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探究嵌入式儲(chǔ)存器FLASH和RAM的區(qū)別

電子工程師 ? 來源:cc ? 2019-02-26 08:40 ? 次閱讀

FLASH

Flash即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。普通的單片機(jī)主要用作程序存貯器就是FLASH,也就是替代以前的ROM,最大的優(yōu)點(diǎn)是降低了芯片的成本并且可以做到電擦寫。

目前市場上單片機(jī)的FALSH壽命相差比較大,擦寫次數(shù)從1000~10萬的都有,但存儲(chǔ)時(shí)間可以保證40年,在選用時(shí)要注意.還有一些廉價(jià)的單片機(jī)為了集成可掉電的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,沒有選用價(jià)格昂貴的EEPROM,而用FALSH來做的,這種單機(jī)片其壽命最多就10萬次,而且還不能進(jìn)行字節(jié)擦寫,這要注意使用的場合其壽命是否滿足要求.

RAM

RAM(Random Access Memory )隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,主要作用是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU 需要時(shí)調(diào)用,跟計(jì)算機(jī)里面的內(nèi)存差不多,主要是用來存放程序運(yùn)行中的過程數(shù)據(jù),掉電后就會(huì)丟失之前的數(shù)據(jù),所以程序在上電時(shí)需要進(jìn)行初始化,否則上電后的數(shù)據(jù)是一個(gè)隨機(jī)數(shù),可能導(dǎo)致程序奔潰.

ROM就是程序存儲(chǔ)器,掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,但在程序運(yùn)行過程中其數(shù)據(jù)不會(huì)改變.早期的單片機(jī)的ROM因?yàn)椴翆懶薷穆闊?價(jià)格昂貴或者價(jià)格低廉的OTP語音芯片無法修改數(shù)據(jù)等原因已經(jīng)被現(xiàn)在的FLASH存儲(chǔ)器替代了.因?yàn)镕LASH的擦寫很容易,現(xiàn)在的部分單片機(jī)支持在線內(nèi)部編程,通過特定的程序執(zhí)行方式可以修改FALSH的內(nèi)容,而實(shí)現(xiàn)在線修改程序存儲(chǔ)器.這與上面說的程序存儲(chǔ)器的內(nèi)容在運(yùn)行的時(shí)候不可被改變是不沖突的,因?yàn)樵诔绦蛘_\(yùn)行時(shí),其內(nèi)容不會(huì)改變,只工作在只讀狀態(tài)下的.。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:OTP語音芯片嵌入式儲(chǔ)存器FLASH和RAM的區(qū)別?

文章出處:【微信號(hào):jiuxin2010,微信公眾號(hào):九芯智能】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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