分享nandflash排雷攻略

在Nandflash廣泛應(yīng)用的今天，其高性價比和極大燒錄不良率幾乎時刻共存，那么 Nandflash究竟有何特性導(dǎo)致其頻發(fā)燒錄事故？今天就和大家分享nandflash排雷攻略。

Nandflash芯片以其高性價比，大存儲容量在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。但是，在此量大質(zhì)優(yōu)的應(yīng)用領(lǐng)域，很多客戶卻痛苦于批量質(zhì)量問題：專用工具無法滿足量產(chǎn)，量產(chǎn)工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率，那么究竟要如何解決呢？

其根本原因在于：目前大部分用戶并不是很了解Nandflash燒錄的復(fù)雜性。

用戶常采用很直接的方法，即用一顆能正常運行的NandFlash芯片作為母片，在連接編程器之后，點擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕，把數(shù)據(jù)從芯片里面完整讀取出來，再找?guī)最w空芯片，把數(shù)據(jù)重復(fù)寫進去。本以為可達到量產(chǎn)的目的，但實際上生產(chǎn)出來的產(chǎn)品卻達不到品質(zhì)的要求，往往會出現(xiàn)批量的產(chǎn)品異常開機或啟動的狀況！

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原因分析

原因究竟在哪里呢，在分析之前，那就先得了解一下Nandflash基本的工藝特性：

首先，我們來看NandFlash存儲結(jié)構(gòu)，它由多個Block組成，每一個Block又由多個Page組成，每個Page又包含主區(qū)(Main Area)和備用區(qū)(Spare Area)兩個域。其次NandFlash是有壞塊的，由于NandFlash的工藝不能保證Nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠。

因此在Nand的生產(chǎn)中及使用過程中會產(chǎn)生壞塊的。

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壞塊的影響

因為壞塊影響了數(shù)據(jù)的存放地址，用戶就不能按常用方法那樣，把母片的數(shù)據(jù)全部讀取出來，然后再把數(shù)據(jù)原原本本拷貝到其他芯片上了，也就產(chǎn)生了傳統(tǒng)拷貝機無法量產(chǎn)Nandflash的問題！

既然NandFlash有壞塊是無法避免的問題，那就要想辦法避開那些壞塊；最簡單、最有效、最常用的方法就是：跳過！

使用“跳過壞塊”，我們很好地解決了NandFlash的壞塊問題，原本寫到壞塊的數(shù)據(jù)，我們也安全轉(zhuǎn)移到下一個塊里面！

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地址變化

跳過是一種常用而有效的方法，但是實際上，根本問題還依然存在，細心的人會發(fā)現(xiàn)，數(shù)據(jù)存放的地址也發(fā)生了變化！

實際應(yīng)用中，很多用戶會把多個文件數(shù)據(jù)同時存儲到NandFlash上(比如uboot、uImage、Logo、rootfs等燒錄文件），并給每個文件在NandFlash存儲單元中劃分了一定大小的存儲空間區(qū)域，指定了每個文件存儲的起始物理地址塊；如果某個區(qū)域出現(xiàn)了壞塊，為了避開它，勢必需要把數(shù)據(jù)安全往下一塊轉(zhuǎn)移，而引起的后果就是后續(xù)燒錄文件的起始物理地址也隨著發(fā)生了偏移，這將會導(dǎo)致主控MCU無法通過固定的地址，準確、完整地獲取到每個文件的數(shù)據(jù)，最終造成的結(jié)果就是產(chǎn)品異常啟動。

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解決建議

解決建議：分區(qū)燒錄

分區(qū)燒錄，用戶提前設(shè)置好每個文件燒錄的起始塊地址，無論壞塊出現(xiàn)在哪個空間區(qū)域，都可以確保每個文件起始塊地址都不會發(fā)生偏移變化，數(shù)據(jù)也將根據(jù)客戶預(yù)設(shè)方案存放在NandFlash存儲區(qū)域內(nèi)，主控MCU也能準確完整讀取到每個文件的數(shù)據(jù)，那么產(chǎn)品就正常跑起來了！

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解決方案參考

ZLG立功科技·致遠電子的P800系列編程器支持按分區(qū)燒錄(并可支持多種分區(qū)格式)，可按照每個用戶方案需求，設(shè)置每個文件的起始塊地址和燒錄塊長度，即可達到高效率燒錄，又可提高芯片燒錄良品率！

同時，P800系列搭載獨立操作系統(tǒng)，還可滿足工廠全脫機，一鍵批量的燒錄要求。