5G硬件發(fā)展現(xiàn)狀！射頻前端模塊簡(jiǎn)介

一、5G 硬件發(fā)展現(xiàn)狀

1、當(dāng)前 5G 硬件

在過(guò)去幾年中，通信廠商和硬件制造商都在積極布局 5G 產(chǎn)品，例如針對(duì)毫米波、MIMO、載波聚合等一系列軟硬件應(yīng)用的開(kāi)發(fā)。當(dāng)前最新的 5G 硬件都是在配合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，例如 3GPP R15。雖然 5G 第一階段規(guī)范和更新還在進(jìn)行中，但是可以通過(guò)軟件更新的方式來(lái)滿足要求。目前已經(jīng)推出的 5G 模組和收發(fā)機(jī)可以進(jìn)行軟件升級(jí)，并且可以提供吞吐量處理功能，在當(dāng)前毫米波還沒(méi)有正式使用的情況下，依然可以提升潛在帶寬。目前很多硬件制造商和通信公司都在積極推進(jìn) 5G 試驗(yàn)和部署，這種情況在 2019 年將會(huì)持續(xù)。在 5G 標(biāo)準(zhǔn)正式完成前，各個(gè)廠商通過(guò)使用這類可以修改的 NSA 5G NR 技術(shù)來(lái)滿足 5G 需求。對(duì)于硬件和核心網(wǎng)絡(luò)來(lái)講，為了滿足未來(lái) 5G 標(biāo)準(zhǔn)最終版本，可編程能力和靈活性顯得至關(guān)重要。

▲3GPP的5G標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn)時(shí)間表（來(lái)源：Microwave Journals，中銀國(guó)際證券）

5G 硬件必須要考慮到向 4G LTE 兼容，滿足 5G 和 4G LTE 雙連接。和以前的做法類似，目前的 4G LTE會(huì)并入到 5G 的規(guī)范中。支持雙連接的 5G 規(guī)范需要可調(diào)整型射頻硬件來(lái)配合，也就是說(shuō)可以根據(jù)場(chǎng)景來(lái)重新分配資源，而不僅限于使用預(yù)編程的場(chǎng)景。

由于最終的 5G 毫米波頻譜和射頻硬件還未最終確定，大量的可移動(dòng)性毫米波還在試驗(yàn)階段，5G 毫米波的首輪使用會(huì)在固定無(wú)線服務(wù)（FWA, fixed wireless service）中。這樣做是因?yàn)楹撩撞ㄔ诜且暰嘁苿?dòng)和天線波束追蹤上仍具有技術(shù)難度，而固定無(wú)線服務(wù)可以暫時(shí)避免這個(gè)問(wèn)題。相比于終端設(shè)備，固定無(wú)線服務(wù) 5G 模組和收發(fā)機(jī)芯片尺寸和功耗方面要求并不苛刻，設(shè)計(jì)自由度大，但是成本也更高。

最新商用的 5G 硬件是在原有射頻前端模組的基礎(chǔ)上，覆蓋新的 NSA 5G NR 頻率，從而實(shí)現(xiàn)完整解決方案。這些射頻前端模組中包含了 PA、LNA、開(kāi)關(guān)、濾波器，但是和原有的 4G RFFE 存在區(qū)別。舉一個(gè)例子，在較高頻率下，大氣和普通建筑材料的傳播損耗增加，針對(duì) 5G 硬件，Power Class 2 規(guī)范允許輸出功率可以達(dá)到 26dBm，是之前的 Power Class 3 所規(guī)范的功率的兩倍。

▲Power Class 輸出功率（來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

Tx（Transmitter, 發(fā)射機(jī)）的帶寬在 5G 中可以達(dá)到 100MHz，但是現(xiàn)在的技術(shù)并不能滿足這么高的帶寬，例如包絡(luò)檢測(cè)只能支持 60MHz 帶寬。對(duì)于 5G 系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，一些低效率技術(shù)，例如平均功率檢測(cè)會(huì)更加適合。這些早期的 5G RFFE 模組更有可能使用寬帶技術(shù)，需要在原有的 4G 基礎(chǔ)上使用支持 sub-6GHz的濾波器。為了實(shí)現(xiàn)多頻帶濾波，濾波器會(huì)是多個(gè)模塊的復(fù)雜組合，如表面聲波（SAW），體聲波（BAW）和薄膜體聲波（FBAR）濾波器模組等。

現(xiàn)在的 5G 模組生產(chǎn)廠商包括三星、高通、英特爾和華為等。這些先行的 5G 芯片可以支持 2Gbps 數(shù)據(jù)速度和 28GHz 毫米波，以及 NSA 5G NR、波束賦形、天線切換、3D 頻率規(guī)劃工具和虛擬化 RAN 等。

