諾思發(fā)布基于FBAR工藝的兩款中高頻LTE頻段雙工器

國(guó)內(nèi)首家薄膜體聲波（FBAR）芯片制造商諾思（天津）微系統(tǒng)有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱諾思），近日在第二屆重慶國(guó)際手機(jī)博覽會(huì)上發(fā)布了基于FBAR工藝的兩款中高頻LTE頻段雙工器，RSFD1702C及RSFD2502C。

諾思副總裁蔣浩在展會(huì)上說(shuō)，自2014年開(kāi)始大批量交付以來(lái)，諾思已經(jīng)向全球100余家客戶供應(yīng)了射頻濾波芯片近1億顆，廣泛應(yīng)用于各類3G/4G無(wú)線智能終端、導(dǎo)航終端及設(shè)備、基站、衛(wèi)星通訊、物聯(lián)網(wǎng)終端等領(lǐng)域。

蔣浩談到，公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)在FBAR領(lǐng)域17年持續(xù)、不間斷努力，不斷提升產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力和制造工藝能力。截止到今天，公司仍然是國(guó)內(nèi)唯一掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，唯一實(shí)現(xiàn)大批量交付，且各項(xiàng)性能指標(biāo)全部達(dá)到甚至部分超過(guò)國(guó)際同行業(yè)水平的公司。2019年諾思工廠交付能力將達(dá)到20億顆/年。

本次在展會(huì)上諾思發(fā)布的雙工器，預(yù)計(jì)將在2018年12月大批量交付市場(chǎng)。同時(shí)蔣浩還透露，今年年底前諾思還將發(fā)布一款高功率全頻段濾波器產(chǎn)品和針對(duì)5G新頻段的濾波器樣品。

RSFD1702C采用最新的技術(shù)和工藝，保證濾波器具有優(yōu)良的上行/下行通帶插損性能。上行通帶整體插損性能優(yōu)于-2.4dB, 通帶中央插損-1.1dB，同時(shí)具有較高的功率容量。下行通帶中央插損約-1.5dB, 同時(shí)具有較高的功率容量，可應(yīng)對(duì)基站應(yīng)用的需求。同時(shí)，該款產(chǎn)品具有較高的上行/下行之間的隔離度性能，達(dá)到-55dB以下。該產(chǎn)品還采用了先進(jìn)的芯片倒裝封裝工藝，產(chǎn)品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm，以適用于客戶對(duì)系統(tǒng)空間不斷提高的要求。

RSFD2502C具備了FBAR濾波器高滾降，高功率，1000V以上的防靜電擊穿能力（ESD）的特點(diǎn)，與此同時(shí)以更小尺寸為客戶節(jié)省更多的集成空間。性能方面RSFD2502C的發(fā)射端（Tx Port）提供了右側(cè)的高抑制度，全溫通帶內(nèi)（-20℃~+85℃）低插入損耗，主要體現(xiàn)在工作狀態(tài)下高耐受功率的特性。接收端（Rx Port）提供了全溫通帶內(nèi)（-20℃~+85℃）的低插入損耗和發(fā)射端（Tx Port）的高隔離度，為應(yīng)用環(huán)境提供了優(yōu)秀的靈敏度。