韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程、現(xiàn)狀和得失經(jīng)驗(yàn)

2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)締造了一項(xiàng)新紀(jì)錄，國際研究機(jī)構(gòu)Gartner研究總監(jiān)George Brocklehurst表示，這項(xiàng)記錄便是三星將英特爾擠下全球半導(dǎo)體營收龍頭的寶座。

英特爾自1992年以來連續(xù)25年“全球第一大廠”的名頭就此讓位。Gartner最新的統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，2017年全球半導(dǎo)體營收總計(jì)4204億美元，較2016年的3459億美元增長21．6％。

此外，根據(jù)IC Isights等機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，從營收來看，全球前三大半導(dǎo)體公司中韓國占據(jù)兩席，三星、SK海力士分別位居一、三名。三星、SK海力士在2017年?duì)I收大增，主要和存儲(chǔ)芯片短缺造成的價(jià)格走高有關(guān)。

自20世紀(jì)80年代三星建立半導(dǎo)體研究與開發(fā)實(shí)驗(yàn)室起至今，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可謂“勵(lì)志”。

不到40年的時(shí)光中，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在起步比美國、日本晚上十幾年的情況下，從一片荒蕪逐漸生長為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之林的巨擘，離不開密集的技術(shù)援助、政府的強(qiáng)力保護(hù)以及企業(yè)的“死磕”。

沉淀：“政府＋大財(cái)團(tuán)”的模式

韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以技術(shù)引入起步，經(jīng)過20年左右的沉淀，在芯片設(shè)計(jì)與加工技術(shù)等領(lǐng)域完成了自身技術(shù)積累。

1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生產(chǎn)出韓國的第一臺(tái)真空管收音機(jī)，這也被認(rèn)為是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起源。但當(dāng)時(shí)的韓國并沒有自主生產(chǎn)能力，只能對(duì)進(jìn)口元器件進(jìn)行組裝。

20世紀(jì)60年代中期開始仙童半導(dǎo)體（Fairchild）和摩托羅拉（Motorola）等美國公司越來越多地投資于東南亞等低價(jià)勞動(dòng)力國家，以降低其生產(chǎn)成本，韓國從這一趨勢中獲益，但僅停留在經(jīng)濟(jì)層面。

OECD（經(jīng)合組織）在一份報(bào)告中指出，對(duì)于這些美國投資者的子公司而言，韓國只是“飛地”，對(duì)于韓國的技術(shù)進(jìn)步未起到任何作用，“他們只是專門從事簡單的晶體管和ICs的組裝，用于出口，所需的材料和生產(chǎn)設(shè)備都是進(jìn)口的”。

到了20世紀(jì)70年代，三洋（Sanyo）和東芝（Toshiba）等日本公司半導(dǎo)體公司也開始在韓國投資。但直到20世紀(jì)80年代初，韓國的半導(dǎo)體工業(yè)仍然非常局限，只是一個(gè)簡單的、勞力密集的組裝節(jié)點(diǎn)。

隨著20世紀(jì)70年代外部世界市場環(huán)境變化以及韓國工資水平的提高，韓國輕工業(yè)產(chǎn)品出口比率大幅下降，外債也上升到危險(xiǎn)的水平，韓國經(jīng)濟(jì)受到威脅。

為此，韓國政府在1973年宣布了“重工業(yè)促進(jìn)計(jì)劃”（HCI促進(jìn)計(jì)劃），旨在通過重工業(yè)和化學(xué)工業(yè)發(fā)展來建立一個(gè)自給自足的經(jīng)濟(jì)。1975年，韓國政府公布了扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的六年計(jì)劃，強(qiáng)調(diào)實(shí)現(xiàn)電子配件及半導(dǎo)體生產(chǎn)的本土化。

韓國政府還組織“官民一體”的DRAM共同開發(fā)項(xiàng)目，即通過政府的投資來發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的過程中，韓國政府推進(jìn)“政府＋大財(cái)團(tuán)”的經(jīng)濟(jì)發(fā)展模式，并推動(dòng)“資金＋技術(shù)＋人才”的高效融合。在此過程中，韓國政府還將大型的航空、鋼鐵等巨頭企業(yè)私有化，分配給大財(cái)團(tuán)，并向大財(cái)團(tuán)提供被稱為“特惠”的措施。