無(wú)論是器件還是網(wǎng)絡(luò)硬件制造商、運(yùn)營(yíng)商以及測(cè)試廠商，都在用模擬終端進(jìn)行 5G NR 測(cè)試。三星、國(guó)家儀器以及大唐電信、Keysight 公司在 2018 年 Mobile World Congress 大會(huì)上公布了在 5G 商用基站中可能用到的硬件和終端仿真系統(tǒng)。5G 終端商用芯片很有可能會(huì)在 2019 年大量推出，但是各大廠商究竟是僅僅支持 sub-6GHz 還是加入毫米波還取決于各自的研發(fā)進(jìn)度。

2、射頻前端模塊簡(jiǎn)介

射頻前端即 Radio Frequency Front-End，簡(jiǎn)稱 RFFE，是天線和射頻收發(fā)機(jī)之間的射頻電路部分。通俗的理解方式就是靠近天線部分的設(shè)備就是射頻前端。

以手機(jī)接收信號(hào)為例，空氣中的無(wú)線電磁波信號(hào)經(jīng)過(guò)天線轉(zhuǎn)換為有線信號(hào)，之后送入射頻前端部分。在射頻前端部分中，電磁波從天線出來(lái)先進(jìn)入天線調(diào)諧器（antenna tuner），它是連接天線和后續(xù)電路的一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。接著信號(hào)經(jīng)過(guò)分集開(kāi)關(guān)（diversity switch），為移動(dòng)和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供低插入損耗、高隔離和出色的線性度。之后是個(gè)雙工器（diplexer），雙工器用于天線輸入輸出部，擁有在收發(fā)時(shí)分類或混合 2 種不同頻率信號(hào)的功能，并且還用于 CA(carrier aggregation)電路中。再然后信號(hào)經(jīng)過(guò)射頻開(kāi)關(guān)送到濾波器電路，射頻開(kāi)關(guān)負(fù)責(zé)接收、發(fā)射通道之間的切換；濾波器負(fù)責(zé)發(fā)射及接收信號(hào)的濾波；最后經(jīng)過(guò)低噪放，低噪聲放大器主要用于接收通道中的小信號(hào)放大，同時(shí)抑制噪聲在可接受的范圍內(nèi)，供后續(xù)的收發(fā)機(jī)處理。接收機(jī)/發(fā)射機(jī)用于射頻信號(hào)的變頻、信道選擇。信號(hào)的發(fā)射路徑中各部分的作用與接收路徑幾乎相同，但是發(fā)射路徑不再使用低噪放而是功率放大器（Power Amplifier，PA），用來(lái)放大信號(hào)作為發(fā)射使用。

▲射頻前端結(jié)構(gòu)示意圖（來(lái)源：高通官網(wǎng)，中銀國(guó)際證券）

5G 標(biāo)準(zhǔn)正在如火如荼的推進(jìn)，根據(jù) Qorvo 預(yù)測(cè)，在未來(lái) 10 年內(nèi)，5G 終端將會(huì)成為手機(jī)產(chǎn)業(yè)中發(fā)展最快的部分。根據(jù) Strategy Analytics 預(yù)測(cè)，5G 終端的出貨量將會(huì)從 2019 年的 200 萬(wàn)部增長(zhǎng)到 2025 年的15 億部，而且根據(jù) Qualcomm Technologies 調(diào)查顯示，由于數(shù)據(jù)速度的提高，有 50%的消費(fèi)者對(duì) 5G 手機(jī)表示有意愿購(gòu)買。5G 標(biāo)準(zhǔn)至今沒(méi)有最終完成，對(duì)于 RF 設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)還存在很多指標(biāo)上的不確定性，例如功率回退電平，區(qū)域頻帶組合，上行鏈路 MIMO 和補(bǔ)充上行鏈路（SUL）。

4G 向 5G 的轉(zhuǎn)變絕不僅僅體現(xiàn)在帶寬的拓展和網(wǎng)速的提高。2017 年 12 月的 3GPP R15 給出了非獨(dú)立組網(wǎng) NSA 5G NR 標(biāo)準(zhǔn)，適用于大部分早期 5G 網(wǎng)絡(luò)。NSA 是在 LTE 的基礎(chǔ)上并入 5G NR 頻段，不需要單獨(dú)鋪設(shè) 5G 專屬的核心網(wǎng)絡(luò)。而 5G 獨(dú)立組網(wǎng)將會(huì)采用完全的 5G 網(wǎng)絡(luò)。5G 具有更快的數(shù)據(jù)速率，但是時(shí)序和帶寬與 LTE 仍然類似，不過(guò)延遲要求大大提高，因此對(duì)于天線開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器的速度要求可能比 4G LTE 高十倍。

5G 的帶寬可以高達(dá) 100MHz，是 LTE 帶寬的五倍，因此對(duì)于 RF 子系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，帶寬的拓展會(huì)帶來(lái)一系列的要求和變化。

