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MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開始分流

MZjJ_DIGITIMES ? 來(lái)源:cc ? 2019-01-25 10:06 ? 次閱讀

幾乎所有的新興存儲(chǔ)器出道時(shí)都宣稱與CMOS工藝兼容,意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲(chǔ)器。這意味著開發(fā)一種存儲(chǔ)器技術(shù)可以一魚兩吃,適用于嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器。但是從歷史的發(fā)展來(lái)看,這樣的一廂情愿最后很難堅(jiān)持,像eDRAM幾乎很少用過(guò),eFlash最終停留在65nm,很難與邏輯制程一起微縮,而且此時(shí)的嵌入式存儲(chǔ)器工藝與獨(dú)立式存儲(chǔ)器工藝早已大相徑庭了!

MRAM在嵌入式存儲(chǔ)器先馳得點(diǎn),在28/22 nm中成為eFlash的替代,在7/5 nm世代也成為L(zhǎng)3 cache的替代。能當(dāng)成替代,自然在讀寫速度、功耗、單元面積等有綜合優(yōu)勢(shì)。

但是早期發(fā)展MRAM技術(shù)的單元面積一般為50f2,雖然MRAM的優(yōu)點(diǎn)之一是可以持續(xù)微縮,但這與之DRAM的6f2、甚至cross point的4f2仍然相去甚遠(yuǎn),要當(dāng)成獨(dú)立存儲(chǔ)器,首先在價(jià)格上就吃了虧,僅可在特殊利基市場(chǎng)攻城掠地。

MRAM的單元面積在嵌入式工藝大概是50f2。單元面積微縮的瓶頸在于底層控制開關(guān)的CMOS,而不在上頭的儲(chǔ)存元件MTJ(Magnetic Tunnel Junction)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,TMR(Tunnel Magnetoresistance Ratio;穿隧磁阻比例,MTJ在狀態(tài)1與0時(shí)的磁阻差額對(duì)于狀態(tài)0磁阻值的比例—簡(jiǎn)單的說(shuō),兩個(gè)狀態(tài)有多大的差別)值對(duì)于MTJ直徑微縮不敏感。TMR值不能太小,否則讀取儲(chǔ)存數(shù)據(jù)時(shí)就會(huì)產(chǎn)生失誤。所以MTJ是可以持續(xù)微縮的。

有困難的是底下控制電流的CMOS。CMOS要提供足夠的電流、而這電流在通過(guò)鐵磁層或被反射后形成極化的自旋流,進(jìn)而翻轉(zhuǎn)另一鐵磁層(自由層)的磁矩,這就是STT(Spin Torque Transfer)的機(jī)制。

但是所有的存儲(chǔ)器—甚至包括量子位元—都有穩(wěn)定性和可操控的兩難:穩(wěn)定的不好操控,容易操控的不穩(wěn)定,兩個(gè)極端譬如NAND Flash與DRAM。MRAM要當(dāng)永久存儲(chǔ)器,鐵磁層中的磁矩便要經(jīng)得起熱擾動(dòng),儲(chǔ)存要穩(wěn)固。穩(wěn)固的狀態(tài)就要用較大的力氣來(lái)切換狀態(tài),底下的CMOS就要提供足夠的電流來(lái)切換,因此CMOS的尺寸小不下來(lái)。

要降低CMOS的單元面積,釜底抽薪的方法是用SOT(Spin-Obit Torque)來(lái)翻轉(zhuǎn)磁矩,基本上它是用材料中晶格上原子軌域?qū)﹁F磁層磁矩產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩,因?yàn)榫Ц竦脑颖萐TT中的電子重多了,轉(zhuǎn)矩的力道也大。在相同的電流下,它產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩比STT大至少一個(gè)數(shù)量級(jí)。這可以解決目前面臨的單元面積、寫入速度、功耗等問(wèn)題。

但是也有快速的解決方法,師DRAM之故智。DRAM的CMOS與邏輯制程的CMOS有很大的差異;DRAM的要求是尺寸比較緊致、低漏電流,而邏輯CMOS則要求速度快,所以二者的結(jié)構(gòu)不太相同。在SDRAM、DDR DRAM時(shí)代DRAM就開始用recessed gate來(lái)滿足上述要求,而附帶的特性為驅(qū)動(dòng)電流比相同面積平面型CMOS的驅(qū)動(dòng)電流大。用此一制程于MRAM,Hynix與Toshiba于2016 IEDM發(fā)表了4Gb MRAM,其單元面積只有9f2,已經(jīng)非常接近過(guò)去DRAM的6f2了,而且現(xiàn)在MRAM寫入速度也開始超車了。

看來(lái)MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開始分流,代工廠搞代工廠的、存儲(chǔ)器搞存儲(chǔ)器的,至少在前段工藝是如此。一個(gè)接下來(lái)的問(wèn)題是未來(lái)MRAM有沒(méi)有機(jī)會(huì)替代DRAM?這個(gè)問(wèn)題于今年4月在***地區(qū)舉辦的VLSI-TSA就可見分曉,敬請(qǐng)拭目以待。請(qǐng)看今日之域中 竟是誰(shuí)家之天下?

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原文標(biāo)題:【椽經(jīng)閣】嵌入式MRAM和獨(dú)立式MRAM要分流了!

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