sram與sdram的區(qū)別

DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式。 SRAM，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。 SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。 DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。

以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時(shí)，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫(xiě)操作。不過(guò)，如果以交替方式訪問(wèn)Bank，SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫(xiě)操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買(mǎi)到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買(mǎi)到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器?！办o態(tài)”是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器（ROM）和Flash Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)?！半S機(jī)訪問(wèn)”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問(wèn)，而不管前一次訪問(wèn)的是哪一個(gè)位置。

SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪問(wèn)晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^(guò)程中存儲(chǔ)單元的訪問(wèn)。因此，一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問(wèn)速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問(wèn)速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。

DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式。

SRAM：靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。

SDRAM：同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。主要是存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容（不包括行讀出放大器等），而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大，但是讀寫(xiě)速度不如SRAM。一個(gè)是靜態(tài)的，一個(gè)是動(dòng)態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息，而動(dòng)態(tài)的是用電子，要不時(shí)的刷新來(lái)保持。 內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM，和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM兩種。我們經(jīng)常說(shuō)的“ 內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器，它的用途廣泛。SRAM的速度非?？欤诳焖僮x取和刷新時(shí)能夠保 持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱?，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。