3、射頻硬件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

NSA 5G NR 中加入了 sub-6GHz 頻段，因此射頻硬件也需要可以支持新的 n77，n78 和 n79 波段。雖然NSA 5G NR 中沒(méi)有明確規(guī)定，但是在最終版本中 5G 很有可能支持小于 600MHz 的低頻段，來(lái)滿足大規(guī)模的低功耗連接，例如 IoT、工業(yè) 4.0/工業(yè) IoT 以及其他機(jī)器類通信。5G 帶來(lái)的新的子載波信道、寬帶、載波聚合和 4x4 MIMO 標(biāo)準(zhǔn)會(huì)帶來(lái)大量濾波器、天線、低噪放、功放、開(kāi)關(guān)在模組和收發(fā)機(jī)中的變化和新應(yīng)用。5G 頻段的緊湊型和有限的空間設(shè)計(jì)都會(huì)給硬件設(shè)計(jì)帶來(lái)不小挑戰(zhàn)。

設(shè)計(jì)空間有限

RF硬件尤其是天線在小型終端設(shè)備中已經(jīng)被擠壓到了很小的空間中，但是 5G標(biāo)準(zhǔn)要求下行4x 4 MIMO和上行 2 x 2 MIMO，也就是說(shuō)要有 6 個(gè)獨(dú)立的 RF 信號(hào)路徑。5G 天線調(diào)諧技術(shù)在寬帶寬上最大化天線輻射效率會(huì)非常關(guān)鍵。NSA 5G NR 目前支持單個(gè)載波上的 100 MHz 帶寬，具有更多 CA 選項(xiàng)（R15 之后會(huì)多達(dá) 600 個(gè)種載波組合形式），因此相比于 4G LTE，這些 RF 路徑必須要要做的寬很多。NSA 5G NR還允許 200 MHz 上行鏈路和 400MHz 下行鏈路的帶寬，要處理大量數(shù)據(jù)，對(duì)終端和基站的能效都提出了更高要求。

▲載波聚合組合形式的變化（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

在終端設(shè)備中，RF 硬件的集成度很有可能會(huì)進(jìn)一步提高，采用 SoC 技術(shù)把濾波器、高密度開(kāi)關(guān)、天線調(diào)諧器、LNA 和 PA 集成在 RFFE 系統(tǒng)中。5G 終端天線最有可能采用集成方案，把天線調(diào)諧器和預(yù)濾波器、波束賦形控制模塊集成在一起，用來(lái)降低成本以及滿足手機(jī)中緊湊的空間要求。由于 5G 復(fù)雜度和射頻密集度的提升，終端芯片設(shè)計(jì)廠商多會(huì)采用 5G modem-to-antenna 方案。

5G 非獨(dú)立組網(wǎng)雙連接

為了滿足 5G 吞吐量需求，雙連接是必要的。5G NSA 支持 4G LTE 和 5G 雙連接，運(yùn)營(yíng)商會(huì)對(duì) 4G FDD-LTE和 5G 頻段進(jìn)行合并，NSA 標(biāo)準(zhǔn)允許手持設(shè)備發(fā)射一個(gè)或者多個(gè) LTE 頻段信號(hào)的同時(shí)接收 5G 頻段信號(hào)，諧波信號(hào)的存在會(huì)增加對(duì)接收機(jī)靈敏度的要求。舉個(gè)例子，當(dāng) LTE 1, 3, 7,20 以及 5G 的 n78 波段進(jìn)行載波聚合時(shí)，由于 n78 頻率高且?guī)捄軐?3.3-3.8 GHz)，LTE 頻段的諧波可能出現(xiàn)在 n78 波段范圍內(nèi)，如果不進(jìn)行適當(dāng)?shù)男盘?hào)衰減，就會(huì)造成接收機(jī)靈敏的劣化。如果加入濾波器可以解決這個(gè)問(wèn)題，但是也會(huì)帶來(lái)插入損耗，相應(yīng)的對(duì) PA 的輸出功率要求更高。

雙連接帶來(lái)的其他設(shè)計(jì)變化，如配臵兩根主天線，同時(shí) LTE 和 5G 同時(shí)傳輸會(huì)造成額外的電源管理問(wèn)題，因此需要額外的 DC 變換器，對(duì)手機(jī)空間同時(shí)也造成影響。從 2G 到 5G，天線尺寸在減小，天線數(shù)量在增加，RF 部件復(fù)雜度的提升對(duì)于天線的空間造成擠壓。

▲手持設(shè)備中 RF 含量增加使得天線增加受限（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

雪上加霜的是，NSA 5G NR 頻段周邊布滿了 ISM 頻段，例如 WIFI 和藍(lán)牙以及其他未授權(quán)頻段。在如此緊密的頻段分布和寬頻帶的前提下，由于濾波不足、PA 線性度和諧波抑制都有可能引起接收機(jī)減敏性能下降。為了獲得更高的吞吐量，NSA 5G NR 變送器需要具有高輸出功率和高平均峰值功率，但是這樣會(huì)導(dǎo)致同一基站或者附近的 5G 設(shè)備中共臵的接收機(jī)出現(xiàn)問(wèn)題。

