晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)介紹,Transistor testing

（一）晶體管材料與極性的判別
1．從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A~D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第三部分用字母A~D來表示晶體管的材料和類型（不代表極性）。其中，“A”、“B”為PNP型管，“C”、“D”為NPN型管。通常，“A”、“C”為高頻管，“B”、“D”為低頻管。
歐洲產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶體管的材料（不表示NPN或PNP型極性）。其中，“A”表示鍺材料，“B”表示硅材料。
2．從封裝外形上識(shí)別晶體管的引腳 在使用權(quán)晶體管之前，首先要識(shí)別晶體管各引腳的極性。
不同種類、不同型號(hào)、不同功能的晶體管，其引腳排列位置也不同。通過閱讀上述“晶體管的封裝外形”中的內(nèi)容，可以快速識(shí)別也常用晶體管各引腳的極性。
3．用萬用表判別晶體管的極性與材料 對(duì)于型號(hào)標(biāo)志不清或雖有型號(hào)但無法識(shí)別其引腳的晶體管，可以通過萬用表測(cè)試來判斷出該晶體管的極性、引腳及材料。
對(duì)于一般小功率晶體管，可以用萬用表R×100Ω檔或R×1k檔，用兩表筆測(cè)量晶體管任意兩個(gè)引腳間的正、反向電阻值。
在測(cè)量中會(huì)發(fā)現(xiàn)：當(dāng)黑表筆（或紅表筆）接晶體管的某一引腳時(shí)，用紅表筆（或黑表筆）去分別接觸另外兩個(gè)引腳，萬用表上指示均為低阻值。此時(shí)，所測(cè)晶體管與黑表筆（或紅表筆）連接的引腳便是基極B，而別外兩個(gè)引腳為集電極C和發(fā)射極E。若基極接的是紅表筆，則該管為PNP管；若基極接的是黑表筆，則該管國(guó)NPN管。
也可以先假定晶體管的任一個(gè)引腳為基極，與紅表筆或黑表筆接觸，再用另一表筆去分別接觸另外兩個(gè)引腳，若測(cè)出兩個(gè)均較小的電阻值時(shí)，則固定不動(dòng)的表筆所接的引腳便是基極B，而另外兩個(gè)引腳為發(fā)射極E和集電極C。
找到基極B后，再比較基極B與另外兩個(gè)引腳之間正向電阻值的大小。通常，正向電阻值較大的電極為發(fā)射極E，正向電阻值較小的為集電極C。
PNP型晶體管，可以將紅表筆接基極B，用黑表筆分別接觸另外兩個(gè)引腳，會(huì)測(cè)出兩個(gè)略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測(cè)量中，黑表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大的一次測(cè)量中，黑表筆所接的引腳為發(fā)射極E。
NPN型晶體管，可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個(gè)引腳。在阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大一次測(cè)量中，紅表筆所接的引腳為發(fā)射極E。
通過測(cè)量晶體管PN結(jié)的正、反向電阻值，還可判斷出晶體管的材料（區(qū)分出是硅管還是鍺管）及好壞。一般鍺管PN結(jié)（B、E極之間或B、C極之間）的正向電阻值為200~500Ω，反向電阻值大于100kΩ；硅管PN結(jié)的正向電阻值為3~15kΩ，反向電阻值大于500kΩ。若測(cè)得晶體管某個(gè)PN結(jié)的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該管已擊穿或開路損壞。
（二）晶體管性能的檢測(cè)
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔，NPN型管的集電極C接黑表筆，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。
正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測(cè)，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ（用R×10檔測(cè)）以上。硅材料晶體管的電阻值應(yīng)大于100kΩ（用R×10k檔測(cè)），實(shí)測(cè)值一般為500kΩ以上。
若測(cè)得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說明該晶體管的漏電流較大；若測(cè)得C、E極之間的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩(wěn)定性不良。
