計算變壓器的參數(shù)知識講解

課程介紹

我們已經(jīng)得到D的值了，輸入的一個平均電流也已經(jīng)知道了，這時我們就可以來計算對于初級線圈來說其ILin為多少。用Iin=0.4安培除以D=0.55，得到ILin=0.73安培。再接著就可以將Io的平均電流算出來。對于次級線圈上的ILo1為Io1除以1-D得到4安培左右。所以我們可以根據(jù)該電流值得到該路上的二極管最大導(dǎo)通電流要能夠達到4安培。

這樣的話我們此處的二極管就不能選擇4148二極管了，我們可以將其替換為ES1D二極管。ES1D二極管的額定電流值為1安培，但是最大導(dǎo)通電流是可以達到4安培的。

學(xué)習(xí)獲得：

學(xué)習(xí)隔離式反激開關(guān)電源設(shè)計

1、反激開關(guān)電源的設(shè)計思路，拓撲結(jié)構(gòu)及原理框圖講解

2、驅(qū)動電路設(shè)計

3、經(jīng)典驅(qū)動芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

4、頻率設(shè)計講解

5、吸收電路設(shè)計及作用講解

6、功率開關(guān)管MOSFET的開關(guān)速度，發(fā)熱因素及選型講解

7、輸出電路設(shè)計

8、MOSFET選型，吸收電路器件選型，輸出二極管選型，輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計算。

9、電流環(huán)設(shè)計

10、電壓環(huán)設(shè)計

11、經(jīng)典基準電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

12、光耦的應(yīng)用講解

13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計算。

14、EMI設(shè)計簡單介紹

適宜學(xué)習(xí)人群：

1、如果你還是學(xué)生，正厭倦于枯燥的課堂理論課程，想得到電子技術(shù)研發(fā)的實戰(zhàn)經(jīng)驗；

2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè)，想積累一些設(shè)計研發(fā)經(jīng)驗憑此在激烈競爭的就業(yè)大軍中脫穎而出，找到一份屬于自己理想的高薪工作；

3、如果你已經(jīng)工作，卻苦惱于技能提升緩慢，在公司得不到加薪和快速升遷；

4、如果你厭倦于當(dāng)前所從事的工作，想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類工作。

專欄課程25個課時（點擊教程即可觀看）

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• 變壓器基礎(chǔ)知識講解

• 正激反激知識講解

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• 次級線圈電容充放電分析

• 初級線圈驅(qū)動電路的搭建

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• mosfet前驅(qū)電路搭建和UC3845電路的改進

• UC3845電路的分析改善和次級線圈的搭建

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• 怎樣通過光耦搭建反饋回路1

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• 電路分析和改善

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• 計算變壓器的參數(shù)1

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• 計算變壓器的參數(shù)3

• 計算變壓器的參數(shù)4

• 計算變壓器的參數(shù)5

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