SiC熱潮來襲!科銳投資10億美元擴產(chǎn)SiC

科銳宣布投資10億美元擴產(chǎn)SiC碳化硅。據(jù)說這是Cree有史以來最大的生產(chǎn)投資，將為Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）業(yè)務(wù)提供動能。先進的制造園區(qū)，將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，滿足EV電動汽車和5G市場需求。

·此次產(chǎn)能擴大，將帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC碳化硅材料生產(chǎn)的30倍增長，以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長

·5年的投資，充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab，并整新200mm設(shè)備，建造采用最先進技術(shù)的滿足汽車認證的生產(chǎn)工廠

·投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入

▲ Cree North Fab

2019年5月7日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術(shù)的自動化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這項標志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務(wù)提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資，將大幅地提升供應(yīng)，幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產(chǎn)能。與2017財年第一季度（也就是我們開始擴大產(chǎn)能的第一階段）相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠的預(yù)期增長?！?/p>

這項計劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預(yù)期市場需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣壒S。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現(xiàn)提供最先進技術(shù)的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

擴大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機會，并提供先進制造人才發(fā)展計劃。Cree計劃與州、當?shù)睾退哪曛圃盒ｉ_展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機遇提供人才儲備。（來源：Cree科銳）

除了科銳外，他們都在發(fā)力Sic

據(jù)EETimes消息，不久前，意法半導體在其意大利卡塔尼亞工廠概述了大力發(fā)展碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)，并將其作為戰(zhàn)略和收入的關(guān)鍵部分的計劃。在ST最近的季度和年度業(yè)績發(fā)布會上，ST總裁兼首席技術(shù)官Jean-MarcChery多次重申了占據(jù)在2025年預(yù)計即將達到37億美元SiC市場30%份額的計劃。

由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，可以讓功率器件突破硅的限制，帶來更好的導電性和電力性能。這些特性的提高，正與目前市場上熱門的汽車電子、工業(yè)自動化以及新能源等領(lǐng)域的需求相契合。因而，各大廠商紛紛在SiC上展開了布局，Sic競爭也日趨白熱化。

羅姆在早前發(fā)布新聞稿宣稱，將擴增使用于電動車(EV)等用途的碳化硅(SiC)電源控制芯片產(chǎn)能，將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房，預(yù)計于2019年2月動工、2020年12月完工。

此外，羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說明會上表示，將投資約200億日圓，于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產(chǎn)投資，在2025年3月底前累計將投資600億日圓，屆時將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴增至2016年度16倍。

日本昭和電工也多次發(fā)表了產(chǎn)能擴充聲明。該公司之前分別于2017年9月、2018年1月宣布增產(chǎn)SiC晶圓，不過因SiC制電源控制晶片市場急速成長、為了因應(yīng)來自顧客端旺盛的需求，因此決定對SiC晶圓進行第3度的增產(chǎn)投資。昭和電工SiC晶圓月產(chǎn)能甫于2018年4月從3,000片提高至5,000片(第1次增產(chǎn))，且將在今年9月進一步提高至7,000片(第2次增產(chǎn))，而進行第3度增產(chǎn)投資后，將在2019年2月擴增至9,000片的水準、達現(xiàn)行(5,000片)的1.8倍。

除了晶圓供應(yīng)商擴產(chǎn)，下游的代工廠也在加速布局，迎接即將爆發(fā)的SiC熱潮。

X-Fab在去年九月宣布，計劃將其位于德克薩斯州6英寸SiC工藝工廠產(chǎn)能翻番，以滿足客戶對高效功率半導體器件日益增長的需求。為了使容量翻倍，X-Fab 德州工廠購買了第二臺加熱離子注入機，用于制造6英寸SiC晶圓。預(yù)計到在2019年第一季度及時生產(chǎn)，以滿足預(yù)計的近期需求。

X-Fab德州工廠的Lloyd Whetzel說：“隨著SiC的日益普及，我們早就明白，提高離子注入能力是我們在SiC市場上的持續(xù)制造成功的關(guān)鍵。但這只是我們針對特定SiC制造工藝改進的總體資本計劃的第一步。這體現(xiàn)了X-Fab對SiC行業(yè)的承諾，并保持我們在SiC鑄造業(yè)務(wù)中的領(lǐng)導地位?！?/p>

來自我國***地區(qū)的晶圓代工廠漢磊在去年八月也宣布，決定擴大碳化硅（SiC）產(chǎn)能，董事會決議斥資3.4億元新建置6寸SiC生產(chǎn)線，為***地區(qū)第一家率先擴增SiC產(chǎn)能的代工廠，預(yù)計明年下半年可以展開試產(chǎn)。

據(jù)了解，漢磊目前已建立4寸SiC制程月產(chǎn)能約1500片，預(yù)計將現(xiàn)有6寸晶圓廠部分生產(chǎn)線改為SiC制程生產(chǎn)線，先把制程建立起來，以滿足車載、工控產(chǎn)品等客戶強勁需求，因6寸的SiC售價達4000美元（約12萬臺幣），估計每月只要產(chǎn)出2000到3000片，帶動營收就可望增加2、3億元以上。