàn)LASH為單位的。

在對FLASH進(jìn)行寫操作的時(shí)候，每個(gè)BIT可以通過編程由1變?yōu)?，但不可以有0修改為1.為了保證寫操作的正確性，在執(zhí)行寫操作前，都要執(zhí)行擦除操作。擦除操作會把FLASH的一個(gè)SECTOR，一個(gè)BANK或是整片F(xiàn)LASH的值全修改為0xFF.這樣，寫操作就可以正確完成了。

由于NOR FLASH沒有本地壞區(qū)管理，所以一旦存儲區(qū)塊發(fā)生毀損，軟件或驅(qū)動(dòng)程序必須接手這個(gè)問題，否則可能會導(dǎo)致設(shè)備發(fā)生異常。 在解鎖、抹除或?qū)懭隢OR FLASH區(qū)塊時(shí)，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區(qū)的第一頁（Page）。接著快閃記憶芯片會提供可用的指令清單給實(shí)體驅(qū)動(dòng)程序，而這些指令是由一般性閃存接口（CommON FLASH memory Interface， CFI）所界定的。 與用于隨機(jī)存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存儲設(shè)備上;不過與NAND FLASH相比，NOR FLASH的寫入速度一般來說會慢很多。

2. NOR Flash的燒寫方式

以下內(nèi)容，如無特別說明，處理器指的是 ARM 處理器，F(xiàn)LASH 指的都是 NOR FLASH.另外，BYTE指的是8-BIT的數(shù)據(jù)單元，HALF-WORD代表的是16-BIT的數(shù)據(jù)單元，而WORD 則代表了32-BIT的數(shù)據(jù)單元。

2.1 處理器尋址

ARM 可以說是目前最流行的32位嵌進(jìn)式處理器。在這里只提一下ARM處理器的尋址，為后面做個(gè)展墊。從處理器的角度來看，系統(tǒng)中每個(gè)地址對應(yīng)的是一個(gè)BYTE的數(shù)據(jù)單元。這和很多別的處理器都是一樣的。

2.2 處理器和NOR FLASH的硬件連接

從前面的先容，我們知道從處理器的角度來看，每個(gè)地址對應(yīng)的是一個(gè) BYTE 的數(shù)據(jù)單元。而，NOR FLASH 的每個(gè)地址有可能對應(yīng)的是一個(gè)BYTE的數(shù)據(jù)單元，也有可能對應(yīng)的是一個(gè)HALF-WORD的數(shù)據(jù)單元。所以在硬件設(shè)計(jì)中，連接ARM處理器和 NOR FLASH時(shí)，必須根據(jù)實(shí)際情況對地址信號做特別的處理。

假如ARM處理器外部擴(kuò)展的是8-BIT的NOR FLASH， 數(shù)據(jù)線和地址線的連接應(yīng)該如圖1所示。 從圖中我們可以看到，處理器的數(shù)據(jù)信號D0-D7和 FLASH的數(shù)據(jù)信號D0-D7是逐一對應(yīng)連接的，處理器的地址信號A0-An和NOR FLASH的地址信號A0-An 也是逐一對應(yīng)連接的。

假如ARM處理器外部擴(kuò)展的是16-BIT的NOR FLASH， 地址線必須要錯(cuò)位連接。 圖2給了一個(gè)ARM處理器和16-BIT NOR FLASH的連接示意圖。如圖2所示，ARM處理器的數(shù)據(jù)信號D0-D15和FLASH 的數(shù)據(jù)信號D0-D15是逐一對應(yīng)的。而ARM處理器的地址信號和NOR FLASH 的地址信號是錯(cuò)位連接的，ARM的A0懸空，ARM 的A1 連接FLASH 的A0，ARM 的A2連接FLASH的A1，依次類推。需要錯(cuò)位連接的原因是：ARM處理器的每個(gè)地址對應(yīng)的是一個(gè)BYTE 的數(shù)據(jù)單元，而 16-BIT 的 FLASH 的每個(gè)地址對應(yīng)的是一個(gè)HALF-WORD（16-BIT）的數(shù)據(jù)單元。為了保持匹配，所以必須錯(cuò)位連接。這樣，從ARM處理器發(fā)送出來的地址信號的最低位A0對16-BIT FLASH來說就被屏蔽掉了。

NOR Flash的燒寫方式 - 懵懂者 - 懵懂者的隨便寫

補(bǔ)充說明：

一般來說，ARM處理器內(nèi)部要設(shè)置相應(yīng)的寄存器，告訴處理器外部擴(kuò)展的FLASH的位寬（8-BIT/16-BIT/32-BIT） 。這樣，處理器才知道在訪問的時(shí)候如何從FLASH正確的讀取數(shù)據(jù);

