課程介紹
上節(jié)課我們講了MOSFET的前級驅(qū)動(dòng)電路,同時(shí)也說到了這個(gè)芯片在第一次初始上電的時(shí)候,是如何進(jìn)行啟動(dòng)的。所以我們需要供電,供電之后芯片就能發(fā)出一個(gè)振蕩波,然后MOS管開始振蕩。所以建立電壓的一個(gè)過程需要N個(gè)周期以后才能建立起來。
建立起來之后,由于兩個(gè)次級繞組是同一個(gè)dΦ/dT的,所以其中一個(gè)的電壓變化能反映另一個(gè)上的電壓變化。所以我們既可以供電,也可以通過電壓變化來進(jìn)行一個(gè)電壓調(diào)節(jié)。所以我們說這個(gè)次級繞組在提供能源的同時(shí),也能反映另一個(gè)次級繞組后的負(fù)載的變化。最終實(shí)現(xiàn)一個(gè)PWM的調(diào)節(jié),基本上能夠讓次級繞組穩(wěn)定在5V左右。電壓在此處的閉環(huán)調(diào)節(jié),并不是在每個(gè)周期里進(jìn)行調(diào)整的,它一定是在N個(gè)周期之后進(jìn)行一個(gè)調(diào)節(jié)。所以說電壓的紋波一定和次級或者初級上電源的電流紋波不是一個(gè)頻率的。
學(xué)習(xí)獲得:
學(xué)習(xí)隔離式反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)
1、反激開關(guān)電源的設(shè)計(jì)思路,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理框圖講解
2、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
3、經(jīng)典驅(qū)動(dòng)芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
4、頻率設(shè)計(jì)講解
5、吸收電路設(shè)計(jì)及作用講解
6、功率開關(guān)管MOSFET的開關(guān)速度,發(fā)熱因素及選型講解
7、輸出電路設(shè)計(jì)
8、MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。
9、電流環(huán)設(shè)計(jì)
10、電壓環(huán)設(shè)計(jì)
11、經(jīng)典基準(zhǔn)電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
12、光耦的應(yīng)用講解
13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計(jì)算。
14、EMI設(shè)計(jì)簡單介紹
適宜學(xué)習(xí)人群:
1、如果你還是學(xué)生,正厭倦于枯燥的課堂理論課程,想得到電子技術(shù)研發(fā)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn);
2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè),想積累一些設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)憑此在激烈競爭的就業(yè)大軍中脫穎而出,找到一份屬于自己理想的高薪工作;
3、如果你已經(jīng)工作,卻苦惱于技能提升緩慢,在公司得不到加薪和快速升遷;
4、如果你厭倦于當(dāng)前所從事的工作,想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類工作。
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