4x4 MIMO

4G 對(duì)于 MIMO 的要求是選擇性的，5G 對(duì)于 1GHz 以上下行鏈路 4x4 MIMO 則是必須要求，新增加了 n77波段并對(duì) LTE 頻段重耕，例如原有的 4G Band 3 重耕為 5G NR n3。4G LTE 的接收分集是兩個(gè)接收路徑，到了 5G 則需要 4G 接收路徑。對(duì)于已經(jīng)支持 4G LTE MIMO 的手機(jī)來(lái)說(shuō)，這個(gè)要求不會(huì)造成很大變化，而對(duì)于目前不支持 4G LTE MIMO 的手機(jī)來(lái)說(shuō)則增加了 RF 的復(fù)雜性和天線的帶寬，也就是說(shuō)需要 4 個(gè)單獨(dú)的 RFFE 路徑和 4 個(gè)天線。如果考慮到 2x2 MIMO 上行鏈路對(duì)應(yīng)的 n77，n78，n79 和 n41 波段，這個(gè)問(wèn)題會(huì)更加復(fù)雜。

這種架構(gòu)的變化帶來(lái)的首先是天線調(diào)諧器重要性的加強(qiáng)。如今的智能手機(jī)越來(lái)越依賴于天線調(diào)諧技術(shù)來(lái)提高發(fā)射效率，在 5G 過(guò)渡的過(guò)程中，天線調(diào)諧技術(shù)會(huì)更加重要，天線的數(shù)量在有所保證的前提下，每一個(gè)天線都要保證寬頻下的高效率。

雙工信號(hào)在如今手機(jī)中應(yīng)用很廣泛，但是 5G 會(huì)引入新的信號(hào)路徑分配的復(fù)雜性。在高頻波段信號(hào)配合雙連接上行鏈路的要求下，信號(hào)到天線的路徑分配會(huì)產(chǎn)生重大變化。直接雙工器將會(huì)被高性能天線復(fù)用器取代，這些天線復(fù)用器可以使得連接數(shù)最大化，同時(shí)也可以滿足嚴(yán)格的載波聚合抑制要求，同時(shí)保持低插入損耗。

RF 的復(fù)雜性要求在提高，但是空間上的分配卻不會(huì)增加，因此射頻前端會(huì)采用模組化來(lái)節(jié)省面積，射頻前端模塊將會(huì)同時(shí)集成 PA、開(kāi)關(guān)、濾波器、LNA 等等。

寬帶和新波形

在如今 LTE 高端型手機(jī)中，多采用的是包絡(luò)追蹤技術(shù)來(lái)配合 PA 降低功耗。包絡(luò)追蹤技術(shù)可以通過(guò)追蹤射頻信號(hào)能量，來(lái)不停地調(diào)整 PA 的電源電壓，從而優(yōu)化 PA 效率。但是包絡(luò)追蹤目前的技術(shù)只能支持到 60MHz 帶寬，在 5G n77 和 n79 波段進(jìn)行載波聚合后可以達(dá)到 100MHz 帶寬，包絡(luò)追蹤技術(shù)此時(shí)無(wú)法滿足帶寬要求。因此 PA 需要工作在平均功率跟蹤（APT）固定電壓模式下，來(lái)支持寬帶的 5G傳輸，同時(shí) PA 的效率會(huì)下降。

▲5G 收發(fā)機(jī)架構(gòu)（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

PA 的線性度的要求也大大增加，這是由于 5G 增加的新波形，CP-OFDM 與大量信道組合具有更高峰值平均功率比（PAR），所以在 5G PA 中實(shí)現(xiàn)更大的回退（backoff）。工作在回退模式意味著必須降低 PA 的最大輸出功率，以便使整個(gè)信號(hào)在 PA 傳遞曲線的線性區(qū)域范圍內(nèi)。這樣做會(huì)給 PA 的線性度和效率的折中帶來(lái)更大的困難。

5G RFFE 還可能需要支持 LTE 中與 5G FR1 重合的頻率，對(duì) LTE 向下兼容?？紤]到電池壽命，手機(jī)制造商希望盡可能使用 ET 來(lái)保證 PA 效率，這意味著使用 ET 進(jìn)行 LTE 傳輸和采用 60 MHz 帶寬的 5G 信號(hào)。因此，PA 在 ET 模式下工作時(shí)必須提供高飽和效率，在 APT 模式下則必須具有高線性效率。在寬帶 APT 模式和相對(duì)窄帶的 ET 模式下 PA 的的工作模式，給 RFFE 供應(yīng)商帶來(lái)很大挑戰(zhàn)。此外，在ET 和 APT 模式之間切換需要復(fù)雜的電源管理。

先行的 5G 模組可能只在特定的頻段工作，只滿足最終版的 5G 部分要求。但是 5G 基站中，對(duì)應(yīng) eMBB和工業(yè)及汽車應(yīng)用，必須是在各個(gè)標(biāo)準(zhǔn)中相互兼容的，也就是說(shuō) 5G RF 硬件必須能夠服務(wù) 5G FR1 和5G 毫米波 FR2 頻段。

