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利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

電子設(shè)計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2019-08-19 08:05 ? 次閱讀

1 引言

磁場測量在醫(yī)學(xué)、軍事、地質(zhì)學(xué)等方面有廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代測量領(lǐng)域的重要組成部分。隨著材料技術(shù)的發(fā)展,磁致伸縮材料被用作磁場測量的敏感材料,成為磁傳感領(lǐng)域的重要研究內(nèi)容。B.Frank等人通過在光纖上蒸發(fā)一層磁致伸縮材料,由磁致伸縮引起光纖內(nèi)光傳播的光程發(fā)生變化,可以得到較高的磁場測量精度,但該結(jié)構(gòu)極大地破壞了光纖干涉臂內(nèi)光場偏振態(tài)的穩(wěn)定性,從而使整個光纖弱磁場傳感器的穩(wěn)定性變差。2005年N.Yoshiza-wa等人研究了用非晶態(tài)鐵磁薄帶和石英/LiNbO3復(fù)合的磁傳感結(jié)構(gòu),最高可達(dá)60 Hz/Oe的頻率/磁場靈敏度,可用于地磁場測量。而Dong等人研究了用壓電材料和磁致伸縮材料復(fù)合,利用磁電效應(yīng)來測量磁場,可以達(dá)到10-9T以上的精度,但該磁電復(fù)合材料不適合測量靜態(tài)的磁場。

本文將具有極高磁致伸縮效應(yīng)的GMM和SAW諧振器復(fù)合,利用磁場影響GMM產(chǎn)生的大應(yīng)力應(yīng)變,作用于SAW諧振器上影響其諧振頻率,從而進(jìn)行磁場測量。該傳感器結(jié)構(gòu)簡單、成本低,對磁場敏感,可用于靜態(tài)和動態(tài)磁場測量。由于SAW諧振器本身可以用作無源無線傳感,因此該復(fù)合傳感器還可以作為無源、無線磁傳感器使用。

2 復(fù)合傳感結(jié)構(gòu)

圖1是SAW諧振器和GMM復(fù)合結(jié)構(gòu)的示意圖。在螺栓螺母的作用下GMM、SAW諧振器和硬質(zhì)剛體材料框架緊密接觸??蚣芡瑫r起導(dǎo)軌作用,限制SAW諧振器和Terfenol-D只能在長度方向發(fā)生形變。調(diào)整螺栓的長度可調(diào)節(jié)施加在超磁致伸縮材料上的預(yù)應(yīng)力,使其在磁場中獲得較大的磁致伸縮。

利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

GMM選用工作在33模式下的Terfenol-D(Tb0.37Dy0.63Fe2),在沿長度方向磁場的作用下,在同方向產(chǎn)生伸縮。由于兩端被緊固,Terfenol-D材料的應(yīng)力和應(yīng)變將導(dǎo)致SAW諧振器的諧振頻率發(fā)生變化。通過檢測SAW諧振器諧振頻率的變化,可測得外部磁場大小。

3 理論分析

以GMM伸長時,其與SAW諧振器(SAWR)的接觸面向右運(yùn)動為例,得到受力分析如圖2所示。F和F1是結(jié)構(gòu)兩端受到緊固結(jié)構(gòu)和框架的反作用力;CT,vT,TT,AT分別代表GMM的力阻、振動速度、內(nèi)部應(yīng)力和橫截面積;Cs,vs,Ts,As是SAW諧振器基片的力阻、振動速度、內(nèi)部應(yīng)力和橫截面積;CTvT和Csvs是由于振動阻尼引起的材料內(nèi)部的阻力。

利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

式(2)中,mT和mS分別是GMM和SAW諧振器的質(zhì)量,a是加速度。而GMM和SAW諧振器的應(yīng)變分別為sT=u/lT,ss=u/ls,u是GMM和SAW諧振器接觸面的位移。對SAW諧振器,由胡克定律有ss=Ts/Es;對GMM,由于只考慮沿長度方向發(fā)生的應(yīng)力應(yīng)變,故可以根據(jù)壓磁方程的標(biāo)量形式,有

利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

采用表1中的材料和器件參數(shù)時,可得到復(fù)合磁傳感器的幅頻響應(yīng)如圖3所示。

利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

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利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

定義a為復(fù)合磁傳感器的靜態(tài)靈敏度,當(dāng)測量諧振頻率的分辨率一定時,a值越大,該磁傳感器的靈敏度和分辨率越高。由式(8)知,動態(tài)磁致伸縮系數(shù)dm越大,GMM和SAW諧振器的長度比lT/ls和截面積比AT/As越大,傳感器靈敏度越高。采用表1中的數(shù)據(jù),a的理論值為276.4 Hz/Oe。

4 實驗測試

靜態(tài)磁場變化范圍從-1300~+1300 Oe,得到實驗結(jié)果曲線如圖4所示。由圖4可知,頻率的變化量和磁場大小近似成線性關(guān)系。取整個磁場范圍區(qū)間[0,1300]Oe計算,傳感器的靈敏度達(dá)到123 Hz/Oe;如取磁場范圍區(qū)間[250,550]Oe進(jìn)行計算,傳感器的靈敏度可達(dá)190 Hz/Oe??傮w地看,該靈敏度比文獻(xiàn)中的非晶態(tài)鐵磁薄帶/LiNbO3結(jié)構(gòu)的30 Hz/Oe和非晶態(tài)鐵磁薄帶/石英結(jié)構(gòu)的60 Hz/Oe要高。

利用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)建光纖弱磁場傳感器的低通系統(tǒng)

5 結(jié) 論

理論分析和實驗測試表面,用GMM和SAW諧振器復(fù)合構(gòu)成的磁傳感器是一個低通系統(tǒng),截止頻率約為14.34 Hz;在靜態(tài)磁場測量時,最高靈敏度可達(dá)190 Hz/Oe。該傳感器結(jié)構(gòu)簡單,成本低,可用于靜態(tài)和動態(tài)磁場測量。


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