安森美半導體推用于電源轉換和電機控制的新功率集成模塊

新的功率集成模塊將在Electronica展展出，配以最新的智能功率模塊、MOSFET、IGBT和集成的電機驅動器，用于電源轉換和電機控制。

2018年11月8日 —推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出了新的電源模塊，在高度集成和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然強固的電源半導體器件陣容。

太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）逆變級和工業(yè)變頻驅動器（VFD）等應用中的功率級通常由分立的IGBT/MOSFET集成專用的驅動器和額外的分立器件構成。安森美半導體新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模塊（PIM） 提供緊湊、高度集成的方案，采用易于貼裝的封裝，節(jié)省空間和降低成本，極大地減輕設計人員的挑戰(zhàn)。

這些器件采用Q1和Q2封裝，用于30 KW和50 KW逆變器，集成場截止溝槽IGBT和快速恢復二極管，提供更低的導通和開關損耗，并使設計人員能夠在低VCE（SAT）和低EON / EOFF損耗之間折衷，以充分優(yōu)化電路性能。直接鍵合銅（DBC）基底支持大電流，最大限度地降低寄生電感的影響，令設計人員實現(xiàn)高的開關速度，以及以12.7 mm的爬電距離提供3000 Vrms的隔離電壓。

此外，安森美半導體還推出了新的、充分優(yōu)化的、超緊湊的智能功率級（SPS）多芯片模塊FDMF3170，用于服務器、數(shù)據(jù)中心、人工智能加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。它集成兩個基于安森美半導體PowerTrench?技術的高性能功率MOSFET，和一個具有高精度電流傳感器的智能驅動器以實現(xiàn)最佳的處理器性能。

在Electronica展會的電源轉換和電機控制技術演示

這兩個新的電源模塊將在Electronica展會期間在安森美半導體展臺演示，突顯基于半導體的高能效方案對于開發(fā)成功的電源轉換和電機控制（PCMC）設計至關重要。展臺演示將重點展現(xiàn)安森美半導體的方案在工業(yè)電源、太陽能和電機驅動器開創(chuàng)了領先地位，并將包括一個機器人展示以及太陽能和電池儲能裝置。

安森美半導體提供最廣泛的電源半導體器件陣容，采用創(chuàng)新的封裝格式，支持全球邁向更清潔、高可靠性和具性價比的能源設計。該陣容包括基于先進寬禁帶（WBG）材料的器件、用于所有電機類型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全集成的驅動器。這些器件一起顯著提高現(xiàn)代應用所需的高能效、可靠、緊湊和低成本的電源方案，持續(xù)推動能源革命。

關于安森美半導體

安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片（SoC）及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內(nèi)的業(yè)務網(wǎng)絡。