軟開關(guān)EMI比硬開關(guān)EMI小，這種說法是否正確？

軟開關(guān)分為ZVS（零電壓開關(guān)）和ZCS（零電流開關(guān)），由于ZVS一般無需外加輔助器件，容易實現(xiàn)所以在隔離DC-DC變換器中得到了廣泛的運用（以移相全橋（Full Bridge Phase-shift）和LLC為代表）。

下面主要來講講開關(guān)管ZVS的實現(xiàn)，下圖是MOSFET及其在分析ZVS時的等效模型。全控開關(guān)用一個理想開關(guān)及一個串聯(lián)導(dǎo)通內(nèi)阻RDS_on代替。無論是移相全橋（FBPS）還是諧振變換器（LLC），其ZVS短暫的過程都是一樣的，均是利用諧振電感Lr有序地“充”/“放”橋臂上下管MOSFET結(jié)電容上的電荷。

為了便于理解，此處簡化講解ZVS橋臂上下管MOSFET的換流過程： 1、[~,t0]穩(wěn)態(tài) t0之前，MOS管S1一直通，S2一直斷。電流流經(jīng)RDSon1和諧振電感Lr。

2、[t0,t1]橋臂換流 t0時刻，MOS管S1關(guān)斷，此時S1、S2均關(guān)斷，沒有通路。諧振電流iLr被迫給S1結(jié)電容C1充電，并抽走S2結(jié)電容C2上的電荷。直到Vc1被充到Vin，Vc2被抽到0V，一旦Vc2降到0V，諧振電流iLr就流經(jīng)S2的體二極管（續(xù)流），此時諧振電流iLr才重新找到一條穩(wěn)定的通路。

3、[t1,~]——t1 時刻S2軟開（ZVS零電壓開通），維持穩(wěn)態(tài) t1時刻，S1的驅(qū)動電平變高，此時MOS管S2合上，由于RDSon2上的壓降要比體二極管的導(dǎo)通壓降更小，所以電流流經(jīng)RDSon2（MOSFET具有雙向?qū)щ娦裕藭rMOSFET工作在同步整流狀態(tài)，這個特性是IGBT所不具備的，這也是MOSFET在ZVS變換器中的天然優(yōu)勢，電流幾乎時時刻刻都流經(jīng)RDSon，通態(tài)損耗很小）。

到此，S1關(guān)斷到S2開通的過程已經(jīng)講完，分析整個過程可以發(fā)現(xiàn)，是S1的關(guān)斷成全了S2的軟開，要是沒有S1的關(guān)斷，迫使諧振電流iLr為找到新的通路而“充”/“放”橋臂上下管結(jié)電容電荷，S2的續(xù)流二極管也不可能在S2驅(qū)動高電平（t1時刻）來之前就導(dǎo)通續(xù)流。所以S2的軟開全靠S1的硬關(guān)成全（ZVS的特點，硬關(guān)軟開）。 送一幅MOSFET的ZVS波形圖（Vgs&Vds），可以清楚地看清軟開（開通無米勒平臺）硬關(guān)（關(guān)斷有米勒平臺）。

而S2關(guān)斷到S1開通的過程與上述過程完全一致，不在重復(fù)。

關(guān)于硬開，硬開是在MOSFET關(guān)斷的情況下（Vc1=Vin），直接通過RDSon把結(jié)電容上的電荷消耗掉，從而導(dǎo)通管子，顯然要比軟開EMI及開通損耗要大很多。