“中國集成電路產(chǎn)業(yè)目前還非常脆弱,預(yù)計(jì)再過5年才能站穩(wěn)腳跟,屆時將在全球有一席之地,屆時三分天下或四分天下能有其一?!弊瞎饧瘓F(tuán)董事長趙偉國稱。為了在全球集成電路產(chǎn)業(yè)中占據(jù)一席之地,紫光集團(tuán)頻頻動作,持續(xù)加碼存儲業(yè)務(wù),近日在南京與成都的項(xiàng)目新基地紛紛動工,全部建成月產(chǎn)能各達(dá)30萬片,與武漢長江存儲已形成“三箭齊發(fā)”態(tài)勢。
紫光存儲新調(diào)整 國微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)
基于紫光集團(tuán)在存儲領(lǐng)域的整體戰(zhàn)略布局考量,紫光國微開始資產(chǎn)調(diào)整。紫光國微 10 月 11 日晚間公告,擬將從事 DRAM 芯片設(shè)計(jì)的全資子公司西安紫光國芯 100% 股權(quán)以 2.20 億元轉(zhuǎn)讓給同集團(tuán)、從事存儲模組業(yè)務(wù)的北京紫光存儲,這象征著紫光集團(tuán)旗下資產(chǎn)持續(xù)進(jìn)行整合,試圖集中存儲事業(yè)戰(zhàn)力。
剝離紫光國芯后的紫光國微,主要產(chǎn)品將集中在智能安全芯片的研發(fā)領(lǐng)域上。
成立于 2017 年 8 月的北京紫光存儲,角色偏向于存儲模組廠產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)和自有品牌銷售,2018年8月攜旗下8個系列的存儲產(chǎn)品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。未來加入西安紫光國芯的 DRAM 設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),可能會朝 DRAM 產(chǎn)品領(lǐng)域著力,讓整個存儲產(chǎn)品線的布局更為完整。
而紫光國微剝離DRAM,也能夠更加專注于安全芯片領(lǐng)域。這樣對雙方都比較有利,能夠避免未來可能存在的競爭,戰(zhàn)略上能統(tǒng)一到一起。
國內(nèi)存儲芯片才起步 萬事起頭難
然而,和NAND Flash一樣,國內(nèi)的DRAM之前也近乎一片空白。據(jù)集邦科技旗下的DRAMeXchange公布的2018年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場的報(bào)告顯示,三星以43.6%的市占率奪得第一;海力士排名第二,市占率達(dá)29.9%;美光則以21.6%的市占率排為第三。
由此可看出,三星、美光和海力士已經(jīng)占據(jù)了全球95%的DRAM市場份額,國內(nèi)的DRAM發(fā)展前景嚴(yán)峻。
日前美光科技CEO Sanjay Mehrotra接受媒體訪問時直言,想晉身全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高,中國內(nèi)存芯片制造商日前仍對美光、 三星及SK海力士等主要廠商不構(gòu)成威脅。他指出,中國廠商在開發(fā)NAND及DRAM上,仍處在“非常早期”階段。
隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲戰(zhàn)力,還待時間觀察。
紫光國產(chǎn)芯又一步 南京、成都存儲器基地開工
2018年9月30日,紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目項(xiàng)目開工,總投資300億美元。項(xiàng)目一期投資約105億美元,月產(chǎn)芯片10萬片,主要產(chǎn)品為國內(nèi)長期依賴進(jìn)口的3D NAND FLASH(閃存)、DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)存儲芯片等。預(yù)估項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬片。
緊接著,2018年10月12日,紫光成都存儲器制造基地在成都開工。據(jù)官方介紹,紫光成都存儲器制造基地項(xiàng)目占地面積約1200畝,總投資達(dá)240億美元,將建設(shè)12吋3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線,并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。據(jù)悉,項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬片。
而此前,紫光集團(tuán)董事長趙偉國曾表示,紫光計(jì)劃在10年內(nèi)在芯片制造領(lǐng)域投資超過1000億美元,目前已籌集1800億元人民幣,其中800億人民幣投資武漢的存儲工廠,并計(jì)劃用另外1000億人民幣在成都、南京再建兩個存儲工廠。力爭讓中國企業(yè)進(jìn)入世界內(nèi)存企業(yè)的第一梯隊(duì),到2020年,計(jì)劃把中國芯片制造自產(chǎn)率從 8%提升到40%。
隨著南京、成都項(xiàng)目的相繼開工,預(yù)示著紫光集團(tuán)在芯片制造產(chǎn)業(yè)十年1000億美元的投資布局計(jì)劃又邁進(jìn)了一步。
至此,加上2016年12月30日在武漢開工的長江存儲,紫光3D存儲計(jì)劃三地“三箭齊發(fā)”,其存儲器國產(chǎn)夢又進(jìn)了一步。
縱觀紫光集團(tuán)在存儲領(lǐng)域上的布局,紫光在存儲領(lǐng)域正在研發(fā)128層堆棧256Gb的3D NAND,今年年底可以量產(chǎn)32層堆棧64Gb的3D NAND,明年將會量產(chǎn)64層堆棧128Gb的3D NAND,同時導(dǎo)入創(chuàng)新的 Xtacking 技術(shù)。此外,官方表示,DDR4芯片正在研發(fā)中,預(yù)計(jì)2018年底將會推向市場。
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原文標(biāo)題:南京成都新基地動工 紫光打響存儲突圍戰(zhàn)
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