三星采取保守策略，DRAM投資大減，NAND閃存持續(xù)增投

集微網(wǎng)消息，據(jù)日媒報道指出，因市場預期DRAM價格將在2019年之后呈現(xiàn)下跌趨勢，三星恐將采取更為保守的策略。2019年，三星恐將減少在半導體設(shè)備上的投資額，其中DRAM的投資額預估減少20%以上，而在NAND Flash上的投資仍將持續(xù)增加。

DRAM增長趨勢或?qū)⒎啪?/p>

今年1-8月，DRAM的均價不斷上揚，對此，半導體調(diào)研機構(gòu)IC Insights認為，DRAM的平均售價（以及隨后的市場增長）已達到頂峰，隨著DRAM市場的產(chǎn)能擴充和資本支出增長，2019年DRAM市場的上升趨勢或?qū)⑼Ｖ埂?/p>

IC Insights指出，去年DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出增加81%，今年持續(xù)攀升40%，預計未來會出現(xiàn)供給過剩的情況。但是與以往歷史記錄稍有不同的是，雖然DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出過高，但預期產(chǎn)能過剩的情況可能沒有以往嚴重。因為，目前各大存儲器大廠都在升級20nm制程，成本的增加意味著資本投入后的增加的產(chǎn)能比前幾代制程少。

值得一提的是，隨著合肥長鑫和福建晉華等兩家大陸存儲器廠商今年釋出產(chǎn)能，或?qū)槿騼?nèi)存市場帶來些許未知變數(shù)。

不過，作為全球DRAM龍頭廠商，三星電子設(shè)備解決方案部門總裁金奇南 （Kim Ki-nam）稍早接受韓國聯(lián)合通訊社采訪時表示，今年底前DRAM芯片需求不會發(fā)生重大變化，似乎對今年DRAM價格持穩(wěn)深具信心。

至于DRAM連續(xù)數(shù)季搶貨的情況是否會在明年止步，金奇南則強調(diào)明年DRAM需求仍持續(xù)強勁，也暗示對明年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長維持樂觀態(tài)度。

三星或大幅減少DRAM投資

三星電子近日公布的第3季財報顯示，其第3季營收達17.5兆韓元（約154.7億美元），較2017年同期大漲20%以上，創(chuàng)下單季歷史新高紀錄。由于移動業(yè)務不斷下滑，三星第3季度的主要獲利依然來源于半導體業(yè)務的大幅增長。

根據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》 采訪業(yè)內(nèi)5位分析師的看法，其中4位都認為三星2019年會下調(diào)半導體設(shè)備投資，另外1位則認為三星會持續(xù)增加投資，其中增加的投資主要針對于晶圓代工業(yè)務，而存儲器的投資還是會減少。

報道進一步指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

除此之外，SK證券指出，三星2019年的半導體策略主要是重視DRAM的價格，以及NAND閃存的市占率。為了避免獲利率較高的DRAM陷入極端供應過剩局面，三星將藉由抑制投資，借此舒緩2019年DRAM價格的下跌速度。