存儲(chǔ)器原廠(chǎng)Q3業(yè)績(jī)搶眼，然NAND價(jià)格大跌超60%

前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠(chǎng)業(yè)績(jī)搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)。

存儲(chǔ)器原廠(chǎng)Q3業(yè)績(jī)搶眼，然NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠(chǎng)產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”

2018年以來(lái)，F(xiàn)lash原廠(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用，導(dǎo)致市場(chǎng)供過(guò)于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，Q3 NAND Flash價(jià)格指數(shù)下滑22.5%，相較于Q2 24.6%的跌幅略有收窄。截止到10月底，2018年NAND Flash價(jià)格累積跌幅高達(dá)63%，其中高容量SSD跌幅高達(dá)55%，eMMC價(jià)格跌幅達(dá)50%，閃存卡價(jià)格跌幅超過(guò)50%。

近3年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)走勢(shì)圖

來(lái)源：中國(guó)閃存市場(chǎng)網(wǎng)www.chinaflashmarket.com;數(shù)據(jù)截止至2018年10月31日

在NAND Flash價(jià)格跌幅持續(xù)擴(kuò)大的環(huán)境下，存儲(chǔ)器原廠(chǎng)Q3財(cái)報(bào)卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因?yàn)?a href="http://www.ttokpm.com/tags/三星/" target="_blank">三星、蘋(píng)果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級(jí)，以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動(dòng)下，F(xiàn)lash原廠(chǎng)NAND Flash bit出貨量增加，從而抵消了Q3市場(chǎng)價(jià)格下滑的影響。據(jù)各家公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，三星Q3凈利潤(rùn)13.15兆韓元，同比增長(zhǎng)17.5%。美光Q4凈利潤(rùn)43.25億美元，同比增長(zhǎng)82.6%。SK海力士Q3凈利潤(rùn)4.69兆韓元，同比增長(zhǎng)54%。英特爾Q3凈利潤(rùn)63.98億美元，同比增長(zhǎng)42%。

近2年，存儲(chǔ)器原廠(chǎng)凈利潤(rùn)持續(xù)走高，除了市場(chǎng)對(duì)NAND Flash容量需求增加外，DRAM和NAND Flash價(jià)格上漲也是主因。如今NAND Flash價(jià)格大跌，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，每GB價(jià)格下探至0.08美金，已逐漸逼近部分廠(chǎng)商的成本價(jià)。此外，DRAM價(jià)格也有明顯的松動(dòng)，再加上進(jìn)入傳統(tǒng)的Q4需求淡季，三星、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等Q4財(cái)報(bào)難抵下滑之勢(shì)，均預(yù)告營(yíng)收或利潤(rùn)會(huì)有所下滑。

為了提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，存儲(chǔ)器原廠(chǎng)正在加快有成本優(yōu)勢(shì)的96層NAND和1ynm DRAM技術(shù)量產(chǎn)。同時(shí)，為了平市場(chǎng)供需，原廠(chǎng)產(chǎn)能采取“緊急制動(dòng)”，其中西部數(shù)據(jù)宣布Fab工廠(chǎng)減少產(chǎn)出量，并推遲96層技術(shù)的下一步擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，三星擴(kuò)產(chǎn)平澤廠(chǎng)DRAM產(chǎn)線(xiàn)計(jì)劃也有所調(diào)整，原廠(chǎng)此舉將有助于NAND Flash和DRAM價(jià)格的穩(wěn)定。

三星Q3凈利潤(rùn)同比增17.5%

01

one

三星Q3營(yíng)收65.46兆韓元，同比增長(zhǎng)5.5％，環(huán)比增長(zhǎng)12%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)17.57兆韓元，同比增長(zhǎng)20.9%，環(huán)比增長(zhǎng)18.2%。

西部數(shù)據(jù)Q1凈利潤(rùn)同比下滑25%

02

Two

西部數(shù)據(jù)Q1營(yíng)收50億美元，同比下滑3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)6.86億美元，同比下滑24%。其中HDD營(yíng)收25億美元，F(xiàn)lash營(yíng)收25億美元，各占大約50%。

注：西部數(shù)據(jù)2019財(cái)年Q1，即2018年7-9月數(shù)據(jù)

美光Q4凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)82.6%

03

Three

美光Q4營(yíng)收84.4億美元，同比增長(zhǎng)38%，環(huán)比增長(zhǎng)8.2%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)43.77億美元，同比增長(zhǎng)75%；環(huán)比增長(zhǎng)10.7%。

注：美光2018財(cái)年Q4財(cái)報(bào)，即2018年6-8月數(shù)據(jù)

SK海力士Q3凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)54%

04

Four

SK海力士Q3營(yíng)收11.42兆韓元，同比增長(zhǎng)41%，環(huán)比增長(zhǎng)10%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)6.47兆韓元，同比增長(zhǎng)73%，環(huán)比增長(zhǎng)16%。

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國(guó)際原廠(chǎng)聚焦新技術(shù)

隨著Flash原廠(chǎng)從2018下半年陸續(xù)進(jìn)入64層QLC和96層TLC量產(chǎn)階段，國(guó)際原廠(chǎng)新一輪技術(shù)較量正式拉開(kāi)序幕，預(yù)計(jì)2019年將推進(jìn)96層QLC技術(shù)發(fā)展，不僅單顆Die容量向1Tb升級(jí)，也將進(jìn)入QLC元年，而NAND Flash市場(chǎng)供貨進(jìn)一步增加，將對(duì)市場(chǎng)影響巨大。

中國(guó)企業(yè)機(jī)遇與危機(jī)

隨著武漢二期、南京、成都三大基地開(kāi)工，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展又向前推進(jìn)了一步。然而，中國(guó)企業(yè)也遇到了困難和險(xiǎn)阻。比如：長(zhǎng)江存儲(chǔ)如何快速推進(jìn)3D技術(shù)工藝；紫光存儲(chǔ)如何整合資源強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力；以及福建晉華如何化解 “美國(guó)禁令”危機(jī)等，很多問(wèn)題都有待去解決。