華虹半導(dǎo)體將迎新發(fā)展階段 繼續(xù)聚焦差異化迎無錫工廠量產(chǎn)

3月38日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布2018年度業(yè)績(jī)報(bào)告。在被業(yè)界認(rèn)為市場(chǎng)不太景氣的“艱難”一年里，華虹半導(dǎo)體卻交出了一份不錯(cuò)的成績(jī)單。展望2019年，華虹半導(dǎo)體將迎來無錫工廠的量產(chǎn)，進(jìn)入新的發(fā)展階段。

回顧2018年：需求旺盛，業(yè)績(jī)創(chuàng)新高

數(shù)據(jù)顯示，2018年華虹半導(dǎo)體銷售收入、毛利率、年內(nèi)溢利和凈資產(chǎn)收益率均再創(chuàng)歷史新高。其中，銷售收入9.3億美元，同比增長(zhǎng)15.1%；年內(nèi)溢利創(chuàng)1.86億美元，占銷售收入的20%，同比增長(zhǎng)27.8%；毛利率33.4%，同比增長(zhǎng)0.3%。

華虹半導(dǎo)體表示，2018年度的優(yōu)秀業(yè)績(jī)來源于全球消費(fèi)電子、工業(yè)電子和汽車電子等半導(dǎo)體市場(chǎng)對(duì)本公司差異化技術(shù)需求的持續(xù)增長(zhǎng)、技術(shù)的創(chuàng)新、技術(shù)組合的持續(xù)優(yōu)化以及公司產(chǎn)能的擴(kuò)充。

從技術(shù)類型看，2018年嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是華虹半導(dǎo)體的第一大營(yíng)收來源，營(yíng)收占比38.7%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)15.8%，主要來自智能卡芯片和MCU兩大類。智能卡芯片方面，90納米嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是國(guó)內(nèi)新一代銀行IC卡技術(shù)，其2018年度銀行卡芯片出貨量同比增長(zhǎng)超100%，創(chuàng)歷史新高，是該技術(shù)平臺(tái)營(yíng)收的主要增長(zhǎng)點(diǎn)，也是未來幾年?duì)I收的主力點(diǎn)，MCU方面則利潤(rùn)豐厚。

分立器件是華虹半導(dǎo)體技術(shù)平臺(tái)的第二大營(yíng)收來源，營(yíng)收占比33.4%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)40.5%，出貨量同比增長(zhǎng)16%，其中中高壓分立器件技術(shù)營(yíng)收占比超過50%，是該公司營(yíng)收和研發(fā)的重點(diǎn)。

從客戶類型看，2018年華虹半導(dǎo)體來自無廠芯片設(shè)計(jì)公司和系統(tǒng)公司的營(yíng)業(yè)收入占比為77.5%，同比增長(zhǎng)16.0%，營(yíng)收增長(zhǎng)主要來自中國(guó)區(qū)的無廠芯片設(shè)計(jì)公司客戶群；來自整合器件制造商的營(yíng)業(yè)收入占比為22.5%，同比增長(zhǎng)12.3%。

從區(qū)域市場(chǎng)看，2018年中國(guó)區(qū)仍然是華虹半導(dǎo)體營(yíng)收最大的市場(chǎng)，營(yíng)收占比為56.4%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)17.7%；其次為美國(guó)區(qū)，營(yíng)收占比17.4%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)14.2%；亞洲其他區(qū)域的營(yíng)收增長(zhǎng)最快，同比增長(zhǎng)23.1%；歐洲區(qū)營(yíng)收同比增長(zhǎng)9.1%；日本區(qū)營(yíng)收則同比下滑8.5%。

從終端市場(chǎng)看，2018年華虹半導(dǎo)體的營(yíng)業(yè)收入中最大的是消費(fèi)電子市場(chǎng)，營(yíng)收占比64.3%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)7.1%；工業(yè)和汽車電子市場(chǎng)是其2018年第二大終端市場(chǎng)營(yíng)收來源，營(yíng)收占比20.2%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)78.7%。

在產(chǎn)能方面，2018年華虹半導(dǎo)體現(xiàn)有三個(gè)廠區(qū)產(chǎn)能均略有提升，晶圓制造月產(chǎn)能合計(jì)17.4萬片，產(chǎn)能利用率達(dá)99.2%；運(yùn)營(yíng)晶圓201.6萬片，同比增長(zhǎng)7.9%，是其營(yíng)收增長(zhǎng)的重要原因。華虹半導(dǎo)體表示，2018年度晶圓出貨量首次突破200萬片，實(shí)現(xiàn)了自2014年上市以來出貨量140萬片至今9.5%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。

對(duì)于華虹半導(dǎo)體這一份漂亮的成績(jī)單，一位不愿具名的業(yè)內(nèi)人士表示并不意外。在他看來，一方面是8英寸晶圓代工需求旺盛、訂單一直在排隊(duì)中，而且華虹半導(dǎo)體去年還新增了產(chǎn)能；另一方面華虹半導(dǎo)體在特色工藝領(lǐng)域的技術(shù)和工藝均很強(qiáng)，就純晶圓代工廠而言，華虹半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并不多。

該人士預(yù)估，2019年華虹半導(dǎo)體的成績(jī)將依舊優(yōu)秀。

展望2019年：繼續(xù)聚焦差異化 迎無錫工廠量產(chǎn)

展望2019年，華虹半導(dǎo)體認(rèn)為，基于更多終端應(yīng)用衍生的需求、更多集成電路設(shè)計(jì)公司的蓬勃發(fā)展與IDM公司持續(xù)委托晶圓代工的趨勢(shì)，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)期將持續(xù)健康的增長(zhǎng)，增速高于同期全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增速。

對(duì)于2019年的發(fā)展計(jì)劃，華虹半導(dǎo)體表示將繼續(xù)聚焦8英寸差異化技術(shù)的研發(fā)和優(yōu)化，聚焦物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、5G以及其他新興市場(chǎng)，進(jìn)一步優(yōu)化現(xiàn)有95納米和90納米等嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)，追求更高效低耗的新型IGBT技術(shù)，完善0.13微米RF-SOI射頻技術(shù)，并致力研發(fā)90納米BCD技術(shù)。

此外，華虹半導(dǎo)體還表示，由于全球分立器件需求旺盛，公司計(jì)劃未來一到兩年擴(kuò)充每月約2萬片200mm晶圓產(chǎn)能，進(jìn)一步滿足客戶和市場(chǎng)需求。

值得一提的是，2019年華虹半導(dǎo)體還將迎來無錫工廠的量產(chǎn)。華虹無錫已于2018年底主體結(jié)構(gòu)全面封頂，預(yù)計(jì)將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設(shè)，下半年開始搬入設(shè)備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

為加快實(shí)現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)和上量，華虹半導(dǎo)體在2018年就啟動(dòng)了55nm邏輯工藝及相關(guān)IP的研發(fā)，預(yù)計(jì)2019年下半年開始導(dǎo)入客戶，同時(shí)開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲(chǔ)單元，功能驗(yàn)證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術(shù)量產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

華虹半導(dǎo)體表示，華虹無錫是公司產(chǎn)能的升級(jí)，也是公司發(fā)展的新階段和新的里程碑。