沙子:硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,這也是半導體制造產業(yè)的基礎。
硅熔煉:12英寸/300毫米晶圓級,下同。通過多步凈化得到可用于半導體制造質量的硅,學名電子級硅(EGS),平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(Ingot)。
單晶硅錠:整體基本呈圓柱形,重約100千克,硅純度 99.9999%。
硅錠切割:橫向切割成圓形的單個硅片,也就是我們常說的晶圓 (Wafer)。順便說,這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧?
晶圓:切割出的晶圓經過拋光后變得幾乎完美無瑕,表面甚至可以當鏡子。事實上, Intel自己并不生產這種晶圓,而是從第三方半導體企業(yè)那里直接購買成品,然后利用自己的生產線進一步加工,比如現(xiàn)在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是,InteI公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米
光刻膠(Photo Resist):圖中藍色部分就是在晶圓旋轉過程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。
光刻:光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下,變得可溶,期間發(fā)生的化學反應類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預 先設計好的電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說,在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。
光刻:由此進入納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個處理器,不過從這里開始把視野縮小到其中一個上,展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當于開關,控制著電流的方向?,F(xiàn)在的晶體管已經如此之小,一個針頭上就能放下大約3000萬個。
溶解光刻膠:光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致
蝕刻:使用化學物質溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。
清除光刻膠:蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。
光刻膠:再次澆上光刻膠(藍色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。
離子注入(lonImplantation):在真空系統(tǒng)中,用經過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層,并改變這些區(qū)域的硅的導電性。經過電場加速后,注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。
清除光刻膠:離子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入區(qū)域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經有所不同。
晶體管就緒:至此,晶體管已經基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。
電鍍:在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。
銅層:電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個薄薄的銅層。
拋光:將多余的銅拋光掉,也就是磨光晶圓表面。
金屬層:晶體管級別,六個晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復合互連金屬層,具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑,但事實上可能包含20多層復雜的電路,放大之后可以看到極其復雜的電路網絡,形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。
晶圓測試:內核級別,大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部,正在接受第一次功能性測試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比。
晶圓切片(Slicing):晶圓級別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個處理器的內核(Die)。
丟棄瑕疵內核:晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內核被拋棄,留下完好的準備進入下一步。
單個內核:內核級別。從晶圓上切割下來的單個內核,這里展示的是Corei7的核心。
封裝:封裝級別,20毫米/1英寸。襯底(基片)、內核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當于一個底座,并為處理器內核提供電氣與機械界面,便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負責內核散熱的了。
等級測試:最后一次測試,可以鑒別出每一顆處理器的關鍵特性,比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等,并決定處理器的等級,比如適合做成最高端的Corei7-975Extreme,還是低端型號Corei7-920。
裝箱:根據(jù)等級測試結果將同樣級別的處理器放在一起裝運。
零售包裝:制造、測試完畢的處理器要么批量交付給OEM廠商,要么放在包裝盒里進入零售市場。
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原文標題:芯科普 | 圖解intel芯
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