助力中芯國際14nm工藝突破,梁孟松“另起爐灶”參與新項(xiàng)目？

今天，業(yè)內(nèi)傳出中芯國際重金挖來的大將——現(xiàn)任中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松可能將離開中芯國際，意欲“另起爐灶”參與由以前臺(tái)積電南科 14 廠的核心團(tuán)隊(duì)為主要成員的新籌建的晶圓代工企業(yè)。此一消息傳出后，引發(fā)了業(yè)內(nèi)的極大震動(dòng)，要知道中芯國際的14nm工藝在梁孟松的幫助下才剛剛獲得突破。

助力中芯國際14nm工藝突破

今年第二財(cái)季，中芯國際營收達(dá)到了8.907億美元的新高，利潤也同比大幅增長了12.1%至1.941億美元。與此同時(shí)，中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍和梁孟松還宣布，“14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展，第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。預(yù)計(jì)2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。”而此時(shí)距離梁孟松加入中芯國際僅10個(gè)月左右的時(shí)間。

早在去年4月，業(yè)內(nèi)就有傳聞半導(dǎo)體行業(yè)大咖梁孟松很快將加盟中芯國際。不過，直到去年10月，中芯國際才正式宣布梁孟松加盟任Co-CEO（聯(lián)席CEO）。而中芯國際之所以力邀梁孟松加盟，也正是為了在14nm制程工藝上取得突破。

在加盟中芯國際之前，梁孟松曾擔(dān)任臺(tái)積電資深研發(fā)處長、三星半導(dǎo)體研發(fā)部總經(jīng)理，而三星當(dāng)時(shí)之所以能夠搶先臺(tái)積電量產(chǎn)14nm，從臺(tái)積電挖來的梁孟松可謂是功不可沒。而此次中芯國際能夠在14nm工藝上取得快速的突破，梁孟松及其他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)必然是發(fā)揮了很大的作用。據(jù)業(yè)內(nèi)消息，梁孟松加盟中芯國際之時(shí)，還從中國***地區(qū)及韓國帶來了相關(guān)技術(shù)人員。

據(jù)悉，梁孟松上任后進(jìn)行了一系列調(diào)整：加強(qiáng)研發(fā)隊(duì)伍建設(shè)，強(qiáng)化責(zé)任制，調(diào)整更新14nm FinFET規(guī)劃，將3D FinFET工藝鎖定在高性能運(yùn)算、低功耗芯片應(yīng)用等。很快，中芯國際之前一直停滯不前的14nm研發(fā)進(jìn)度開始加速。

在2017年第四季度報(bào)中，中芯國際就表示14nm研發(fā)進(jìn)程進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)將在2019年上半年量產(chǎn)14nm FinFET工藝技術(shù)，比原先預(yù)期提前了半年。 而僅幾個(gè)月之后，中芯國際第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，再度為14nm的量產(chǎn)加速。這其中，梁孟松可謂是功不可沒。

“另起爐灶”參與新項(xiàng)目？

然而就在今年8月中芯國際宣布14nm FinFET工藝取得突破，第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)成功進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段之后僅2個(gè)多月，業(yè)內(nèi)就傳出梁孟松將離開中芯國際，另起爐灶參與新的晶圓代工企業(yè)，確實(shí)令人震驚。

根據(jù)deeptech深科技曝光的資料顯示，該擬組建的新的晶圓代工企業(yè)情況如下：

項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)：主要成員為臺(tái)積電南科 14 廠的核心團(tuán)隊(duì)，項(xiàng)目主導(dǎo)者為研發(fā)副總夏勁秋，預(yù)計(jì)招募臺(tái)積電骨干人員總計(jì)約 180 人。

股權(quán)分配：項(xiàng)目技術(shù)團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)持股 49 %。

產(chǎn)能和技術(shù)：本項(xiàng)目為月產(chǎn) 3 萬片的 12nm邏輯芯片，以及 1 萬片的 7 nm邏輯芯片。

投資額：估計(jì)總投資額為 490 億人民幣，項(xiàng)目第一期投資資金為 230 億，月產(chǎn)能達(dá)到 7000 片的 12 寸晶圓 12 nm邏輯芯片。第二期投入 260 億元，擴(kuò)增月產(chǎn)能至 2.3 萬片 12 納米邏輯芯片。第三期希望能再募資 100 億元，增加 1 萬片的 7 nm邏輯芯片的產(chǎn)能。

