TDK-Micronas推出了具有雜散磁場(chǎng)補(bǔ)償?shù)?D霍爾效應(yīng)位置傳感器

不久前，TDK-Micronas推出了具有雜散磁場(chǎng)補(bǔ)償?shù)?D霍爾效應(yīng)位置傳感器，為此，電子產(chǎn)品世界等媒體采訪了應(yīng)用部經(jīng)理陳興鵬先生。

圖1：新型Micronas HAL? 39xy霍爾效應(yīng)位置傳感器系列，具有多種帶主動(dòng)雜散磁場(chǎng)補(bǔ)償?shù)臏y(cè)量模式

1. 應(yīng)用領(lǐng)域

問(wèn)：這款新產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域是什么？

答：主要驅(qū)動(dòng)因素就是汽車的電動(dòng)化趨勢(shì)。汽車?yán)镉性絹?lái)越多的電機(jī)和大電流電纜，它們都會(huì)產(chǎn)生雜散磁場(chǎng)。

因此，可以說(shuō)所有應(yīng)用都需要或多或少的雜散場(chǎng)抗擾度，具體需求則要視精度要求、在車輛中的位置以及自然屏蔽效果等因素而定。

問(wèn)：在中國(guó)的目標(biāo)客戶主要集中在哪些行業(yè)？

答：TDK的線性霍爾效應(yīng)產(chǎn)品線已在中國(guó)具備強(qiáng)大的市場(chǎng)地位。我們的目標(biāo)就是將3D霍爾效應(yīng)設(shè)備領(lǐng)域的成功復(fù)制到中國(guó)的所有市場(chǎng)領(lǐng)域。

2. 如何實(shí)現(xiàn)雜散磁場(chǎng)補(bǔ)償？

問(wèn)：霍爾傳感器的歷史很長(zhǎng)，我們還能有哪些創(chuàng)新？

答：我們?nèi)栽诓粩喔倪M(jìn)霍爾元件的性能（靈敏度、噪聲、功耗）和功能（三維采集、應(yīng)力抗擾度），此次展示的HAL? 39xy 系列產(chǎn)品的主要?jiǎng)?chuàng)新在于雜散場(chǎng)抗擾度（降低外部干擾磁場(chǎng)對(duì)被測(cè)位置/角度相關(guān)磁場(chǎng)的影響）。

其原理就是使用多個(gè)霍爾元件，通過(guò)智能算法進(jìn)行信息融合并檢測(cè)出干擾源，從而輸出不受外部磁場(chǎng)干擾的數(shù)據(jù)。

這一切都有賴于直接將霍爾元件集成到CMOS技術(shù)中，即能夠輕松地將多個(gè)霍爾元件集成到一個(gè)硅片上。這是該技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

問(wèn)：這款新產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)是什么？

答：非常靈活，能夠處理許多不同的應(yīng)用場(chǎng)景和配置。

我們目前在一個(gè)硅片上共集成了10個(gè)霍爾元件。根據(jù)所用磁體以及被測(cè)運(yùn)動(dòng)（線性行程、角度、軸上、偏軸）的不同，DSP會(huì)采用不同的霍爾元件組合，通過(guò)智能算法進(jìn)行信息融合并檢測(cè)出干擾源，從而輸出不受外部磁場(chǎng)干擾的數(shù)據(jù)。

問(wèn)：新品采用了哪些特有的技術(shù)？另外，雜散磁場(chǎng)會(huì)對(duì)大多數(shù)基于霍爾效應(yīng)技術(shù)的位置傳感器產(chǎn)生影響，所以是否會(huì)考慮其他技術(shù)（諸如TMR）？

答：此次展示的HAL39系列產(chǎn)品其主要?jiǎng)?chuàng)新在于雜散場(chǎng)抗擾度（降低外部干擾磁場(chǎng)對(duì)被測(cè)位置/角度相關(guān)磁場(chǎng)的影響）。

其原理就是使用多個(gè)霍爾元件，通過(guò)智能算法進(jìn)行信息融合并檢測(cè)出干擾源，從而輸出不受外部磁場(chǎng)干擾的數(shù)據(jù)。我們采用了獲得專利的IP。產(chǎn)品規(guī)格顯示雜散場(chǎng)剩余干擾只有< 0.1°。

這一切都有賴于直接將霍爾元件集成到CMOS技術(shù)中，即能夠輕松地將多個(gè)霍爾元件集成到一個(gè)硅片上。這是該技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

目前TDK也正在努力實(shí)現(xiàn)不受雜散場(chǎng)干擾的TMR（隧道磁阻）解決方案。