晉華將放棄DARM轉(zhuǎn)向晶圓代工業(yè)務(wù)?

根據(jù)韓國《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》的報(bào)導(dǎo)，中國DRAM存儲器廠福建晉華在遭到美國政府的禁售令，使得合作伙伴***聯(lián)電停止合作，加上遭到美國司法部以商業(yè)間諜罪起訴之后，目前幾乎陷于停擺狀態(tài)。有鑒于之前已經(jīng)投入超過 50 億美元資金的情況下，目前有計(jì)劃考慮轉(zhuǎn)做晶圓代工的業(yè)務(wù)。如此一來，身為中國主要的 DRAM 廠商的福建晉華如果真的放棄 DRAM 生產(chǎn)，長期將不利于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，但對全球存儲器市場與韓國半導(dǎo)體公司將會相當(dāng)有利。

目前在DRAM存儲芯片領(lǐng)域，三星、海力士和美光三大巨頭占據(jù)了超過90%的市場份額，美光份額為23%。中國是全球最大的DRAM芯片進(jìn)口國，DRAM芯片價格在2017年上漲了40%。去年6月，中國反壟斷機(jī)構(gòu)啟動了對三大巨頭的反壟斷調(diào)查，認(rèn)為三大巨頭涉嫌進(jìn)行價格壟斷。

緊接著，10月，美國商務(wù)部宣布，對福建晉華集成電路有限公司實(shí)施禁售令，禁止美國企業(yè)向后者出售技術(shù)和產(chǎn)品，稱福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為，給美國帶來了嚴(yán)重風(fēng)險。

自美國政府下達(dá)禁售令，禁止半導(dǎo)體設(shè)備出口給福建晉華之后，根據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》的報(bào)導(dǎo)，***的合作伙伴聯(lián)電將因此降低與福建晉華的合作，以免影響自身晶圓代工業(yè)務(wù)。

福建晉華是福建省電子信息集團(tuán)、泉州和晉江市政府在2016年共同出資設(shè)立的存儲芯片制造商，是我國“十三五”集成電路重大產(chǎn)能布局規(guī)劃中的企業(yè)。福建晉華與中國***的聯(lián)華電子達(dá)成技術(shù)合作，主要生產(chǎn)DRAM芯片。

而福建晉華正是希望在DRAM芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)芯片的突圍。福建晉華的一期芯片工程總投資人民幣370億元，已在去年9月正式投產(chǎn)。按照此前規(guī)劃，投產(chǎn)后月產(chǎn)能將達(dá)到6萬片12英寸晶圓。

韓國《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》進(jìn)一步指出，在遭受到美國持續(xù)打壓之下，相關(guān)業(yè)界分析師指出，中國 DRAM 存儲器要取得相關(guān)核心技術(shù)將越趨困難。如此一來，將對韓國 DRAM 存儲器廠商有利。其中，SK 海力士就認(rèn)為，受到 OEM 庫存調(diào)整影響，短期需求將急速下滑。但是長期來說，對存儲器的發(fā)展，以及資料中心對存儲器的需求成長仍是抱持正面看法。另外，相關(guān)業(yè)界人士也表示，在中國廠商逐步退出 DRAM 存儲器市場之后，將對產(chǎn)業(yè)秩序以及技術(shù)提升與成本都有機(jī)會持續(xù)提高。

報(bào)導(dǎo)指出，福建晉華將放棄 DRAM，改做晶圓代工的原因，主要是因未能延續(xù)與***聯(lián)電的合作。根據(jù)計(jì)劃，未來一旦產(chǎn)線轉(zhuǎn)換完成后，相關(guān)生產(chǎn)將由聯(lián)電負(fù)責(zé)管理。此外，在種種外在因素下，加上當(dāng)前因?yàn)橹忻蕾Q(mào)易戰(zhàn)越演越烈，使得福建晉華回到量產(chǎn) DRAM 的機(jī)會幾乎不可能，但是又不能把之前投資的昂貴設(shè)備棄之不顧的情況下，所以將轉(zhuǎn)做對中國來說附加價值相對較低的晶圓代工業(yè)務(wù)。

福建晉華近況----低調(diào)運(yùn)轉(zhuǎn)不停工

國內(nèi) DRAM 技術(shù)陣營福建晉華在被美方列入出口管制清單當(dāng)日，所有美系設(shè)備商全數(shù)撤出，之后甚至傳出整個工廠陷入停擺，然事實(shí)上，福建晉華仍是低調(diào)持續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，且最大***龍頭 ASML 默默支持并未撤出，目前由福建晉華總經(jīng)理陳正坤坐鎮(zhèn)，采“龜息大法”維持工廠正常運(yùn)作。