《經(jīng)濟(jì)學(xué)人》在1995年的文章中評(píng)論稱，20世紀(jì)80年代韓國工業(yè)的發(fā)展得益于HCI促進(jìn)計(jì)劃，由于如此龐大的資源集中于少數(shù)財(cái)團(tuán)，他們可以迅速進(jìn)入資本密集型的DRAMs生產(chǎn)，并最終克服生產(chǎn)初期巨大的財(cái)務(wù)損失。

超越：三星的崛起

1983年是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

韓國財(cái)團(tuán)的進(jìn)入讓半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入大規(guī)模集成（VLSI）生產(chǎn)時(shí)代，這些包括三星、金星社以及現(xiàn)代公司（后改名為海力士半導(dǎo)體，并被SK集團(tuán)收購）等企業(yè)。這實(shí)現(xiàn)了韓國工業(yè)的質(zhì)變——從簡單的裝配生產(chǎn)到精密的晶片加工生產(chǎn)。

20世紀(jì)80年代，三星和現(xiàn)代的財(cái)團(tuán)都在尋找未來的商業(yè)領(lǐng)域，最終他們的目標(biāo)是，從工業(yè)基地轉(zhuǎn)型為更具高科技導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)。當(dāng)三星決定通過其電子業(yè)務(wù)進(jìn)入大規(guī)模集成芯片生產(chǎn)時(shí)，現(xiàn)代決定將芯片生產(chǎn)作為實(shí)現(xiàn)其向電子產(chǎn)業(yè)多樣化的一個(gè)途徑。而隨后金星社的加入，讓韓國最大的三家財(cái)團(tuán)均參與進(jìn)VLSI生產(chǎn)。

三星發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一部濃縮的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史。

前三星集團(tuán)首席執(zhí)行官李秉哲（Lee Byung Chul）在1983年2月決定對(duì)內(nèi)存芯片生產(chǎn)進(jìn)行大規(guī)模投資。這被認(rèn)為是一個(gè)非常大膽的決定。因?yàn)楫?dāng)時(shí)韓國仍是一個(gè)簡單的裝配生產(chǎn)基地，1983年，整個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)中晶圓加工的份額也僅為4．3％。

根據(jù)三星的官方策略解釋，三星電子公司當(dāng)時(shí)遭遇了日本進(jìn)口芯片的頻繁交付問題。以上的所有因素促使李秉哲嘗試進(jìn)入VLSI芯片業(yè)務(wù)。

三星制定了一個(gè)詳細(xì)的計(jì)劃，根據(jù)這個(gè)計(jì)劃，三星全部半導(dǎo)體產(chǎn)品中大約50％應(yīng)該是DRAM。通過對(duì)精心挑選的DRAM領(lǐng)域關(guān)注，實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)和成本的競爭力。

其后，SST國際公司在硅谷成立，成為三星的技術(shù)前哨。SST國際公司（與Tristar半導(dǎo)體公司同年更名）為三星的產(chǎn)品開發(fā)做出了重大貢獻(xiàn)，SST國際公司成功開發(fā)的產(chǎn)品會(huì)轉(zhuǎn)讓給韓國的母公司SST，用于批量生產(chǎn)，這對(duì)三星的技術(shù)開發(fā)起到了至關(guān)重要的作用。

1983年，三星在京畿道器興地區(qū)建成首個(gè)芯片廠，并開始了接下來的一系列動(dòng)作。三星電子首先向當(dāng)時(shí)遇到資金問題的美光（Micron）公司購買64K DRAM技術(shù)，加工工藝則從日本夏普公司獲得，此外，三星還取得了夏普“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝”的許可協(xié)議。

在此過程中，三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進(jìn)式工藝創(chuàng)新，加上這些公司逆向工程方面的長期經(jīng)驗(yàn)，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了發(fā)展的快車道。

