捷捷微電投建MOS管、IGBT等項(xiàng)目，增募資不超9.11億元

集微網(wǎng)消息 在半導(dǎo)體分立器件行業(yè)，盡管中國(guó)已經(jīng)發(fā)展成為全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，但就半導(dǎo)體分立器件的供給而言，目前全球半導(dǎo)體分立器件主要以美日歐企業(yè)為主，高端市場(chǎng)幾乎被這三大主力壟斷。

2010年以來(lái)，國(guó)務(wù)院及各部委多次頒布了鼓勵(lì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的政策，國(guó)家政策的支持將加速我國(guó)高端功率器件的發(fā)展進(jìn)程，加速 IGBT、MOSFET 等高端功率器件芯片生產(chǎn)工藝的研制和開(kāi)發(fā)進(jìn)程。

未來(lái)，我國(guó)必然會(huì)出現(xiàn)若干家躋身國(guó)際一線梯隊(duì)的功率半導(dǎo)體企業(yè)，在中國(guó)功率半導(dǎo)體廠商中，揚(yáng)杰科技、華微電子已經(jīng)宣布公司MOS管、IGBT成功研制并量產(chǎn)，而臺(tái)基股份也在近日發(fā)布公告，擬合作設(shè)立 IGBT 項(xiàng)目公司。

9月21日，捷捷微電發(fā)布披露定增預(yù)案，擬非公開(kāi)發(fā)行不超3500萬(wàn)股,募資不超9.11億元,用于電力電子器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目;捷捷半導(dǎo)體有限公司新型片式元器件、光電混合集成電路封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目;補(bǔ)充流動(dòng)資金。

捷捷微電是國(guó)內(nèi)晶閘管行業(yè)的龍頭企業(yè)，除了逐漸穩(wěn)固現(xiàn)有產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)地位之外，捷捷微電積極布局相應(yīng)的 MOSFET、IGBT 及第三代半導(dǎo)體器件。

電力電子器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目的主要產(chǎn)品為電力電子器件功率 MOSFET、IGBT、快恢復(fù)二極管（FRD）、可控硅（SCR）等。

新型片式元器件、光電混合集成電路封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目的主要產(chǎn)品包括貼片式壓敏電阻、貼片式二極管和交、直流光電耦合混合電路等，封裝形式有 SMX 系列產(chǎn)品、引線插件型 Leaded，表面貼裝型 SMD，光電混合集成式厚膜保護(hù)模塊 Module 及保護(hù)電路 Protect IC 等。

捷捷微電表示，電力電子器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目和捷捷半導(dǎo)體有限公司新型片式元器件、光電混合集成電路封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目的實(shí)施將進(jìn)一步豐富企業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，深化現(xiàn)有領(lǐng)域的應(yīng)用深度，拓寬應(yīng)用廣度。項(xiàng)目實(shí)施后，電力電子器件產(chǎn)品線和新型片式元器件、光電混合集成電路產(chǎn)品線將覆蓋更廣的領(lǐng)域，形成多領(lǐng)域、廣覆蓋的多樣化優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步增加企業(yè)利潤(rùn)來(lái)源。

此外，捷捷微電目前處于快速成長(zhǎng)期，公司多年來(lái)形成的累計(jì)利潤(rùn)已陸續(xù)投入到公司發(fā)展中，但是隨著公司品牌影響力的深化，公司市場(chǎng)份額增長(zhǎng)較快，未來(lái)兩三年之后客戶不斷增加的需求與公司產(chǎn)能之間的矛盾將成為公司發(fā)展中的主要矛盾。項(xiàng)目的實(shí)施，有利于解決產(chǎn)能限制，擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋率，滿足業(yè)務(wù)擴(kuò)張需求。