LTE 頻段重耕帶來(lái)的復(fù)雜性

5G NR 對(duì) LTE 頻段的重耕會(huì)帶來(lái)更多的復(fù)雜性，同時(shí) 3G/4G 已經(jīng)分配的頻譜也會(huì)由于 5G NR 波段的使用進(jìn)行重耕，因此 PA 需要有效的支持 4G 和 5G 在各個(gè)頻段的傳輸。完全過(guò)度到 5G NR 可能還需要十年甚至更多的時(shí)間，所以同時(shí)支持 LTE 和 5G 已有波段會(huì)給 RFFE 的設(shè)計(jì)復(fù)雜度帶來(lái)挑戰(zhàn)。

以 Band 41 為例，作為首先被重耕的波段，當(dāng)用作 LTE 制式時(shí)，最大的傳輸帶寬可以達(dá)到 60MHz，因此可以采用包絡(luò)追蹤技術(shù)來(lái)節(jié)約功耗。當(dāng)用在 5G 制式下，單個(gè)的載波帶寬可以達(dá)到 100MHz，這就需要 PA 工作在 APT 模式下，提高的信號(hào)帶寬工作范圍也需要更寬帶的濾波器支持。

工藝變化

在當(dāng)前使用的 4G 終端和基站中，PA 依賴于 LDMOS、GaAs 以及 SiGe 工藝，GaN 在基站 PA 的市場(chǎng)中也有所增加。但是由于 sub-6G 的使用和 LDMOS 受限于 3GHz 的原因，GaN PA 和 LNA 更有可能使用在基站系統(tǒng)中，而 GaAs 和 SiGe 放大器可以繼續(xù)適用于 sub-6GHz。為了降低成本和減小尺寸，在 SOI上集成 RF 電路更有可能在 5G 毫米波應(yīng)用中使用。未來(lái)的 RFFE 可能會(huì)將 PA、LNA、開(kāi)關(guān)和控制毫米波相控陣列波束賦形天線系統(tǒng)集成在一起，使用的工藝是 RF SOI、 SiGe BiCMOS、或者 RF CMOS SoC制程。

▲5G FDD 波束賦形模組（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

另外一種可能性是沿用 RF 硅工藝，但是可以同其他工藝配合來(lái)共同集成濾波器及數(shù)字電路來(lái)實(shí)現(xiàn)混合波束賦形控制。RF SOI 和 RF CMOS 更有可能和先進(jìn)制程下的 FPGA、存儲(chǔ)器以及處理器等數(shù)字模塊集成在一起。5G 毫米波可能會(huì)采用封裝集成的方式，把基帶處理和輔助的數(shù)字信號(hào)處理部分集成在一起。

由于頻率路由（frequency routing）和濾波對(duì)于 5G 載波聚合和制式兼容非常重要，集成的 SAW，BAW，F(xiàn)BAR 和其他的集成諧振器和濾波器技術(shù)對(duì)終端和緊湊單元就很關(guān)鍵。5G 模組在之后很有可能并入Wi-Fi 和藍(lán)牙，再加上潛在的串?dāng)_和設(shè)計(jì)復(fù)雜度，進(jìn)一步增加濾波和頻率路由的難度。工藝方面，5G RFFE 上可能會(huì)采用 RF SOI 來(lái)實(shí)現(xiàn)濾波器和放大器的共同集成。SOI 濾波器在 sub-6G 中真正使用可能還需要幾年的時(shí)間，但是在毫米波系統(tǒng)中使用 SOI 集成放大器和開(kāi)關(guān)，是一個(gè)很好的選擇。

4、射頻前端市場(chǎng)

RF 前端（RFFE）模塊市場(chǎng)將受到新的 5G 標(biāo)準(zhǔn)的高度影響。這主要來(lái)自于 5G 帶來(lái)的射頻模塊復(fù)雜度的提升，用量的大大增加。尤其是 MIMO 和 CA 技術(shù)在 5G 中的應(yīng)用將會(huì)拉動(dòng)射頻前端器件的需求。據(jù) Yole Dé veloppement 稱，預(yù)計(jì) 2023 年 RFFE 的全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 352 億美元。

▲2017-2023 年射頻前端市場(chǎng)展望（資料來(lái)源：Yole，中銀國(guó)際證券）

RF 前端（RFFE）模塊市場(chǎng)將受到新的 5G 標(biāo)準(zhǔn)的高度影響。這主要來(lái)自于 5G 帶來(lái)的射頻模塊復(fù)雜度的提升，用量的大大增加。尤其是 MIMO 和 CA 技術(shù)在 5G 中的應(yīng)用將會(huì)拉動(dòng)射頻前端器件的需求。據(jù) Yole Dé veloppement 稱，預(yù)計(jì) 2023 年 RFFE 的全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 352 億美元。

▲2017-2023 年射頻前端市場(chǎng)展望（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

