四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析

先進3D NAND存儲器芯片的深度技術(shù)分析和成本對比報告據(jù)麥姆斯咨詢介紹，不斷增長的消費電子和數(shù)據(jù)中心市場正在加速對更高容量、更可靠的儲存器需求。這使得2016至2018年期間，存儲器產(chǎn)業(yè)的營收從770億美元增長到1770億美元。3D NAND閃存制造商發(fā)現(xiàn)：既要滿足上述市場對更高存儲容量和可靠性的需求，同時還要降低每比特（bit）成本，是一項不小的挑戰(zhàn)。

每家制造商實施不同的技術(shù)手段，改變存儲類型和存儲單元設(shè)計，并在每一代產(chǎn)品中堆疊更多層，以增加比特密度，減小芯片尺寸。存儲單元架構(gòu)的技術(shù)變化和基本存儲器特征的改變，增加了制造工藝的復(fù)雜性。然而，這些技術(shù)確實降低了每千兆字節(jié)的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。

這些存儲器產(chǎn)品來自東芝（Toshiba）/閃迪（SanDisk）、三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和英特爾（Intel）/美光（Micron）。我們的分析基于對3D NAND閃存拆解與制造工藝分析，揭示了制造商采用的技術(shù)。此外，本報告還明確了供應(yīng)鏈中的其它參與者。所以，我們根據(jù)上述信息可以預(yù)估內(nèi)存晶圓和裸片的成本。

本報告研究的主要廠商及其3D NAND存儲器產(chǎn)品（樣刊模糊化）本報告對最新3D NAND裸片進行研究，包括對芯片橫截面和制造工藝的深度剖析，詳細介紹了物理結(jié)構(gòu)，突出了存儲單元設(shè)計和存儲類型。同時，我們將存儲器結(jié)構(gòu)與相關(guān)的專利進行匹配。

3D NAND存儲器芯片逆向分析圖示最后，本報告對所研究的3D NAND存儲器進行了詳盡的對比分析，以突出了它們之間相似點、不同點和對成本的影響。

先進3D NAND存儲器芯片對比分析（樣刊模糊化）

先進3D NAND存儲器物理分析（樣刊模糊化）

先進3D NAND存儲器芯片成本對比分析（樣刊模糊化）