0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

01:采用LDMOS技術(shù)的全通訊頻段射頻高功率產(chǎn)品介紹

NXP視頻 ? 來源:恩智浦 ? 2019-01-23 07:24 ? 次閱讀

本次會議將介紹恩智浦用成熟的、業(yè)界最好的LDMOS技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應(yīng)用,包括介紹全通訊頻段射頻高功率產(chǎn)品組合。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 射頻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    102

    文章

    5471

    瀏覽量

    166944
  • 恩智浦
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    5788

    瀏覽量

    104716
  • 功率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    2036

    瀏覽量

    69397
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    在航空航天應(yīng)用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在航空航天應(yīng)用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-04 09:34 ?0次下載
    在航空航天應(yīng)用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和<b class='flag-5'>LDMOS</b><b class='flag-5'>射頻</b><b class='flag-5'>功率</b>放大器

    LDMOS的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點

    場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于無線通信、廣播電視、雷達(dá)、醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域。LDMOS以其低失真、高效率、輸出功率、高可靠性和低成本等優(yōu)點,在功率放大器的設(shè)計中占據(jù)了重要地位。以下是對
    的頭像 發(fā)表于 08-23 14:03 ?499次閱讀

    10公里通訊LoRa模塊,Ra-01SCH-P模組詳細(xì)介紹+使用教程

    Ra-01SCH-P是安信可科技設(shè)計開發(fā)的 LoRa 系列模組。該模組用于超長距離擴頻通信,其射頻芯片 LLCC68+主要采用 LoRa?遠(yuǎn)程調(diào)制解調(diào)器,用于超長距離擴頻通信,抗干擾性強,能夠最大
    的頭像 發(fā)表于 08-23 08:56 ?1509次閱讀
    10公里<b class='flag-5'>通訊</b>LoRa模塊,Ra-<b class='flag-5'>01</b>SCH-P模組詳細(xì)<b class='flag-5'>介紹</b>+使用教程

    羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命

    產(chǎn)品類型。 隨著市場技術(shù)的快速迭代,基于先進(jìn)技術(shù)的應(yīng)用創(chuàng)新極具挑戰(zhàn),客戶需要長期供貨支持。針對擁有長壽命系統(tǒng)的客戶,羅徹斯特電子與Ampleon合作支持延長產(chǎn)品生命周期。 羅徹斯特電子
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:03 ?584次閱讀

    經(jīng)典款LoRa模組Ra-01!小體積,遠(yuǎn)距離,低功耗!

    Ra-01 433MHz LoRa射頻模組 采用SX1278芯片 小體積 SPI接口經(jīng)典封裝 CE/FCC認(rèn)證 安信可 LoRa 系列模塊(Ra-01)由安信可科技設(shè)計開發(fā)。其
    的頭像 發(fā)表于 07-03 16:42 ?326次閱讀
    經(jīng)典款LoRa模組Ra-<b class='flag-5'>01</b>!小體積,遠(yuǎn)距離,低功耗!

    1.2-1.3GHZ頻段的的VTX 射頻芯片方案

    想整個1.2-1.3GHZ頻段的的VTX 應(yīng)用,diy下,不知哪位大俠有相關(guān)頻段射頻芯片+PA介紹,是1.2--1.3Ghz,不是5.8GHZ (RTC6705+RTC6659E方案
    發(fā)表于 06-18 09:00

    AR的低頻段的大功率放大器介紹

    ;IEC61000-4-3從26MHz起的輻射抗擾度測試等,會需要幾百瓦,幾千瓦乃至1萬瓦的射頻功率放大器。 不同頻段功率放大器的設(shè)計和實現(xiàn)方法都是不同的,10 KHz起到幾百MHz
    的頭像 發(fā)表于 06-04 10:50 ?563次閱讀
    AR的低<b class='flag-5'>頻段</b>的大<b class='flag-5'>功率</b>放大器<b class='flag-5'>介紹</b>

    射頻功率計的定義和應(yīng)用

    隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展,射頻信號在通信、廣播、雷達(dá)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。射頻功率計作為測量射頻信號
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:40 ?798次閱讀

    江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法】

    廣泛關(guān)注。本文將深入剖析一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法,旨在為半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)人士和愛好者提供前沿的技術(shù)動態(tài)和實踐指導(dǎo)。01背景技術(shù)LDMOS
    的頭像 發(fā)表于 04-13 08:38 ?266次閱讀
    江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種<b class='flag-5'>LDMOS</b>場效應(yīng)管及其制備方法】

    如何實現(xiàn)功率密度三相橋SiC功率模塊設(shè)計與開發(fā)呢?

    為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 功率密度三相
    的頭像 發(fā)表于 03-13 10:34 ?1388次閱讀
    如何實現(xiàn)<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>密度三相<b class='flag-5'>全</b>橋SiC<b class='flag-5'>功率</b>模塊設(shè)計與開發(fā)呢?

    射頻電容/高頻Q電容詳細(xì)介紹

    高頻Q電容一般被用于射頻電路中,用于匹配電路,隔直電容,功放電路,因此也常被叫做射頻電容。射頻電容通常被用于射頻
    的頭像 發(fā)表于 02-06 10:45 ?1267次閱讀

    射頻功率放大器的設(shè)計介紹

    和熱管理等。本文將對射頻功率放大器的設(shè)計進(jìn)行簡要介紹。 設(shè)計目標(biāo) 射頻功率放大器的設(shè)計目標(biāo)主要包括以下幾個方面: 工作頻率:根據(jù)應(yīng)用需求選擇
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:58 ?835次閱讀
    <b class='flag-5'>射頻</b><b class='flag-5'>功率</b>放大器的設(shè)計<b class='flag-5'>介紹</b>

    見合八方1550nm功率蝶形SOA產(chǎn)品應(yīng)用介紹

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《見合八方1550nm功率蝶形SOA產(chǎn)品應(yīng)用介紹.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 12-19 16:10 ?0次下載

    支持功率應(yīng)用的RDL技術(shù)解析

    如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術(shù)及晶圓級封裝中的窄間距RDL技術(shù)及應(yīng)用]技術(shù)通常用于芯片封裝中的信號和電源引腳映射,用于實現(xiàn)芯片與封裝之間的連接。然而,對于
    的頭像 發(fā)表于 12-06 18:26 ?3258次閱讀
    支持<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>應(yīng)用的RDL<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    LDMOS在ESD設(shè)計中的應(yīng)用設(shè)計思路

    LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計思路。
    發(fā)表于 12-06 13:54 ?5425次閱讀
    <b class='flag-5'>LDMOS</b>在ESD設(shè)計中的應(yīng)用設(shè)計思路