（來源：ASML）

2018 年 10 月 29 日美國一紙禁令宣布晉華被列為出口管制清單中，隔天 30 日，美系設(shè)備、材料等供應(yīng)商全面撤出，包括機(jī)臺安裝、協(xié)助生產(chǎn)等動作也立刻停止，之后傳出連非美系的供應(yīng)商也撤出，整個 12 寸廠房呈現(xiàn)停擺狀態(tài)。事實(shí)上，目前福建晉華的 12 寸廠房仍是低調(diào)運(yùn)轉(zhuǎn)中，且***大廠 ASML 并未如外傳撤出，仍是默默支持，ASML 對 DT 君表示，會在符合各種法規(guī)要求的前提下，正常支持客戶。很顯然地，雖然遭遇巨大沖擊和壓力，晉華也走到此一險境，但并沒有放棄 DRAM 技術(shù)計(jì)劃，現(xiàn)階段的晉華員工仍是抱著沒有退路的信念繼續(xù)做下去，戰(zhàn)到最后一刻。受到晉華事件沖擊，國內(nèi)另一個 DRAM 技術(shù)陣營合肥長鑫的動態(tài)則是更為低調(diào)。業(yè)界透露，合肥長鑫的 DRAM 芯片已經(jīng)研發(fā)出來，良率也不錯，但礙于眼前的“晉華風(fēng)暴”，可能會延后量產(chǎn)。再者，由于之前不少美光前員工加入合肥長鑫的團(tuán)隊(duì)，為了規(guī)避目前鋒頭正盛的 DRAM 專利侵權(quán)疑慮，長鑫也雇用不少來自前三星電子（Samsung Electronics）、 SK 海力士（SK Hynix）的韓國研發(fā)團(tuán)隊(duì)，竭盡所能地淡化美系色彩。

（來源：SK海力士）

不過，傳出之前“晉華案”爆發(fā)后，這些韓籍員工返回韓國后，有被當(dāng)?shù)卣瓣P(guān)切”，顯示國內(nèi)自制存儲“芯”的風(fēng)潮，仍是處于國際間的嚴(yán)密注視中。

眼前的福建晉華幾乎是采用“龜息大法”在維持生命狀態(tài)，讓工廠的運(yùn)作繼續(xù)撐下去，但來自三面的壓力仍是持續(xù)。一方面是來自美國司法部的起訴已在美國舊金山聯(lián)邦法院開庭，晉華、聯(lián)電提出無罪抗辯，爭取從美國商務(wù)部出口管制清單中移除。面對美國司法部的起訴，晉華和聯(lián)電在美國分別尋找適合的律師協(xié)助處理該案，然而，晉華也遇到不少阻礙，主要是因?yàn)槊绹嗉抑穆蓭熓聞?wù)所都與美系存儲大廠美光（Micron）簽約，而美光正是“晉華案”的幕后主要推手。后來，晉華找到的律師為曾擔(dān)任聯(lián)邦檢察官的 Christine Y. Wong，聯(lián)電則是找來之前在美國歐巴馬時代，擔(dān)任聯(lián)邦司法部助理總檢察長的 Leslie R. Caldwell，作為辯護(hù)律師。晉華遇到第二層面的壓力，則是技術(shù)合作伙伴聯(lián)電的終止 DRAM 技術(shù)開發(fā)計(jì)劃。根據(jù)原本規(guī)劃，聯(lián)電接受晉華委托的 DRAM 技術(shù)開發(fā)計(jì)畫是在聯(lián)電南科廠進(jìn)行研發(fā)，待研發(fā)成功后，該組百人的 DRAM 研發(fā)團(tuán)隊(duì)將從聯(lián)電轉(zhuǎn)移至?xí)x華，只是這組人還沒轉(zhuǎn)過去，美國的出口禁令就已經(jīng)先一步出手?jǐn)r截，現(xiàn)在這一組百人團(tuán)隊(duì)在聯(lián)電已經(jīng)內(nèi)轉(zhuǎn)到其他部門。除了上述的美國司法大刀、合作伙伴退出 DRAM 技術(shù)開發(fā)計(jì)畫外，晉華遇到的第三層阻礙是來自美系供應(yīng)商的撤出。2018 年 10 月底美國出口管制禁令一出，所有美系供應(yīng)商包括 Applied Materials 、 KLA Corporation 、 Lam Research 、 Gatan 、 ECI Technology 、 Broker 、 Engegris 等全數(shù)撤出晉華，不過，部分非美系供應(yīng)商并沒有撤出，且晉華的晶圓廠仍是維持正常運(yùn)作。由于福建晉華先前已經(jīng)采購可生產(chǎn)幾千片的半導(dǎo)體機(jī)臺設(shè)備，用以支應(yīng)今年初進(jìn)入小量投產(chǎn)，現(xiàn)在這些設(shè)備雖沒有美系設(shè)備商人員協(xié)助生產(chǎn)，但晉華仍是想辦法讓機(jī)臺正常運(yùn)作，在耗材原物料方面，則是找韓系、日系的供應(yīng)商代替美系的料源。再者，合肥長鑫的 DRAM 技術(shù)開發(fā)計(jì)劃是基于北京兆易創(chuàng)新、合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股簽署的《關(guān)于存儲器研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》，進(jìn)行 19nm 工藝研發(fā)，總預(yù)算約為 180 億元人民幣，雙方籌資比例為 1 ：4，目標(biāo)是在 2018 年 12 月 31 日前實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率 (測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例) 不低于 10% 目標(biāo)。兆易創(chuàng)新也于 2018 年 12 月 28 日公告，經(jīng)溝通確認(rèn)，雙方約定合作的 DRAM 研發(fā)項(xiàng)目將繼續(xù)推進(jìn)實(shí)施。