歷史表明DRAM平均售價(jià)和市場(chǎng)增長將很快趨于下行;供應(yīng)商謹(jǐn)慎并隨時(shí)準(zhǔn)備調(diào)整資本支出擴(kuò)張計(jì)劃。
IC Insights在其“2018年McClean報(bào)告”的9月更新中披露,在過去兩年中,DRAM制造商一直在以接近滿負(fù)荷運(yùn)行其存儲(chǔ)器晶圓廠,這導(dǎo)致DRAM價(jià)格穩(wěn)步上升,并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤。圖1顯示,2018年8月DRAM的平均銷售價(jià)格(ASP)達(dá)到了6.79美元,相比兩年前增長了165%。雖然今年的DRAM平均銷售增速已經(jīng)放緩,但仍保持在2018年前八個(gè)月的穩(wěn)健上行軌跡。
DRAM市場(chǎng)以非常周期性而聞名,在經(jīng)歷了兩年的強(qiáng)勁增長之后,歷史優(yōu)先權(quán)現(xiàn)在強(qiáng)烈表明DRAM平均售價(jià)(和市場(chǎng))將很快開始下行趨勢(shì)。一個(gè)指標(biāo)顯示DRAM平均價(jià)格即將下滑,這是DRAM資本支出大幅增加以擴(kuò)大或增加新晶圓廠產(chǎn)能的背靠背年份(圖2)。2017年DRAM資本支出增長81%至163億美元,預(yù)計(jì)今年將再增加40%至229億美元。在這些水平上的資本支出通常會(huì)導(dǎo)致大量的新產(chǎn)能和隨后的價(jià)格快速下降。
然而,這次略有不同的是,與前幾代產(chǎn)品相比,頂級(jí)DRAM供應(yīng)商現(xiàn)在使用的低于20nm工藝節(jié)點(diǎn)通常與顯著的支出升級(jí)相關(guān)的大的生產(chǎn)率提升要小得多。
在今年早些時(shí)候舉行的分析師日活動(dòng)中,美光公司提供的數(shù)據(jù)顯示,制造低于20納米節(jié)點(diǎn)的DRAM需要增加35%的掩模級(jí)別,每個(gè)關(guān)鍵掩模的非光刻步驟數(shù)量增加110%由于需要制造≤20nm的器件,因此需要更多的設(shè)備(每個(gè)部件具有比上一代更大的占位面積),并且每個(gè)晶圓的潔凈室空間增加80%。在轉(zhuǎn)換到較小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后,先前平均為50%的位體積增加,是≤20nm節(jié)點(diǎn)的一小部分。最終結(jié)果是供應(yīng)商必須投入更多資金才能減少比特量輸出。因此,最近資本支出的上升雖然非同尋常,但可能不會(huì)產(chǎn)生類似的過剩產(chǎn)能,就像過去一樣。
如圖2所示,預(yù)計(jì)2018年DRAM平均售價(jià)將上漲38%至6.65美元,但I(xiàn)C Insights預(yù)測(cè)隨著額外容量上線和供應(yīng)限制開始放緩,DRAM市場(chǎng)增長將會(huì)降溫。(值得一提的是,據(jù)報(bào)道,由于客戶需求預(yù)期疲軟,三星和SK海力士于3季度推遲部分?jǐn)U張計(jì)劃。)
當(dāng)然,DRAM市場(chǎng)中的通配符是中國初創(chuàng)公司未來幾年將扮演的角色和影響。據(jù)估計(jì),中國約占DRAM市場(chǎng)的40%,約占閃存市場(chǎng)的35%。
至少有兩家中國IC供應(yīng)商Innotron和JHICC將參與今年的DRAM市場(chǎng)。雖然中國的產(chǎn)能和制造工藝最初不會(huì)與三星,SK海力士或美光公司相媲美,但看看這個(gè)國家的創(chuàng)業(yè)公司表現(xiàn)如何以及它們是否只為中國的國家利益服務(wù),或者它們是否會(huì)擴(kuò)展到滿足全球需求。
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