有些ARM處理器內(nèi)部可以設(shè)置地址的錯(cuò)位。對于支持軟件選擇地址錯(cuò)位的處理器，在連接16-BIT FLASH的時(shí)候，硬件上可以不需要把地址線錯(cuò)位。讀者設(shè)計(jì)的時(shí)候，請參考MCU的數(shù)據(jù)手冊，以手冊為準(zhǔn)，以免造成不必要的麻煩;

假如處理器支持內(nèi)部設(shè)置地址錯(cuò)位，在實(shí)際訪問的時(shí)候，送出的地址實(shí)際上是在MCU內(nèi)部做了錯(cuò)位處理，其作用是等效于硬件連接上的錯(cuò)位的。

上面的描述可能比較抽象，下面讓我們來看2個(gè)ARM處理器訪問16-BIT FLASH的例子：

例子 1:ARM處理器需要從地址0x0讀取一個(gè)BYTE

ARM處理器在地址線An-A0上送出信號0x0;

16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址是0x0，然后將地址0x0對應(yīng)的16-BIT數(shù)據(jù)單元輸出到D15-D0上;

ARM處理器知道訪問的是16-BIT的FLASH，從D7-D0上讀取所需要的一個(gè)BYTE的數(shù)據(jù)。

例子 2:ARM處理器需要從地址0x1讀取一個(gè)BYTE

ARM處理器在地址線An-A0上送出信號0x1;

16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址依然是0x0， 然后將地址0x0對應(yīng)的16-BIT數(shù)據(jù)單元輸出到D15-D0上;

ARM處理器知道訪問的是16-BIT的FLASH，從D15-D8 上讀取所需要的一個(gè)BYTE 的數(shù)據(jù)。

2.3 從軟件角度來看 ARM 處理器和 NOR FLASH 的連接

從軟件的角度來理解ARM處理器和 FLASH的連接。對于8-BIT的FLASH的連接，很好理解，由于ARM處理器和8-BIT FLASH的每個(gè)地址對應(yīng)的都是一個(gè) BYTE 的數(shù)據(jù)單元。所以地址連接毫無疑問是逐一對應(yīng)的。假如 ARM 處理器連接的是 16-BIT 的處理器，由于 ARM 處理器的每個(gè)地址對應(yīng)的是一個(gè) BYTE 的數(shù)據(jù)單元，而 16-BIT FLASH 的每個(gè)地址對應(yīng)的是一個(gè) HALF-WORD 的16-BIT的數(shù)據(jù)單元。所以，也毫無疑問，ARM處理器訪問16-BIT處理器的時(shí)候，地址肯定是要錯(cuò)開一位的。在寫FLASH驅(qū)動(dòng)的時(shí)候，我們不需要知道地址錯(cuò)位是由硬件實(shí)現(xiàn)的，還是是通過設(shè)置ARM處理器內(nèi)部的寄存器來實(shí)現(xiàn)的，只需要記住2點(diǎn)：

ARM處理器訪問8-BIT FLASH的時(shí)候，地址是逐一對應(yīng)的;

ARM處理器訪問16-BIT FLASH的時(shí)候，地址肯定是錯(cuò)位的。

2.4 8-BIT FLASH 燒寫驅(qū)動(dòng)實(shí)例 - HY29F040

HY29F040是現(xiàn)代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在這個(gè)小節(jié)里，我們以這個(gè)芯片為例子，講述如何對8-BIT NOR FLASH進(jìn)行操作。

HY29F040的容量為512K-BYTE，總共包括8 個(gè)SECTOR，每個(gè)SECTOR 的容量是64K-BYTE.該芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以BYTE 為基本單位的寫操縱.HY29F040的命令定義如表-1所示。

下面，我們來看看如何實(shí)現(xiàn)基本的擦除和編程操作。在本節(jié)后面的描述中，我們使用了下面的2 個(gè)定義：

U32 sysbase; //該變量用來表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr8（sysbase， offset） （（volatile U8*）（sysbase）+（offset）） //用來方便對指定的 FALSH 地址進(jìn)行操作

宏SysAddr8定義了一個(gè) BYTE（8-BIT）指針，其地址為（sysbase + offset）。假設(shè)FLASH的起始地址為0x10000000，假如要將

0xAB寫到FLASH的第一個(gè)BYTE中往，可以用下面的代碼：

*SysAddr8（0x10000000， 0x1） = 0xAB;

注意：

在本節(jié)后面的描述中，sysbase代表的是FLASH的起始地址，而SysAddr8中的offset則代表了相對于FLASH起始地址的BYTE偏移量.offset也是8-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。

a. 整片擦除操作

整片擦除操縱共需要6個(gè)周期的總線寫操作：

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x10 寫到 FLASH 地址 0x5555.

