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閃存廠商競逐5G市場,技術(shù)迭代價格降低

牽手一起夢 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-10-07 20:30 ? 次閱讀

對消費群體而言,5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說,則是新的機遇。目前半導(dǎo)體存儲芯片廠商主要集中在美國、日本、韓國,中國也在快速發(fā)展。

隨著5G、自動駕駛、AI等場景發(fā)展對存儲的需求大幅增加,閃存大廠都在存儲密度、堆疊技術(shù)等方面進行迭代,同時,NAND Flash價格的大幅下滑也令技術(shù)更新訴求更為迫切。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心陳玠瑋表示,NAND Flash市場自2018年起,已走向供應(yīng)過剩局面,直到5G時代的到來將會有所改善。對于最新的96層QLC技術(shù),他認為到2020年上半年可實現(xiàn)量產(chǎn)。

有業(yè)內(nèi)人士指出,雖然NAND市場整體規(guī)模持續(xù)增加,但對主控的需求成長有限;同時主控的研發(fā)力度持續(xù)不減,隨著技術(shù)深入迭代,其投入回報比也面臨壓力越來越大的難題。

技術(shù)迭代遇上降價

今年以來,NAND Flash價格結(jié)束了過去兩年的上升態(tài)勢并轉(zhuǎn)跌,這一方面與關(guān)鍵閃存大廠此前的產(chǎn)能投入有關(guān),也與技術(shù)更新?lián)Q代息息相關(guān)。

業(yè)內(nèi)人士指出,2018年新一輪投產(chǎn)即將開始,為了填補2016、2017年提升技術(shù)導(dǎo)致的產(chǎn)能空缺,并加大3D投產(chǎn),三星除了有全球最大的Fab18工廠以外、還有西安工程二期,包括東芝和西部數(shù)據(jù)合資的Fab6、Fab7等來看,市場供應(yīng)將會進一步增加。“后續(xù)隨著技術(shù)提升和產(chǎn)能增加,價格還會進一步下滑?!?/p>

技術(shù)的迭代則顯示出,1TB時代很快將到來,最可見的表現(xiàn)便是在手機端應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計,今年上半年,NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特單元)為主,下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC(四比特單元)。

“目前來看,大規(guī)模量產(chǎn)將集中在2019年上半年,量產(chǎn)容量基本是256GB或512GB,也有部分原廠采用64層QLC量產(chǎn)1TB技術(shù),比如美光,長江存儲也計劃明年量產(chǎn)64層TLC。”業(yè)內(nèi)人士指出。

據(jù)介紹,目前NAND 2D極限容量已從128GB上升到64層512GB,96層會以512GB過渡,技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著QLC的量產(chǎn),即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量,這也意味著,TB時代的漸行漸近。

西部數(shù)據(jù)Device部門產(chǎn)品營銷與管理高級副總裁Christopher Bergey則表示,96層意味著更大容量和更低成本。但是3D技術(shù)之美在96層之后,還是可調(diào)的,所以未來可以看到兩個趨勢——更快速度的晶圓或者更大容量的存儲技術(shù)。

“其實在DRAM和NAND Flash之間還有很大的價格和性能的調(diào)試空間,很多供應(yīng)商都想找到一個既能滿足性能又能滿足存儲要求的產(chǎn)品。對于未來市場會怎樣,哪種產(chǎn)品最終能夠贏得市場還有待實踐?!彼a充道。

技術(shù)不斷迭代的市場可以帶來更廣闊的應(yīng)用空間,但同時也面臨投資回報成本走高的難題,多名業(yè)內(nèi)人士感慨。

美光集團副總裁Dinesh Bahal就指出,到2021年,NAND Flash市場bit(比特,信息量單位)需求總量將比2017年復(fù)合年均增長率達40%-45%,同時在企業(yè)級云端SSD(固態(tài)硬盤)、手機端和客戶級SSD方面,單個市場需求都將高于2017年的整體市場表現(xiàn)。

有數(shù)據(jù)顯示,2006-2009年間,NAND Flash的bit供應(yīng)增速可達130%-140%;而到了2011-2015年間,增速已常態(tài)化維持在40%-45%區(qū)間。這就帶來挑戰(zhàn),2006-2015年的產(chǎn)業(yè)投入均處在相似水平,隨著年份增長,要實現(xiàn)同樣的bit供應(yīng)增速,投入的資金將越來越大,到2018年已需要250億美元,而2015年之前維持在平均100億美元水平。

群聯(lián)電子董事長潘健成也提到,NAND Flash市場很大,但主控芯片的需求卻成長有限,“比如1G用的是一個主控,100G也是一個主控,1000G還是一個主控。所以主控市場有沒有那么大?這是一個需要探討的問題?!痹趦r格下降的周期內(nèi),主控廠商還要維持研發(fā)投入,尤其在驗證的成本耗用方面尤其明顯,投資回報率的考驗壓力越來越重。