射頻前端除了用在各類型便攜設(shè)備中，還應(yīng)用在 WiFi 設(shè)施、IoT、智能電網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等，而其中三五族化合物半導(dǎo)體會(huì)占據(jù) RF 市場(chǎng)的核心。

二、天線調(diào)諧器

1、天線調(diào)諧器簡(jiǎn)介

在前面的 5G 系列天線專題中，我們已經(jīng)闡述過(guò)天線的尺寸將會(huì)隨著頻率的增加而減小，天線的數(shù)量也將會(huì)增加。為了滿足智能手機(jī)的工業(yè)設(shè)計(jì)要求，天線的尺寸有苛刻的要求，小尺寸天線會(huì)造成天線效率的降低。而天線效率降低會(huì)嚴(yán)重影響 Tx 和 Rx 的性能，同時(shí)使得電池壽命縮減，導(dǎo)致低數(shù)據(jù)傳輸速率以及信號(hào)連接問(wèn)題。天線孔徑調(diào)諧技術(shù)是保證在 5G 制式下手機(jī)可以工作在正常效率以及寬頻 RF 范圍的關(guān)鍵技術(shù)。

我們?cè)岬剑?G 具有很高數(shù)據(jù)傳輸速率，因此需要一定數(shù)量的天線來(lái)保證。兩個(gè)主要的配合高速傳輸?shù)?a href="http://ttokpm.com/soft/data/43-44/" target="_blank">通信技術(shù)是 CA 和 MIMO 技術(shù)，這兩個(gè)技術(shù)都要求多天線同時(shí)工作。5G 要求下，大多數(shù)的頻帶都需要支持 4 個(gè)下鏈路信道同時(shí)工作，因此需要 4 個(gè)天線。同時(shí)，由于 5G 新頻段的引入，手持設(shè)備的天線還需要支持更寬的帶寬。為了滿足 Wi-Fi，GPS 以及藍(lán)牙等，天線數(shù)量將會(huì)從如今的 LTE 制式下的 4-6 根增加到 6-10 根，在手機(jī)空間已經(jīng)非常擁擠的條件下，可以說(shuō)是很大的挑戰(zhàn)。

▲5G終端中由于MIMO和CA技術(shù)帶來(lái)的天線數(shù)量增長(zhǎng)（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

全面屏手機(jī)已經(jīng)成為如今中高端智能機(jī)的主流形式，屏占比越來(lái)越高，近乎占據(jù)了整個(gè)了手機(jī)的整個(gè)正面，在屏幕之外留給天線的空間越來(lái)越小，同時(shí)攝像頭數(shù)量也在增加，使得天線可以占據(jù)的空間更加狹窄。更多的天線，更擁擠的空間，意味著天線效率的降低。下圖是 Qorvo 給出的全面屏設(shè)計(jì)中，手機(jī)中輻射器件和地（屏幕邊緣）的距離越來(lái)越小時(shí)，天線效率逐漸降低。

▲全面屏手機(jī)對(duì)天線空間以及天線效率的影響（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

天線的性能要考慮天線尺寸、帶寬、效率之間的折中，例如在天線尺寸固定的情況下，天線效率可以通過(guò)犧牲帶寬來(lái)提升。在如今天線尺寸繼續(xù)縮減的情況下，各指標(biāo)之間的折中（trade off）非常困難，只能在很窄的頻帶范圍內(nèi)達(dá)到一定的效率水平。因此為了滿足帶寬要求，需要天線在不同頻率下進(jìn)行調(diào)節(jié)來(lái)符合效率要求。

▲天線性能的折中三角（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

業(yè)界如今有兩種截然不同的天線調(diào)諧方法：可調(diào)式阻抗匹配調(diào)諧 Tunable Impedance Matching (TIM)和天線孔徑調(diào)諧 Antenna Aperture Tuning (AAT)?？烧{(diào)阻抗匹配的方法要求在天線和接收機(jī)/發(fā)射機(jī)之間植入可變匹配網(wǎng)絡(luò) 。隨著頻率轉(zhuǎn)變，天線的阻抗隨之改變，天線的阻抗需要調(diào)節(jié)回 RFFE 要求的 50Ω。這就需要一個(gè)閉環(huán)系統(tǒng)監(jiān)測(cè)入射和反射功率或測(cè)量天線阻抗的實(shí)部和虛部?；谶@些測(cè)量，匹配網(wǎng)絡(luò)的調(diào)諧元件會(huì)被調(diào)整，繼而形成新的天線饋電點(diǎn)阻抗以優(yōu)化功率傳遞。

天線孔徑調(diào)諧技術(shù)，通俗來(lái)講是利用一個(gè)高 Q 值可變電容放臵在輻射元件的適當(dāng)?shù)奈慌Z。隨著頻率的變化的可變電容的負(fù)載會(huì)被動(dòng)態(tài)調(diào)整，使得天線諧振頻率與工作頻率相匹配。匹配諧振頻率與工作頻率有利于使天線的饋電點(diǎn)阻抗在整個(gè)工作范圍保持相對(duì)穩(wěn)定，同時(shí)一個(gè)簡(jiǎn)單的固定網(wǎng)絡(luò)將該阻抗匹配到的饋電點(diǎn)目標(biāo)阻抗50Ω，從而確保了調(diào)諧天線和 RFFE 之間最優(yōu)化的功率傳輸。

