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礦機(jī)中的芯片封裝設(shè)計(jì)方案

西西 ? 來(lái)源:eda365 ? 作者:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 2019-01-01 07:11 ? 次閱讀

隨著時(shí)代的發(fā)展,越來(lái)越多的技術(shù)伴著EDA工具的不斷完善以及工作的細(xì)分,從前覺(jué)得很專業(yè)的事情,現(xiàn)在變得門檻越來(lái)越低,閑下來(lái)的時(shí)候想想如果我依然只會(huì)畫(huà)畫(huà)原理圖,畫(huà)畫(huà)PCB,那么遲早會(huì)被更加有精力、更加專業(yè)的人替代就覺(jué)得心慌。比如五年前,我當(dāng)時(shí)能夠完成一拖8的DDR3設(shè)計(jì),在當(dāng)時(shí)可以靠這個(gè)混口飯吃。然而現(xiàn)在你在去看,滿大街的layout工程師,他們比我有精力、比我更渴望學(xué)習(xí)、比我更加容易接受新的EDA工具和新的設(shè)計(jì)理念。因此我必需給自己找條更好的路,讓自己的技術(shù)更加豐富起來(lái),更加有能力去解決一些在當(dāng)下很多人無(wú)法解決的問(wèn)題。 我覺(jué)得在未來(lái),底層的layout也好,數(shù)字電路設(shè)計(jì)也好,基本一個(gè)普通的大專生培訓(xùn)3個(gè)月就可以非常輕松的上手,毫不夸張的說(shuō),只要你懂歐姆定律,就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)平板電腦的設(shè)計(jì),因?yàn)楝F(xiàn)在的很多功能都已經(jīng)sip到了芯片內(nèi)部去了,哪怕是模擬RF部分,現(xiàn)在也將LNA、SWITCH等等射頻電路集成了,前端只有做個(gè)天線的阻抗匹配即可,所以你可以看到,其實(shí)技術(shù)依然在,只是越來(lái)越多的活被做芯片人干掉了,所以我以時(shí)俱進(jìn),去干一干系統(tǒng)集成的一個(gè)部分:如何通過(guò)芯片級(jí)的設(shè)計(jì)去解決一些板級(jí)發(fā)生的問(wèn)題。

在研究挖礦機(jī)的時(shí)候,我發(fā)現(xiàn)了一個(gè)比較嚴(yán)峻的問(wèn)題:

由于芯片的電流非常的大,傳統(tǒng)的芯片VCC和VSS的焊盤設(shè)計(jì)見(jiàn)下圖:

礦機(jī)中的芯片封裝設(shè)計(jì)方案

上圖設(shè)計(jì),工程師一般要把DIE放置在VSS焊盤上,因此我們會(huì)看到,電流的流通路徑必然會(huì)是從VCC焊盤取電,然后通過(guò)基板在通過(guò)DIE的BALL傳遞到內(nèi)核,在經(jīng)過(guò)die的BALL傳導(dǎo)到基板在下到PAD在回到電源負(fù)極,見(jiàn)圖,

礦機(jī)中的芯片封裝設(shè)計(jì)方案

如果電流很小,那么我么可以不用考慮這個(gè)路徑上的阻抗導(dǎo)致的drop。然而B(niǎo)TC的芯片過(guò)電流往往會(huì)是30A以上,因此我以30A模擬仿真了下數(shù)據(jù),可以發(fā)現(xiàn)一些端倪:

礦機(jī)中的芯片封裝設(shè)計(jì)方案

上圖可以看到,紅色部分為VCC焊盤下方,設(shè)置的輸入源,我們看IR-DROP可以看到,在DIE的下端明顯壓降遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于上端。這就會(huì)造成一個(gè)問(wèn)題:DIE下端的單元獲取到電壓會(huì)低于上端電壓,進(jìn)而如果按理論VCC=0.5V供電會(huì)導(dǎo)致下端的計(jì)算單元的正確率低于上端,如何解決該問(wèn)題呢?一個(gè)簡(jiǎn)單的辦法就是加壓:把電壓抬高到下端能夠達(dá)到0.5V,但是這樣造成一個(gè)新問(wèn)題:上端的單元供電電壓偏高進(jìn)而造成功耗增大。。 ^. E’ W“ |; Z$ u

以上問(wèn)題,如果是一個(gè)原理工程師或者PCB工程師或者單純的substrate工程師都可能無(wú)法真正的認(rèn)識(shí)到并做出改進(jìn),因?yàn)閷?shí)際上對(duì)于封裝工程師而言,也許他不會(huì)意識(shí)到系統(tǒng)設(shè)計(jì)上的大電流給后端造成的困擾,而原理圖工程師由于不清楚封裝設(shè)計(jì)原理從而無(wú)從下手,很好,我發(fā)現(xiàn)我可以做這件事,因?yàn)槲壹榷冒寮?jí)設(shè)計(jì)又懂芯片設(shè)計(jì),應(yīng)該有機(jī)會(huì)靠這個(gè)混碗飯吃。1 p& Q” \/ C3 E4 r

如何改進(jìn)改辦法呢?我們還是要分析一下,用的知識(shí)點(diǎn)不懂,就是歐姆定律:壓降大原因是阻抗大,為什么阻抗大?是因?yàn)檫^(guò)電流層只有基板上的銅,而這個(gè)銅一般只有30um,在30A的電流下,催生了如此大的壓降。因此改進(jìn)點(diǎn)就是:如何降低路徑上的阻抗。方法如下:- S4 M. P5 a2 ` {。 x8 d9 v/ j

1、基板加層。我去,太貴了。

2、基板銅厚增加,一樣,太貴了。

3、減短路徑。

我考慮了下,第三個(gè)辦法應(yīng)該是可行的,如何減短路徑?我把焊盤重新調(diào)整了下:

礦機(jī)中的芯片封裝設(shè)計(jì)方案

上圖的改進(jìn)點(diǎn)在于,我將電源的焊盤延伸下來(lái)了,由于PCB銅厚可以做的2OZ,因此可以大大減小路徑阻抗,同時(shí)由于四周都進(jìn)電源,也能側(cè)面減小路徑,看一下仿真圖:

礦機(jī)中的芯片封裝設(shè)計(jì)方案

結(jié)果果然:very good!

真想做一下這個(gè)測(cè)試,可惜做一個(gè)16nm的芯片從RTL設(shè)計(jì)到板級(jí) 沒(méi)有2000萬(wàn)是下不來(lái)了,遺憾沒(méi)有辦法實(shí)際來(lái)驗(yàn)證一下這個(gè)結(jié)論。然而從這里有可以看到,越往芯片級(jí)的設(shè)計(jì),越需要設(shè)計(jì)者考慮的更加的充分,做好仿真,通過(guò)理論和仿真進(jìn)行對(duì)比,進(jìn)而做出最優(yōu)的設(shè)計(jì),因?yàn)槟阍僖膊桓艺f(shuō):錯(cuò)了沒(méi)事,咱在打一板不就得了。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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    發(fā)表于 11-13 17:16 ?0次下載

    為什么需要封裝設(shè)計(jì)?封裝設(shè)計(jì)做什么?

    做過(guò)封裝設(shè)計(jì),做過(guò)PCB板級(jí)的設(shè)計(jì),之前和網(wǎng)友有過(guò)交流,問(wèn)題是:為什么要封裝設(shè)計(jì)?信號(hào)完整性體系從大的方面來(lái)看:芯片級(jí)->封裝級(jí)->板級(jí)。
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