目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存,一種是LPDDR3,多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中,不可更換;另一種是DDR4,常見于14英寸輕薄本或游戲本中,可更換。
由于很多用戶認為“4”一定比“3”好,所以認定LPDDR3一定不如DDR4。當(dāng)然也有一種聲音力挺LPDDR3,稱LPDDR3功耗更低,有利于輕薄本續(xù)航。
↑↑↑LPDDR3內(nèi)存
我們先聊功耗的問題。LPDDR3功耗確實比DDR4低,但分使用環(huán)境。LPDDR3與DDR4的電壓一致,均為1.2V。
在低負載時,LPDDR3會降低電壓和頻率,比DDR4省電;在高負載時就不好說了,理論上DDR4省電一些。
即使高負載下LPDDR3更省電,省出來的也差不多只有1W左右,杯水車薪。
說白了內(nèi)存本身就不是耗電大戶,說LPDDR3相比DDR4在續(xù)航方面有巨大優(yōu)勢,有些夸大其詞,兩者對于續(xù)航的影響,完全可以忽略。
下面聊聊性能。雖然LPDDR3的功耗低,但不代表LPDDR3的性能差,這里有一個很重要的前提,目前搭載LPDDR3的機型基本都是雙通道,而很多輕薄本采用的是單通道DDR4,從測試數(shù)據(jù)上看,雙通道LPDDR3整體表現(xiàn)要好于單通道DDR4。
具體測試數(shù)據(jù),大家可以看下圖。
從圖中可以看出,雙通道LPDDR3 2133MHz在讀、寫、復(fù)制三方面的性能表現(xiàn)要好于單通道DDR4 2666MHz,追平雙通道DDR4 2400MHz,弱于雙通道DDR4 2666MHz;延遲方面LPDDR3明顯要比DDR4差一些。
測試數(shù)據(jù)已經(jīng)非常直觀了,雙通道LPDDR3的性能表現(xiàn)并不弱,所以大家沒有必要糾結(jié)這一點。
與其關(guān)注LPDDR3還是DDR4,還不如關(guān)注筆記本是否采用雙通道。另外,由于內(nèi)存本身速度已經(jīng)足夠快,無論是LPDDR3還是DDR4、雙通道還是單通道,日常使用是感覺不出區(qū)別的。
所以大家在購買筆記本的時候,建議優(yōu)先考慮內(nèi)存的容量,不必太過于關(guān)注LPDDR3還是DDR4。
選購輕薄本可將8GB視作最低內(nèi)存容量;選購游戲本時,8GB起步,經(jīng)濟允許選擇16GB內(nèi)存。想要深究的朋友再考慮是否為雙通道、內(nèi)存頻率、能否升級等問題。
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