只讀存儲(chǔ)器分幾種

只讀存儲(chǔ)器分幾種

1、ROM

只讀內(nèi)存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內(nèi)存。在制造過(guò)程中，將資料以一特制光罩（mask）燒錄于線路中，其資料內(nèi)容在寫(xiě)入后就不能更改，所以有時(shí)又稱(chēng)為“光罩式只讀內(nèi)存”（mask ROM）。此內(nèi)存的制造成本較低，常用于電腦中的開(kāi)機(jī)啟動(dòng)。

2、可編程只讀存儲(chǔ)器

可編程只讀存儲(chǔ)器（英文：Programmable ROM，簡(jiǎn)稱(chēng)：PROM）一般可編程一次。PROM存儲(chǔ)器出廠時(shí)各個(gè)存儲(chǔ)單元皆為1，或皆為0。用戶(hù)使用時(shí)，再使用編程的方法使PROM存儲(chǔ)所需要的數(shù)據(jù)。

PROM需要用電和光照的方法來(lái)編寫(xiě)與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫(xiě)一次，第一次寫(xiě)入的信息就被永久性地保存起來(lái)。例如，雙極性PROM有兩種結(jié)構(gòu)：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結(jié)擊穿型。它們只能進(jìn)行一次性改寫(xiě)，一旦編程完畢，其內(nèi)容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。

3、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器

可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)：EPROM）可多次編程。這是一種便于用戶(hù)根據(jù)需要來(lái)寫(xiě)入，并能把已寫(xiě)入的內(nèi)容擦去后再改寫(xiě)，即是一種多次改寫(xiě)的ROM。由于能夠改寫(xiě)，因此能對(duì)寫(xiě)入的信息進(jìn)行校正，在修改錯(cuò)誤后再重新寫(xiě)入。

擦除遠(yuǎn)存儲(chǔ)內(nèi)容的方法可以采用以下方法：電的方法（稱(chēng)電可改寫(xiě)ROM）或用紫外線照射的方法（稱(chēng)光可改寫(xiě)ROM）。光可改寫(xiě)ROM可利用高電壓將資料編程寫(xiě)入，抹除時(shí)將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復(fù)使用。通常在封裝外殼上會(huì)預(yù)留一個(gè)石英透明窗以方便曝光。

4、一次編程只讀內(nèi)存

一次編程只讀內(nèi)存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫(xiě)入原理同EPROM，但是為了節(jié)省成本，編程寫(xiě)入之后就不再抹除，因此不設(shè)置透明窗。

5、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器

電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)：EPROM）之運(yùn)作原理類(lèi)似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場(chǎng)來(lái)完成，因此不需要透明窗。

6、閃速存儲(chǔ)器

閃速存儲(chǔ)器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發(fā)明的一種高密度、非易失性的讀/寫(xiě)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器它既有EEPROM的特點(diǎn)，又有RAM的特點(diǎn)，因而是一種全新的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。