在選擇DRAM作為主要產(chǎn)品后不久，三星于1983年11月成功研發(fā)了64K DRAM。從技術(shù)上講，韓國半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了從相對(duì)簡單的LSI技術(shù)到尖端的VLSI技術(shù)的重大飛躍。由此，1983年標(biāo)志著韓國VLSI芯片時(shí)代的開始。不可否認(rèn)的是，在最初階段，外國技術(shù)許可在三星產(chǎn)品開發(fā)中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

隨后，三星電子1984年成立了一家現(xiàn)代化的芯片工廠，用于批量生產(chǎn)64K DRAM。1984年秋季首次將其出口到美國。1985年成功開發(fā)了1M DRAM，并取得了英特爾“微處理器技術(shù)”的許可協(xié)議。

此后三星在DRAM上不斷投入，韓國政府也全力配合。由韓國電子通信研究所【KIST，由韓國科學(xué)和技術(shù)部（MOST）管理】牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學(xué)，“官產(chǎn)學(xué)”一起對(duì)4M DRAM進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)。該項(xiàng)目持續(xù)三年，研發(fā)費(fèi)用達(dá)1．1億美元，韓國政府便承擔(dān)了57％。隨后韓國政府還推動(dòng)了16M ／ 64M DRAM的合作開發(fā)項(xiàng)目。

1983年至1987年間實(shí)施的“半導(dǎo)體工業(yè)振興計(jì)劃”中，韓國政府共投入了3．46億美元的貸款，并激發(fā)了20億美元的私人投資，這大力促進(jìn)了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

在1987年，世界半導(dǎo)體市場還出現(xiàn)另一個(gè)機(jī)會(huì)，這源自美國和日本之間的半導(dǎo)體貿(mào)易沖突以及隨后的政治調(diào)控。

1985年以后，日本DRAM生產(chǎn)商市場份額的增加，被認(rèn)為是犧牲了美國生產(chǎn)商的利益，美日之間的貿(mào)易沖突日益加劇。

日本首先宣布對(duì)外國半導(dǎo)體生產(chǎn)商實(shí)施半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)定（STA），美國政府則于1987年3月宣布了對(duì)含日本芯片的日本產(chǎn)品征收反傾銷稅等報(bào)復(fù)措施。

最終，日本承諾通過減少DRAM產(chǎn)量來提高芯片價(jià)格。但當(dāng)時(shí)美國計(jì)算機(jī)行業(yè)需求增長，導(dǎo)致全球市場上256K DRAM的嚴(yán)重短缺。這為韓國256K DRAM生產(chǎn)商提供了重要的“機(jī)會(huì)之窗”。

此后韓國一直在趕超。1988年三星完成4M DRAM芯片設(shè)計(jì)時(shí)，研發(fā)速度比日本晚6個(gè)月，隨后三星又趁著日本經(jīng)濟(jì)泡沫破裂，東芝、NEC等巨頭大幅降低半導(dǎo)體投資時(shí)機(jī)，加大投資，引進(jìn)日本技術(shù)人員。并于1992年開發(fā)出世界第一個(gè)64M DRAM，超過日本NEC，成為世界第一大DRAM制造商。

賭徒：逆周期投資

超越日本成為世界第一大DRAM制造商只是三星帶領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向世界第一梯隊(duì)的第一步。

1995年之后，三星多次發(fā)起“反周期定律”價(jià)格戰(zhàn)，使得DRAM領(lǐng)域多數(shù)廠商走向破產(chǎn)，并逐漸形成DRAM領(lǐng)域只有幾家壟斷市場的現(xiàn)狀。

集邦咨詢拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏對(duì)記者表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每年需投入大量資本支出，用于設(shè)備與技術(shù)的開發(fā)。三星是綜合公司型態(tài)，即使存儲(chǔ)器市場低迷，仍可透過其他事業(yè)部門注入資金。這讓三星逐步成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)巨擘。

比如，三星于1984年推出64K DRAM時(shí)，全球半導(dǎo)體業(yè)步入一個(gè)低潮，內(nèi)存價(jià)格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當(dāng)時(shí)的生產(chǎn)成本是每片1．3美元，這意味著每賣出一片內(nèi)存三星便虧1美元。