▲天線阻抗匹配調(diào)諧技術(shù)和孔徑調(diào)諧技術(shù)（資料來(lái)源：Skyworks，中銀國(guó)際證券）

2、孔徑調(diào)諧技術(shù)

孔徑調(diào)諧技術(shù)可以用來(lái)克服天線的尺寸和效率問(wèn)題，尤其對(duì)于 5G 智能手機(jī)來(lái)說(shuō)，孔徑調(diào)諧技術(shù)可以用來(lái)滿足被拓展的帶寬需求。無(wú)論是接收機(jī)還是發(fā)射機(jī)，孔徑調(diào)諧對(duì)于天線效率都有至關(guān)重要的影響，在不同應(yīng)用中，可以提高總輻射功率（TRP）和總各向同性靈敏度（TIS）至少 3dB 以上。天線孔徑調(diào)諧技術(shù)在天線和地之間連接開(kāi)關(guān)，這個(gè)開(kāi)關(guān)可以根據(jù)手機(jī)當(dāng)前通信頻率對(duì)天線進(jìn)行匹配，來(lái)調(diào)整天線的諧振頻率。在輻射元件和開(kāi)關(guān)之間加入不同的調(diào)諧器件，例如電容電感等，通過(guò)在這些調(diào)諧器件之間切換，就可以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的轉(zhuǎn)換。實(shí)際電路只會(huì)比圖中給出的情況更復(fù)雜。

▲天線孔徑調(diào)諧技術(shù)（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

天線調(diào)諧器還可以切換不同的頻率范圍。天線的自身屬性是具備多個(gè)固有諧振頻率并且是以諧波形式排布的，例如天線可以具有 900MHz，1800MHz 和 2700MHz 的諧振頻率。通過(guò)使用孔徑調(diào)諧開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)各次諧波之間的切換，一根天線可以實(shí)現(xiàn)頻率跨度很寬范圍內(nèi)的多頻段支持。通過(guò)在天線不同位臵放臵開(kāi)關(guān)，這些諧波還可以實(shí)現(xiàn)單獨(dú)控制，從來(lái)支持低中高頻段。

▲天線中的不同諧振頻率（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

3、天線調(diào)諧器市場(chǎng)

各大射頻前端芯片供應(yīng)商都針對(duì) 5G 天線調(diào)諧器進(jìn)行供貨，例如 Skyworks 提供孔徑調(diào)諧和阻抗調(diào)諧兩種類型的產(chǎn)品，可以將天線增益提高1.5到3dB從而提高電池壽命。針對(duì)不同應(yīng)用，Skyworks提供0.1GHz到 3GHz 的天線調(diào)諧器產(chǎn)品。另外 Qorvo 作為主要的射頻前端供應(yīng)商，也提供應(yīng)用于不同檔次手機(jī)終端的天線調(diào)諧器解決方案。高通的 QFE15xx 動(dòng)態(tài)天線匹配調(diào)諧器是全球首個(gè)可配臵型天線調(diào)諧器，可以為智能手機(jī)天線進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)諧來(lái)提高效率，支持 2G/3G/4G LET 制式，頻率可以的達(dá)到 700MHz 到2.7GHz。

▲高通 QFE15xx 天線動(dòng)態(tài)調(diào)諧技術(shù)（資料來(lái)源：高通官網(wǎng)，中銀國(guó)際證券）

OEM 廠商可以通過(guò)天線調(diào)諧簡(jiǎn)化 RF 設(shè)計(jì)的整個(gè)過(guò)程，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。原有的設(shè)計(jì)手機(jī)流程需要圍繞產(chǎn)品進(jìn)行針對(duì)性設(shè)計(jì)，如今通過(guò)天線調(diào)諧技術(shù) OEM 可以擁有更高的設(shè)計(jì)自由度。通過(guò)調(diào)整天線可以克服效率低下的問(wèn)題，同時(shí)有助于減少昂貴且耗時(shí)的天線相關(guān)重新設(shè)計(jì)過(guò)程。除了加速產(chǎn)品上市時(shí)間外，實(shí)際使用情況通常與實(shí)驗(yàn)室測(cè)試的情況不同，OEM 也可以確保他們的新智能手機(jī)設(shè)計(jì)能夠?yàn)榭蛻舯Ｕ嫌脩趔w驗(yàn)。

天線調(diào)諧的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)了該技術(shù)的采用，中檔和高端智能手機(jī)目前是使用天線調(diào)諧技術(shù)的主要市場(chǎng)。根據(jù) IHS Markit 的數(shù)據(jù)，隨著整體智能手機(jī)市場(chǎng)在 2016 年至 2021 年之間以 4％的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，中高端天線調(diào)諧器將會(huì)同步達(dá)到年復(fù)合增長(zhǎng)率 7％。

