西數(shù)開發(fā)低延遲閃存(LLF),用于與英特爾的傲騰存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)
據(jù)報(bào)道，西數(shù)正在開發(fā)自己的LLF低延遲閃存，與傳統(tǒng)的3D NAND相比，它將提供更高的性能和耐用性，最終用于與英特爾的傲騰存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)。
在本周的活動(dòng)上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。
西數(shù)表示，LLF閃存的成本比DRAM低10倍，但是按照每GB價(jià)格計(jì)算，3D內(nèi)存的成本仍是3D NAND的20倍，因此它只能用于針對(duì)數(shù)據(jù)中心或高端工作站，類似于現(xiàn)在的英特爾Optane和三星Z-NAND。
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