也可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表的ICEO檔來測(cè)量晶體管的反向擊穿電流。測(cè)試時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。
2．放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬用表的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分別與三個(gè)插孔相接），萬用表即會(huì)指示出該管的放大倍數(shù)。
若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測(cè)晶體管放大能力。測(cè)量PNP管時(shí)，應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E，紅表筆接晶體管的集電極C，再在晶體管的集電結(jié)（B、C極之間）上并接1只電阻（硅管為100kΩ鍺管為20 kΩ），然后觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指針擺動(dòng)幅度較大，則說明晶體管的放大能力較強(qiáng)。若萬用表指針不變或擺動(dòng)幅較小，則說明晶體管無放大能力或放大能力較差。
測(cè)量NPN管時(shí)，應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的集電極C，紅表筆接晶體管的發(fā)射極E，在集電結(jié)上并接1只電阻，然后觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指針擺動(dòng)幅度越大，說明晶體管的放大能力越強(qiáng)。
也可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表的hFE/測(cè)試功能來測(cè)量放大能力。測(cè)量時(shí)，先將測(cè)試表的hFE/ICEO檔置于hFE–100檔或hFE–300檔，選擇晶體管的極性，將晶體管插入測(cè)試孔后，按動(dòng)相應(yīng)的hFE鍵，再?gòu)谋碇凶x出hFE值即可。
3．反向擊穿電壓的檢測(cè) 晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表的V（BR）測(cè)試功能來測(cè)量。測(cè)量時(shí)，先選擇被測(cè)晶體管的極性，然后將晶體管插入測(cè)試孔，按動(dòng)相應(yīng)的V（BR）鍵，再?gòu)谋碇凶x出反向擊穿電壓值。
對(duì)于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測(cè)試。將待測(cè)晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測(cè)試電路的A端、B端相連（PNP管的E極接A點(diǎn)，C極接B點(diǎn)；NPN管的E有接B點(diǎn)，C極接A點(diǎn)）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。
（三）特殊晶體管的檢測(cè)
1．帶阻尼行輸出管的檢測(cè) 用萬用表R×1檔，測(cè)量發(fā)射結(jié)（基極B與發(fā)射極E之間）的正、反向電阻值。正常的行輸出管，其發(fā)射結(jié)的正、反向電阻值均較小，只有20~50Ω。
用萬用表R×1k檔，測(cè)量行輸出管集電結(jié)（基極B與集電極C之間）的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（黑表筆接基極B，紅表筆接集電極C）為3~10kΩ，反向電阻值為無窮大。若測(cè)得正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則說明該管的集電結(jié)已擊穿損壞或開路損壞。
用萬用表R×1k檔，測(cè)量行輸出管C、E極內(nèi)部阻尼二極管的正、反向電阻值，正常時(shí)正向電阻值較?。?~7 kΩ），反向電阻值為無窮大，若測(cè)得C、E極之間的正反向電阻值均很小，則是行輸出管C、E極之間短路或阻尼二極管擊穿損壞。若測(cè)得C、E極之間的正、反向電阻值均為無窮大，則是阻尼二極管開路損壞。
帶阻尼行輸出管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表測(cè)量，其方法與普通晶體管相同。
帶阻尼行輸出管的放大能力（交流電流放大系數(shù)β值）不能用萬用表的hFE檔直接測(cè)量，因?yàn)槠鋬?nèi)部有阻尼二極管和保護(hù)電阻器。測(cè)量時(shí)可在行輸出管的集電極C與基極B之間并接1只30 kΩ的電位器，然后再將行輸出管各電極與hFE插孔連接。適當(dāng)調(diào)節(jié)電位器的電阻值，并從萬用表上讀出β值。
2．帶阻晶體管的檢測(cè) 因帶阻晶體管內(nèi)部含有1只或2只電阻器，故檢測(cè)的方法與普通晶體管略有不同。檢測(cè)之前應(yīng)先了解管內(nèi)電阻器的阻值。