在低潮期，英特爾退出DRAM行業(yè)，NEC等日企大幅削減資本開支，而三星卻像“賭徒”一般瘋狂加碼，逆周期投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM。

到1986年底，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空。但轉(zhuǎn)機(jī)卻瞬間來到，1987年，日美半導(dǎo)體協(xié)議的簽署使得DRAM內(nèi)存價(jià)格回升，三星也為全球半導(dǎo)體市場的需求補(bǔ)缺，開始盈利，從逆勢中挺了過去。

在1996年至1999年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼時(shí)日立、NEC、三菱的內(nèi)存部門不堪重負(fù)，被母公司剝離，加上東芝宣布自2002年7月起不再生產(chǎn)通用DRAM，日本DRAM僅剩下爾必達(dá)一家。

再如，2007年初，因全球DRAM需求過剩，疊加2008年金融危機(jī)，DRAM顆粒價(jià)格從2．25美元暴跌至0．31美元。三星卻將2007年公司總利潤118％用于DRAM擴(kuò)產(chǎn)，使得DRAM價(jià)格接連跌破現(xiàn)金成本和材料成本。

在這樣的攻勢下，德國廠商奇夢達(dá)于2009年初宣布破產(chǎn)，日本廠商爾必達(dá)于2012年初宣布破產(chǎn)，三星市占率進(jìn)一步提升，全球DRAM領(lǐng)域巨頭只剩下三星、海力士和美光。

這場價(jià)格戰(zhàn)的影響仍在持續(xù)，DRAM從2016年下半年到2018年一季度，一直處于穩(wěn)定缺貨漲價(jià)期中，在此過程中，三星芯片業(yè)務(wù)銷售額達(dá)690億美元，成為全球最大的芯片制造商。

中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟秘書長王艷輝表示，在品牌發(fā)展不順的時(shí)候，三星等韓國的企業(yè)并未想到要轉(zhuǎn)去做代工，而是繼續(xù)投入，這是韓國能夠出現(xiàn)三星、海力士等全球領(lǐng)先芯片品牌的原因。

如何保持第一梯隊(duì)優(yōu)勢

王艷輝指出，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是從產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移開端，在政府主導(dǎo)下，發(fā)展出自有品牌。

在韓國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的過程中，韓國政府對(duì)于產(chǎn)業(yè)的支持力度非常強(qiáng)，研發(fā)時(shí)大力投入，產(chǎn)出后進(jìn)行保護(hù)。

從1990年開始，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資興起。從研發(fā)投入來看，1980年時(shí)半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)投入約為850萬美元，到1994年時(shí)為9億美元。專利技術(shù)也從1989年底的708項(xiàng)上升至1994年的3336項(xiàng)。

1994年，韓國推出了《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》。此后，韓國政府還指定芯片產(chǎn)業(yè)及技術(shù)為影響國家競爭力的核心技術(shù)，致力于高度保障技術(shù)及產(chǎn)權(quán)。

龐大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也發(fā)展出以三星和SK海力士為龍頭，IC制造企業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)和半導(dǎo)體材料企業(yè)層層分工，通過外包、代工的方式構(gòu)建出的龐大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，形成了龍仁、化成、利川等等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)城市群，支撐著韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

在韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一梯隊(duì)后，韓國仍希望保持其自身的優(yōu)勢，不僅通過“BK21”及“BK21＋”等計(jì)劃對(duì)大學(xué)、專業(yè)或研究所進(jìn)行精準(zhǔn)、專項(xiàng)支援。還在2016年時(shí)推出半導(dǎo)體希望基金，投資于半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，旨在聚焦新技術(shù)的開發(fā)，尤其是儲(chǔ)存新技術(shù)方面。

這一系列的政策也基本延續(xù)“政府＋大財(cái)團(tuán)”的產(chǎn)業(yè)政策，鼓勵(lì)企業(yè)及大學(xué)間的結(jié)合，為芯片產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)人才，以維持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢。