臺積電積極布建5奈米晶圓廠,明年晶圓廠支出金額將逆勢出現(xiàn)高達24％的年成長率

國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）昨（18）日公布全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast Report），預期2019年全球晶圓廠設備投資金額將下修，由原先預估的年成長7％下修15個百分點至年衰退8％。不過，在臺積電積極布建5奈米晶圓廠情況下，***明年晶圓廠支出金額將逆勢出現(xiàn)高達24％的年成長率。

SEMI***區(qū)總裁曹世綸表示，記憶體價格下跌與中美貿(mào)易戰(zhàn)之下導致公司投資計畫改變，為晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因，其中又以先進記憶體制造商、中國晶圓廠、及28奈米或以上成熟制程業(yè)者的資本支出縮減影響全球市場最劇。

SEMI表示，甫進入2018年時，全球半導體晶圓廠設備市場原先預測將延續(xù)罕見的連續(xù)4年成長直至2019年。但其實早在今年8月時，SEMI綜合收集分析全球超過400間晶圓廠主要投資計畫后，便預測2018年下半年至2019年上半年晶圓廠投資金額將呈下滑態(tài)勢，包括將2018全年投資金額由8月時預估的年成長14％下修4個百分點至年成長10％，2019全年投資金額更是明顯下修，由原先預估的年成長7％下修15個百分點至年衰退8％。

且有鑑于近期的市場情勢，下滑幅度恐將較原先預期更為劇烈；報告指出，2018年下半年及2019年上半年晶圓設備銷售金額分別將下滑13及16個百分點，直至2019年下半年才有望出現(xiàn)轉(zhuǎn)圜。

但由2019年各地區(qū)的晶圓廠支出金額變化來看，韓國記憶體雙雄三星及SK海力士大砍資本支出，不僅導致明年韓國晶圓廠支出金額年減35％，亦是造成明年全球晶圓廠支出金額下滑的重要關鍵。至于***明年晶圓廠支出金額逆勢出現(xiàn)高達24％的年增率，主要是受惠于晶圓代工龍頭臺積電加快5奈米晶圓廠Fab 18的產(chǎn)能布建。

SEMI表示，今年NAND Flash價格急跌，DRAM價格也在第四季松動，記憶體業(yè)者快速反應市場情況，并減少資本支出，并暫緩所有已訂購設備出貨。整體來看，2019年整體記憶體資本支出將年減19％，其中DRAM下滑最劇烈幅度達23％，3D NAND則下滑約13％。

至于受到全球矚目的中國大陸，明年晶圓廠設備投資金額已由原本預估的170億美元下修到119.57億美元，其中原因包括記憶體市況不佳、美中貿(mào)易戰(zhàn)導致兩國關系緊張、以及對大環(huán)境不確定導致建廠計畫延宕等，包括SK海力士、格芯（GlobalFoundries）、聯(lián)電、中芯等均暫緩大陸投資力道，福建晉華DRAM投資計畫也已喊停。