集成電路封裝專業(yè)術(shù)語整理合集

晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)

晶圓術(shù)語

1. 芯片、器件、電路、微芯片或條碼：所有這些名詞指的是在晶圓表面占大部分面積的微芯片圖形。

2.劃片線或街區(qū)：這些區(qū)域是在晶圓上用來分隔不同芯片之間的間隔區(qū)。劃片線通常是空白的，但有些公司在間隔區(qū)內(nèi)放置對準(zhǔn)標(biāo)記，或測試的結(jié)構(gòu)。

3.工程試驗芯片和測試芯片：這些芯片與正式器件芯片或電路芯片不同。它包含特殊的器件和電路模塊用于對晶圓生產(chǎn)工藝的電性測試。

芯片術(shù)語

下圖是一個中規(guī)模（MSI）/雙極型集成電路的顯微照片。之所以選擇這個集成等級，是為了照片上能顯示出電路的具體圖形。對于更高集成度的電路，它的元件非常小，以至于在整個芯片的顯微照片上無法辨認(rèn)。

圖中芯片的特性有：

1. 雙極型晶體管

2. 電路的特定編號

3. 為連接芯片與管殼而備的壓焊點

4. 壓焊點上的一小塊污染物

5. 金屬表面導(dǎo)線

6. 劃片線（芯片間的分割線）

7. 獨立未連接的元件

8. 掩模版對準(zhǔn)標(biāo)記

9. 電阻

晶圓生產(chǎn)的基礎(chǔ)工藝

薄膜工藝

薄膜工藝是在晶圓表面形成薄膜的加工工藝。

各種技術(shù)用于二氧化硅層生長和各種材料的沉積。

通用的淀積技術(shù)是物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、蒸發(fā)和濺射、分子束、外延生長、分子束外延和原子層淀積。使用電鍍在高密度集成電路上淀積金屬化層。

圖形化工藝

圖形化工藝是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去工藝。從此之后，晶圓表面會留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去部分的可能形狀是薄膜內(nèi)的空或是殘留的島狀部分。

圖形化工藝也被未大家熟知的廣掩模、掩模、光刻或微光刻。在晶圓制造過程中，晶體三極管、二極管、電容器和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內(nèi)構(gòu)成。

圖形的錯位也會導(dǎo)致類似的不良結(jié)果。圖形化工藝中的另一個問題是缺陷。圖形化工藝是高科技版本的照相術(shù)，只不過是在難以置信的微小尺寸小完成的。在制程中的污染物會造成缺陷。事實上由于圖形化工藝在現(xiàn)代晶圓生產(chǎn)過程中要完成30層或更多，所以污染問題將會放大。