0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

美光公司宣布削減產(chǎn)量5%并將資本支出調(diào)降5億美元 用以抵消內(nèi)存價(jià)格下跌帶來的影響

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-03-25 16:04 ? 次閱讀

最近半年內(nèi)存的價(jià)格一直跌跌不休,截至2019年2月28日的季度平均銷售價(jià)格(ASP)比上一季度足足下跌了25%,現(xiàn)在電商平臺(tái)價(jià)格低于300元的8GB DDR4內(nèi)存比比皆是。按照目前的發(fā)展態(tài)勢(shì),在不久之后,內(nèi)存極有可能會(huì)回復(fù)到2016年的低位價(jià)格。

消費(fèi)者的裝機(jī)成本下降了,但是內(nèi)存廠商卻不開心了。美光近日公布的2019會(huì)計(jì)年度第2季(截至2月28日)財(cái)報(bào)顯示:當(dāng)季營收降至58.35億美元,與去年同期相比少2成,也較上一季下滑26.3%,為兩年多來首度衰退。

展望2019財(cái)年第三季度,美光預(yù)計(jì)收入將連續(xù)下降約17%至46.5億美元,毛利率將從上一季度的50%下滑至37-40%。

半導(dǎo)體廠商阻止內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的手段無外乎就是削減產(chǎn)能!

日前,美光公司已宣布計(jì)劃將其DRAM和NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)量削減5%,并將資本支出將調(diào)降5億美元,用以抵消內(nèi)存價(jià)格下跌帶來的影響。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 內(nèi)存芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    124

    瀏覽量

    21837
  • 美光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    707

    瀏覽量

    51392
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    LG新能源削減支出,增長預(yù)期保守

    10月28日,韓國電池巨頭LG新能源周一宣布,鑒于電動(dòng)汽車需求放緩的現(xiàn)狀,公司對(duì)明年的收入增長持保守態(tài)度,并計(jì)劃大幅削減資本支出。該
    的頭像 發(fā)表于 10-28 16:46 ?611次閱讀

    發(fā)布新型CUDIMM與CSODIMM內(nèi)存產(chǎn)品

     公司近期宣布成功推出并已開始批量發(fā)貨兩款新型內(nèi)存模塊——CUDIMM與CSODIMM,這兩款產(chǎn)品均遵循JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)的標(biāo)準(zhǔn),數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:38 ?386次閱讀

    亞馬遜研發(fā)支出領(lǐng)跑全球 研發(fā)支出高達(dá)852美元

    ;研發(fā)支出達(dá)459美元;而華為也上榜全球研發(fā)支出最高的十大公司榜單,位列第七,研發(fā)支出達(dá)23
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:46 ?1346次閱讀

    敗訴!或賠償4.45美元

    產(chǎn)品侵犯了 Netlist的兩項(xiàng)專利,這些專利與提高內(nèi)存模塊性能的技術(shù)有關(guān)。賠償金額定為4.45美元,但陪審員還裁定故意侵犯專利,這可
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:23 ?338次閱讀

    科技面臨4.45美元侵權(quán)賠償

    美國得克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院近日作出裁決,科技被認(rèn)定侵犯了Netlist在高性能計(jì)算內(nèi)存模塊技術(shù)方面的專利權(quán)。根據(jù)陪審團(tuán)的決定,
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:54 ?434次閱讀

    與客戶簽下2025年HBM訂單,HBM內(nèi)存預(yù)計(jì)擴(kuò)增50%

    為了滿足HBM領(lǐng)域的旺盛需求,決定將本財(cái)年的資本支出預(yù)算由原計(jì)劃的75~80美元調(diào)整為80
    的頭像 發(fā)表于 05-22 16:13 ?617次閱讀

    HBM投資增加,2024年資本支出預(yù)測上調(diào)至80美元

    科技適度調(diào)整了2024年的資本開支預(yù)估,加大對(duì)高帶寬存儲(chǔ)(HBM)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領(lǐng)域日益旺盛的需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:59 ?485次閱讀

    科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

    2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:27 ?632次閱讀

    率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品

    – Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB D
    發(fā)表于 05-09 14:05 ?209次閱讀
    <b class='flag-5'>美</b><b class='flag-5'>光</b>率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>產(chǎn)品

    臺(tái)積電今年資本支出目標(biāo)280-320美元 維持不變

    臺(tái)積電報(bào)告稱,今年第一季度的庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為90天,并已提前儲(chǔ)備了3納米產(chǎn)能所需的庫存。此外,該季度的資本支出達(dá)到了57.7美元。
    的頭像 發(fā)表于 04-18 15:55 ?504次閱讀

    美國政府將向提供61美元補(bǔ)貼,建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目

    公司曾于2022年宣布,計(jì)劃在未來20年內(nèi)斥資1000美元,在紐約州克萊建設(shè)兩個(gè)大型晶圓廠
    的頭像 發(fā)表于 04-18 15:43 ?756次閱讀

    推LPDDR5X內(nèi)存,助提升手機(jī)電池續(xù)航

    參考IT之家早先報(bào)道,首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世,最大容量16GB,適配高通驍龍8Gen3平臺(tái);SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR
    的頭像 發(fā)表于 04-15 15:05 ?621次閱讀

    科技攜手三星打造Galaxy S24系列,開啟移動(dòng)AI體驗(yàn)時(shí)代

    Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備已搭載
    的頭像 發(fā)表于 03-15 16:59 ?447次閱讀

    Micron的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品及應(yīng)用

    科技宣布將投資10美元在新加坡建設(shè)一家新的先進(jìn)封裝和測試工廠
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:38 ?862次閱讀
    <b class='flag-5'>美</b><b class='flag-5'>光</b>Micron的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品及應(yīng)用

    臺(tái)積電2023年資本支出降幅達(dá)16.1%

    早前,臺(tái)積電曾預(yù)測2023年總資本支出在320-360美元區(qū)間內(nèi)。而在去年10月的法說會(huì)上,有業(yè)內(nèi)人士稱臺(tái)積電計(jì)劃將原訂的2023年約40
    的頭像 發(fā)表于 01-19 09:59 ?475次閱讀