一款A(yù)C-DC反激式六級能效高性能開關(guān)電源適配器電源芯片ICM6362A

M6362A詳細(xì)資料

1.M6362A是一款AC-DC反激式六級能效高性能開關(guān)電源適配器電源芯片，耐低溫，能在-40℃環(huán)溫正常工作，待機(jī)功耗小于75mW的，應(yīng)用在60W范圍。

2.M6362A提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括周期式過流保護(hù)（OCP），過載保護(hù)（OLP），VDD鉗位電壓，軟啟動功能和欠電壓鎖定（UVLO）。通過QR，CCM，Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗，全電壓范圍下的最佳效率。具有抖頻功能改善EMI性能。

3. 替換OB2362A,OB2281,OB2263,OB2273,SP5673,GR1837等。開關(guān)頻率65KHz。

4主要用于高性能、低待機(jī)功耗和低成本的離線反激式電源適配器。

M6362A驅(qū)動外置MOSFET適用于高性能、低待機(jī)功耗、低成本的離線式反激開關(guān)電源。在滿載時，IC在固定頻率(65KHz)模式下運(yùn)行。當(dāng)負(fù)載降低時，工作在谷底導(dǎo)通的綠色工作模式，實(shí)現(xiàn)高功率下的高轉(zhuǎn)換效率

。當(dāng)負(fù)載很小的時候，芯片以“擴(kuò)展的突發(fā)模式”運(yùn)行，以減少待機(jī)功耗。因此，在整個負(fù)載范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。

M6362A的VCC極低的啟動電流和低運(yùn)行電流為啟動和工作低功耗要求的設(shè)計(jì)中提供了可靠的應(yīng)用保證。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

優(yōu)化EMI性能的抖頻技術(shù)擴(kuò)展的突發(fā)工作模式提高轉(zhuǎn)換效率和極低的待機(jī)功耗

音頻噪聲處理功能全面的保護(hù)功能：VCC鎖定與遲滯(UVLO)

VCC過電壓保護(hù)(VCC OVP)在通用輸入電壓范圍內(nèi)固定輸出功率限制的電流閾值設(shè)置

過載保護(hù)(OLP)及自動恢復(fù)功能外部(如果NTC電阻連接在PRT pin)或內(nèi)部溫度保護(hù)(OTP)與自動恢復(fù)功能

輸出電壓保護(hù)(輸出OVP)與自動恢復(fù)OVP觸發(fā)電壓可由輔助繞組與PRT銷連接的電阻調(diào)節(jié)

應(yīng)用結(jié)構(gòu)圖

該電路圖中R18,R19為反饋分壓電阻，并且和U3(AZ431)，U2(PC817)組成反饋電路，確保輸出準(zhǔn)確電壓。為了使系統(tǒng)具有較好的動態(tài)響應(yīng)特性，可以調(diào)節(jié)R20,C8,C9的值來改善AZ431的補(bǔ)償，使環(huán)路具有較高的增益；另外需要調(diào)節(jié)R16的值使U2光耦發(fā)光二極管端能夠把次級信號迅速反饋到芯片F(xiàn)B端精心跟隨控制；D1,R4,R5,R6,C3組成RCD鉗位電路，用來吸收Q1 MOSFET漏源尖峰電壓

R1,R2,J1,R3,R11,C4,C5,C6,C15,D2,D3組成芯片的啟動電路及供電環(huán)路；該電路為AC兩級啟動電路，可以有效的降低待機(jī)功耗，功耗可以控制在75mW以內(nèi)，啟動時間2S以內(nèi)；注意當(dāng)芯片的應(yīng)用功率大于49W時，待機(jī)功耗小于210mW即可滿足六級能效的要求。

VAR1為壓敏電阻7D471可以吸收浪涌沖擊電壓，CX1為X2安規(guī)電容,CY1為共模安規(guī)Y1電容，以及共模電感LF1,LF2都起到EMC濾波效果