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x80; //將值 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x10; //將值 0x10 寫到 FLASH 地址 0x5555

b. SECTOR擦除操作

SECTOR的擦除操縱共需要6個(gè)周期的總線寫操作：

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x30 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的地址。

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x80; //將值 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， addr） = 0x30; //將值 0x30 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的地址

c. BYTE擦除操作

寫一個(gè)BYTE 的數(shù)據(jù)到FLASH中往，需要 4個(gè)周期的總線寫操作：

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0xA0 寫到 FLASH 地址 0x5555;

將編程數(shù)據(jù)（BYTE）寫到對應(yīng)的編程地址上。

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xA0; //將值 0xA0 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， addr） = data; //將一個(gè) BYTE的數(shù)據(jù)寫到期看的地址

2.5 16-BIT FLASH 燒寫驅(qū)動(dòng)實(shí)例 - SST39VF160

SST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH. 在這個(gè)小節(jié)里， 我們以SST39VF160為例子， 講述如何對16-BIT NOR FLASH進(jìn)行操作。對8-BIT FLASH的操作很好理解，但對16-BIT FLASH的操作理解起來要晦澀很多。我盡力描述得清楚些。

SST39VF160的容量為2M-BYTE ， 總共包括512個(gè)SECTOR， 每個(gè)SECTOR 的容量是4K-BYTE. 該芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以 HALF-WORD 為基本單位的寫操縱.SST39VF160 的命令定義如表-2 所示。在表 2 中，由于所有命令都是從FLASH的角度來定義的。 所以， 所有的地址都是HALF-WORD地址， 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。

在本節(jié)后面的描述中，我們使用了下面的2個(gè)定義：

U32 sysbase; //該變量用來表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr16（sysbase， offset） （（volatile U16*）（sysbase）+（offset）） //用來方便對指定的 FALSH 地址進(jìn)行操作

SysAddr16（sysbase， offset）首先定義了一個(gè)16-BIT HALF-WORD的指針，指針的地址為sysbase，然后根據(jù)offset做個(gè)偏移操縱。 由于HALF-WORD指針的地址是2個(gè)BYTE對齊的， 所以每個(gè)偏移操縱會使得地址加2. 終極， SysAddr16 （sysbase， offset）相當(dāng)于定義了一個(gè)HALF-WORD的指針，其終極地址為（sysbase + 2offset） 。在使用SysAddr16的時(shí)候，將sysbase設(shè)置成 FLASH 的起始地址，offset 則可以理解為相對于 FLASH 起始地址的HALF-WORD 偏移量或是偏移地址。假設(shè)FLASH 的起始地址為 0x10000000，SysAddr16（0x10000000， 0）指向 16-BIT FLASH 的第 0 個(gè)HALF-WORD， SysAddr16（0x10000000， 1指向16-BIT FLASH的第1個(gè)HALF-WORD.依次類推。假如要將0xABCD分別寫到FLASH 的第0個(gè)和第 1個(gè)HALF-WORD 中往，可以用下面的代碼：

*SysAddr16（0x10000000， 0x0） = 0xABCD;

*SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD;

接下來，我們分別從ARM處理器的角度和FLASH的角度來具體分析一下。

從 ARM 的角度來看：

假設(shè) FLASH 的起始地址為 0x10000000，由于 ARM 處理器知道 FLASH 的地址空間為 0x10000000 ~ （0x10000000 +FLASH容量 – 1），所以在對這個(gè)地址空間進(jìn)行訪問的時(shí)候，會設(shè)置好FLASH的片選信號，并將低位的地址輸出到 地址信號上。以*SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD 為例。從ARM 處理器的角度來看，該操縱是把0xABCD寫到地址0x10000002上往。所以ARM處理器終極會在它的地址信號An-A0輸出地址0x2，同時(shí)會在D15-D0 上輸出0xABCD.

從 FLASH 的角度來看：

還是以 *SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD 為例，F(xiàn)LASH看到的地址是多少呢？接著分析.ARM 處理器在執(zhí)行操縱的時(shí)候，會設(shè)置好相應(yīng)的FLASH片選使能信號，并在ARM的地址信號An-A0上輸出 0x2.由于 ARM和 16-BIT FLASH的地址信號的連接是錯(cuò)開一位的， 所以， FLASH終極在自己的地址An-A0上看到的信號是0x1， 相當(dāng)于將ARM處理器輸出的地址往右做了一個(gè)移位操縱，恰好對應(yīng)的是FLASH的第1 個(gè)HALF-WORD.同時(shí)，F(xiàn)LASH會在自己的D15-D0上看到數(shù)據(jù)0xABCD.