測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔，測(cè)量帶阻晶體管集電極C與發(fā)射極E之間的電阻值（測(cè)NPN管時(shí)，應(yīng)將黑表筆接C極，紅表筆接E極；測(cè)PNP管時(shí)，應(yīng)將紅表筆接C極，黑表筆接E極），正常時(shí)，阻值應(yīng)為無窮大，且在測(cè)量的同時(shí)，若將帶阻晶體管的基極B與集電極C之間短路后，則應(yīng)有小于50kΩ的電阻值。否則，可確定為晶體管不良。
也可以用測(cè)量帶阻晶體管BE極、CB極及CE極之間正、反向電阻值的方法（應(yīng)考慮到內(nèi)含電阻器對(duì)各極間正、反向電阻值的影響）來估測(cè)晶體管是否損壞。
3．普通達(dá)林頓管的檢測(cè) 普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成，其基極B與發(fā)射極E之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬用表的R×1k或R×10k檔來測(cè)量。
測(cè)量達(dá)林頓管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，集電極C與基極B之間的正向電阻值（測(cè)NPN管時(shí)，黑表筆接基極B；測(cè)PNP管時(shí)，黑表筆接集電極C）值與普通硅晶體管集電結(jié)的正向電阻值相近，為3~10kΩ之間，反向電阻值為無窮大。而發(fā)射極E與基極B之間的的正向電阻值（測(cè)NPN管時(shí)，黑表筆接基極B；測(cè)PNP管時(shí)，黑表筆接發(fā)射極E）是集電極C與基極B之間的正、反向電阻值的2~3倍，反向電阻值為無窮大。集電極C與發(fā)射極E之間的正、反向電阻值均應(yīng)接近無窮大。若測(cè)得達(dá)林頓管的C、E極間的正、反向電阻值或BE極、BC極之間的正、反向電阻值均接近0，則說明該管已擊穿損壞。若測(cè)得達(dá)林頓管的BE極或BC極之間的、反向電阻值為無窮大，則說明該管已開路損壞。
4．大功率達(dá)林頓管的檢測(cè) 大功率達(dá)林頓管在普通達(dá)林頓管的基礎(chǔ)上增加了由續(xù)流二極管和泄放電阻組成的保護(hù)電路，在測(cè)量時(shí)應(yīng)注意這些元器件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響。
用萬用表R×1k或R×10k檔，測(cè)量達(dá)林頓管集電結(jié)（集電極C與基極B之間）的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（NPN管的基極接黑表筆時(shí)）應(yīng)較小，為1~10kΩ，反向電阻值應(yīng)接近無窮大。若測(cè)得集電結(jié)的正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則說明該管已擊穿短路或開路損壞。
用萬用表R×100檔，測(cè)量達(dá)林頓管發(fā)射極E與基極B之間的正、反向電阻值，正常值均為幾百歐姆至幾千歐姆（具體數(shù)據(jù)根據(jù)B、E極之間兩只電阻器的阻值不同而有所差異。例如，BU932R、MJ10025等型號(hào)大功率達(dá)林頓管B、E極之間的正、反向電阻值均為600Ω左右），若測(cè)得阻值為0或無窮大，則說明被測(cè)管已損壞。
用萬用表R×1k或R×10k檔，測(cè)量達(dá)林頓管發(fā)射極E與集電極C之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（測(cè)NPN管時(shí)，黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆接集電極C；測(cè)PNP管時(shí)，黑表筆接集電極C，紅表筆接發(fā)射極E）應(yīng)為5~15kΩ（BU932R為7kΩ），反向電阻值應(yīng)為無窮大，否則是該管的C、E極（或二極管）擊穿或開路損壞。
5．光敏三極管的檢測(cè) 光敏三極管只有集電極C和發(fā)射極E兩個(gè)引腳，基極B為受窗口。通常，較長(zhǎng)（或靠近管鍵的一端）的引腳為E極，較短的引腳的C極。達(dá)林頓型光敏三極管封裝缺圓的一側(cè)為C極。
檢測(cè)時(shí)，先測(cè)量光敏三極管的暗電阻：將光敏三極管的受光窗口用黑紙或黑布遮住，再將萬用表置于R×1k檔。紅表筆和黑表筆分別接光敏三極管的兩個(gè)引腳。正常時(shí)，正、反向電阻均為無窮大。若測(cè)出一定阻值或阻值接近0，則說明該光敏三極管已漏電或已擊穿短路。
測(cè)量光敏三極管的亮電阻：在暗電阻測(cè)量狀態(tài)下，若將遮擋受光窗口的黑紙或黑布移開，將受光窗口靠近光源，正常時(shí)應(yīng)有15~30kΩ的電阻值。則說明光敏三極管已開路損壞或靈敏度偏低。