為此,潘健成指出,群聯(lián)的做法是,所有環(huán)節(jié)內(nèi)部統(tǒng)一完成,并走定制化路線,作為上市公司,群聯(lián)每年都會維持一定的現(xiàn)金流額度。

5G時代的大存儲訴求

在5G為代表的大存儲訴求之下,閃存廠商也在通過新技術(shù)的演進占據(jù)應(yīng)用市場賽道。

三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹分析道,存儲在5G時代要求會更高,包括數(shù)據(jù)中心、交通設(shè)施以及移動端連接等方面,這導(dǎo)致數(shù)據(jù)流量上升,也需要更多的存儲解決方案。

目前NAND的應(yīng)用仍以SSD和嵌入式產(chǎn)品為主。據(jù)統(tǒng)計,以eMMC(嵌入式多媒體存儲卡)、UFS(通用閃存存儲)為主的嵌入式產(chǎn)品,在2018年消耗全球總產(chǎn)能的43%,到2021年,NAND Flash市場在SSD應(yīng)用領(lǐng)域的訴求年復(fù)合增長率將達45%。2018年,嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品合計消耗超過85%的全球總產(chǎn)能。

“過去30年電腦的架構(gòu)其實差不多,因為是以CPU為中心??山裉斓拇鎯τ嬎阋呀?jīng)改變,因為數(shù)據(jù)中心的建立,其架構(gòu)是以存儲為中心不再是CPU。這考驗的是如何讓比如手機端更快接觸到云端,而沒有時間差別,這就需要新的架構(gòu)。也代表未來將以存儲為主,我們在產(chǎn)業(yè)中耕耘也很興奮。”慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章這樣向21世紀經(jīng)濟報道記者解釋。

在當(dāng)下火熱的物聯(lián)網(wǎng)方面,Christopher Bergey表示,“我們認為未來自動駕駛會有更多SSD的需求,其實當(dāng)我們討論一個IoT產(chǎn)品會不會用到SSD的時候,更多考慮的是運算能力。在數(shù)據(jù)存儲這部分有更大容量需求的時候,SSD的應(yīng)用場景會比較顯著?!?/p>

其他應(yīng)用場景方面,西部數(shù)據(jù)嵌入集成方案產(chǎn)品市場總監(jiān)張丹向記者表示,閃存的應(yīng)用訴求將主要在于有互動的場景中,包括互聯(lián)家庭、工業(yè)領(lǐng)域,當(dāng)前安防領(lǐng)域已經(jīng)爆發(fā)?!盎ヂ?lián)家庭場景應(yīng)用也談了好多年,今年重回人們的關(guān)注范疇,是因為前端主芯片運算能力已經(jīng)足夠可以支撐更多功能。一個典型場景是智能音箱,包括很多基于傳感方式的IoT設(shè)備?!?/p>

在閃存應(yīng)用廣泛的手機市場,雖然當(dāng)前面臨成長瓶頸,但這并不影響閃存廠商的發(fā)展。

Christopher Bergey向記者分析道,雖然手機在數(shù)量上增加程度非常小,可是手機本身的內(nèi)存量一直在增加。我們在市場上的產(chǎn)品線,剛好還是在成長的階段。一些手機廠商也在用內(nèi)存的增多來多賺取利潤。

“同時,手機端的照相、攝影、游戲等功能,導(dǎo)致對存儲容量要求越來越大,部分手機已推出512GB內(nèi)存就是一個證明。我們的機會并不在于手機本身的數(shù)量,而是手機的支持輔助功能越多,會讓儲存的市場繼續(xù)增長?!彼缡钦f。

從技術(shù)迭代方面,Christopher Bergey還指出,在手機產(chǎn)品的使用場景中,eMMC和UFS已經(jīng)應(yīng)用在高端旗艦機中,UFS的使用率更高。“我們也看到一個趨勢,在最大量的中端手機產(chǎn)品中,有向使用UFS技術(shù)轉(zhuǎn)變的趨勢,所以預(yù)計在明年下半年,UFS就會漸漸變成一個市場的主流。實際上,不單在手機,應(yīng)用場景比如汽車、安防領(lǐng)域也會有,只不過在這些相對比較傳統(tǒng)的領(lǐng)域,主芯片的演進并沒有像在手機里推動那么快?!?/p>

裵容徹則預(yù)計,UFS存儲技術(shù)從2019年開始,會占據(jù)市場份額的20%以上。在NAND存儲密度上,到2030年可能達到185GB需求。

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