土地：該項(xiàng)目規(guī)劃工業(yè)用地 500 畝，配套廠商工業(yè)用地 1500 畝，用于高管配套住宅商住用地 300 畝。

值得一提的是，這份項(xiàng)目企劃書的主導(dǎo)者是夏勁秋正是當(dāng)年跟著梁孟松從臺(tái)積電跳槽到韓國三星電子的一員大將。

另外，業(yè)內(nèi)消息顯示，該項(xiàng)目仍在尋找資金，而昆明市政府是金主之一。

為什么不可能？

雖然，目前中芯國際并未對此消息進(jìn)行回應(yīng)。不過，從目前來看，梁孟松離開中芯國際參與該項(xiàng)目幾乎是不可能的。

首先，自梁孟松去年10月正式加盟中芯國際到現(xiàn)在僅僅一年的時(shí)間，雖然在梁孟松的幫助下，中芯國際14nmFinFET技術(shù)取得了突破，第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，但是距離成功量產(chǎn)仍有一段距離，而這也是難度最大的地方。梁孟松不可能有始無終，半途而廢，在14nm未成功量產(chǎn)的情況下就離開中芯國際。

其次，中芯國際對于梁孟松開出的條件已經(jīng)是足夠的優(yōu)厚，不僅出任國內(nèi)第一大晶圓代工廠中芯國際的聯(lián)合首席執(zhí)行官（Co-CEO）兼執(zhí)行董事，同時(shí)也給予了充分的發(fā)揮空間，不然也不可能在短短數(shù)月時(shí)間就成績。而對于梁孟松這個(gè)層級(jí)的人來說，有中芯國際這個(gè)可以大展拳腳的好平臺(tái)，其他項(xiàng)目提供的優(yōu)厚的條件恐怕也不會(huì)有太大的吸引力。

第三，眾人皆知梁孟松與臺(tái)積電曾有過一段不堪回首的往事。此前梁孟松跳槽三星，還曾遭到了臺(tái)積電的起訴，被稱之為“叛將”。梁孟松不太可能才剛剛加盟中芯國際，在中芯國際內(nèi)部順風(fēng)順?biāo)那闆r下加入到由前臺(tái)積電南科14 廠的核心團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)項(xiàng)目中去，再次成為“叛將”，而“叛將”這個(gè)標(biāo)簽也一直是梁孟松想要洗刷掉的，這個(gè)階段梁孟松，對于“名節(jié)”必然是非常看重的。

第四，爆料稱臺(tái)積電南科14 廠將有 180名骨干人員加盟新的晶圓廠項(xiàng)目。顯然，即便是對于全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電來說，一下子180人的核心團(tuán)隊(duì)集體跳槽，可是一件天大的事。且不說臺(tái)積電待遇優(yōu)厚，南科14 廠不太可能真的有180人跳槽出來，即便是有，臺(tái)積電也不可能允許這么多人集體“帶槍跳槽”。

第五，從該項(xiàng)目書來看，擬建的12吋晶圓廠鎖定的是非常先進(jìn)的12nm甚至是目前最先進(jìn)的7nm工藝，這顯然是有點(diǎn)大躍進(jìn)（要知道目前國內(nèi)最先進(jìn)的量產(chǎn)工藝也是臺(tái)積電南京廠的16nm工藝，中芯國際的14nm還沒量產(chǎn)）。且不說這需要耗費(fèi)大量的資金投入，還需要大量的技術(shù)人才的加入，而這180人的團(tuán)隊(duì)如果不“帶槍跳槽”，想要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)可謂是難于登天。如果是“帶槍跳槽”，臺(tái)積電是絕對不會(huì)善罷甘休的。即便是有梁孟松這樣的大牛加入，要想實(shí)現(xiàn)12nm和7 nm工藝，也是非常困難。而且梁孟松如果有能力帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)突破12nm和7nm工藝，為何不在更有實(shí)力和底蘊(yùn)的中芯國際平臺(tái)上來實(shí)現(xiàn)，卻會(huì)選擇一個(gè)充滿不確定性的新平臺(tái)呢？

所以，筆者認(rèn)為今天傳出的梁孟松將離開中芯國際加盟新項(xiàng)目的消息應(yīng)該只是個(gè)謠言！