通過上面的分析，我們知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是 16-BIT FLASH 在自己的地址 An-A0 上看到的值。所以，我們可以很方便的通過 SysAddr16（sysbase， offset） 對 FLASH 進(jìn)行操縱，其中 sysbase 代表 FLASH 起始地址，offset 則代表了FLASH 的第幾個(gè)HALF-WORD（HALF-WORD偏移量或偏移地址）

注意：

在本節(jié)后面的描述中，SysAddr16中的 SYSBASE代表的是FLASH的起始地址，而SysAddr16中的 OFFSET則代表了相對于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址.OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的值;

在SST39VF160的命令定義中，所有的地址都是針對FLASH的HALF-WORD地址，指的是在FLASH自己的地址信號An-A0上看到的地址。

整片擦除操作

整片擦除操縱共需要6個(gè)周期的總線寫操作：

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0010 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555.

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0080; //將值 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0010; //將值 0x0010 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

SECTOR擦除操作

SECTOR的擦除操縱共需要6個(gè)周期的總線寫操作：

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0030 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的 HALF-WORD地址。

對應(yīng)的代碼：

復(fù)制代碼

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0080; //將值 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， addr 》》 1） = 0x0030; //將值 0x0030 寫到要擦除的 SECTOR 對應(yīng)的HALF-WORD地址

復(fù)制代碼

注意：

上面的代碼中第6個(gè)操縱周期中的ADDR 是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址，由于在擦除的時(shí)候，用戶?？粗付ǖ氖菑?ARM 的角度看到的地址，這樣更方便和更直觀。而在 SysAddr16 的宏定義中，OFFSET 表示的是相對于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量，或是FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。所以需要執(zhí)行一個(gè)右移操作，把ADDR轉(zhuǎn)換成 HALF-WORD 地址。

舉例說明，SST39VF160 每個(gè) SECTOR 的大小是 4K-BYTE.從 ARM 處器的角度和用戶的角度來看，SECTOR-0 相對于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;從FLASH來看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0.從ARM處理器的角度和用戶的角度來看， FLASH SECTOR-1相對于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 從FLASH來看， SECTOR-1的HALF-WORD地址應(yīng)該是（0x1000 》》 1） = 0x800.

假如要擦除SECTOR-0，上面代碼的第6條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x0 》》 1） = 0x0030;

假如要擦除SECTOR-1，上面代碼的第6條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x1000 》》 1） = 0x0030;

HALF-WORD 編程操作

寫一個(gè)HALF-WORD的數(shù)據(jù)到FLASH中往，需要4個(gè)周期的總線寫操作：

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x00A0 寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將編程數(shù)據(jù)（HALF-WORD）寫到對應(yīng)的 HALF-WORD地址。

對應(yīng)的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00A0; //將值 0x00A0 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， addr 》》 1） = data; //將數(shù)據(jù)寫到對應(yīng)的 HALF-WORD 地址

注意：

上面的代碼中第4個(gè)操作周期中的ADDR是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址， 由于在執(zhí)行寫操作的時(shí)候，用戶?？粗付ǖ氖菑?ARM 的角度看到的地址，這樣會更方便和更直觀。而在 SysAddr16 的宏定義中，OFFSET表示的是相對于FLASH起始地址的HALF-WORD偏移量。 所以需要執(zhí)行一個(gè)右移操縱， 把它轉(zhuǎn)換成HALF-WORD地址。

例如要將數(shù)據(jù) 0x0123 寫到地址 0x0處，對應(yīng)的是 FLASH 的第 0 個(gè) HAFL-WORD，對應(yīng)的 HALF-WORD 地址應(yīng)該是0x0，上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x0 》》 1） = 0x0123;

又如要將數(shù)據(jù)0x4567寫到地址0x2處， 對應(yīng)的是FLASH的第1個(gè) HALF-WORD， 對應(yīng)的HALF-WORD地址應(yīng)該是0x1， 上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x2 》》 1） = 0x4567;

再如要將數(shù)據(jù)0x89AB寫到地址0x4處， 對應(yīng)的是FLASH的第2個(gè)HALF-WORD， 對應(yīng)的HALF-WORD地址應(yīng)該是0x2，上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x4 》》 1） = 0x89AB;

還如要將數(shù)據(jù)0xCDEF 寫到地址 0x6處，對應(yīng)的是 FLASH 的第 3 個(gè) HALF-WORD，對應(yīng)的 HALF-WORD 地址應(yīng)該是0x3，上面代碼的第4條指令應(yīng)該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x6 》》 1） = 0xCDEF;

2.6 小結(jié)

以上簡單介紹了NOR FLASH原理，以及如何對NOR FLASH進(jìn)行操作， 但沒有包括狀態(tài)查詢， 保護(hù)等其他操縱。 對于更復(fù)雜的多片F(xiàn)LASH并聯(lián)的情況也沒有討論，如有需要者，可自行分析。

結(jié)語

關(guān)于norflash的相關(guān)介紹就到這了，如有不足之處歡迎指正。

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