▲智能機(jī)出貨量和天線調(diào)諧器可實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)規(guī)模TAM（資料來(lái)源：IHS，中銀國(guó)際）

三、濾波器

1、濾波器原理

濾波器一直是射頻信號(hào)處理的重要部件，并且隨著通信時(shí)代的更迭用量在不斷增加。3G 網(wǎng)絡(luò)的通信頻段有 5 個(gè)，而根據(jù) 3GPP 的更新，4G LTE 已經(jīng)增加到了 52 個(gè)波段，5G 的標(biāo)準(zhǔn)還沒(méi)有最終確定，但是 5G 的加入會(huì)讓已經(jīng)很密集的頻譜更加擁擠。雖然對(duì)于單個(gè)手機(jī)來(lái)說(shuō)要做到支持全球所有頻段很不實(shí)際，但是想要做到國(guó)際通用的功能豐富的機(jī)型，就需要在 2G、3G 和 4G 的發(fā)射和接收路徑上做到多達(dá) 15 個(gè)頻段的支持，同時(shí)也要支持 WiFi、藍(lán)牙和全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）。像這樣的 4G LTE手機(jī)就需要 30 到 40 個(gè)濾波器。在 5G 時(shí)代，這個(gè)數(shù)字將會(huì)增加到 60 個(gè)以上。

濾波器的作用是通過(guò)特定頻率的信號(hào)，讓其他頻率的信號(hào)受阻。按照可以通過(guò)信號(hào)的類型可以分為四種類型：低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器以及帶阻濾波器。帶阻濾波器也叫做陷阻濾波器。

總的來(lái)看，設(shè)計(jì)者對(duì)濾波器追求的特性是低插入損耗，快速過(guò)渡到最終滾將，以及高帶外抑制。濾波器的插入損耗受制于多個(gè)因素，如濾波器帶寬和中心頻率，階數(shù)以及構(gòu)成器件的品質(zhì)因子。

由于 Q 值的影響，諸如 GSM（200kHz）和 CDMA（1.25MHz）之類的窄調(diào)制將在頻帶邊緣遭受最大的靈敏度損失，而 WCDMA（3.84MHz）將遭受更少的損失。GSM 是蜂窩數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的 2G 標(biāo)準(zhǔn)， CDMA 和WCDMA 是用于蜂窩數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的 2G / 3G 標(biāo)準(zhǔn)。LTE 通信的最終性能受制于系統(tǒng)帶寬，帶寬越窄受影響越大。由于通帶邊緣陡峭頻響的要求，更高 Q 濾波器結(jié)構(gòu)（例如 BAW）是必要的。由于溫度變化引起的漂移（本章稍后探討）將使調(diào)制信號(hào)惡化，需要使用溫度補(bǔ)償例如 Qorvo 的 LowDrift 或 NoDrift 濾波器。

2、4G LTE 中的濾波器

SAW 表面聲波濾波器

SAW 濾波器被廣泛應(yīng)用在 2G 和 3G 接收機(jī)前端、雙工器以及接收機(jī)濾波器。SAW 濾波器具有低插入損耗、高抑制和寬帶的特點(diǎn)，相比于傳統(tǒng)腔體濾波器和陶瓷濾波器尺寸也非常小。由于 SAW 濾波器采用晶圓制作的方式，還具有量產(chǎn)低成本的優(yōu)勢(shì)。不同頻帶的濾波器和雙工器可以通過(guò) SAW 技術(shù)直接集成在單個(gè)芯片上。

▲SAW 濾波器基礎(chǔ)（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

SAW 濾波器被廣泛應(yīng)用在 2G 和 3G 接收機(jī)前端、雙工器以及接收機(jī)濾波器。SAW 濾波器具有低插入損耗、高抑制和寬帶的特點(diǎn)，相比于傳統(tǒng)腔體濾波器和陶瓷濾波器尺寸也非常小。由于 SAW 濾波器采用晶圓制作的方式，還具有量產(chǎn)低成本的優(yōu)勢(shì)。不同頻帶的濾波器和雙工器可以通過(guò) SAW 技術(shù)直接集成在單個(gè)芯片上。

此處不得不提的是壓電效應(yīng)，壓電效應(yīng)存在于具有一定對(duì)稱性的晶體中。壓電效應(yīng)的原理是，如果對(duì)壓電材料施加壓力，它便會(huì)產(chǎn)生電位差（稱之為正壓電效應(yīng)），反之施加電壓，則產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力（稱為逆壓電效應(yīng)）。電能和機(jī)械能之間的轉(zhuǎn)換可以說(shuō)是十分高效的，能量損失非常微小。

在固態(tài)材料中，交替的機(jī)械變形可以產(chǎn)生速度為 3000 到 12000 米每秒速度傳播的聲波。在聲波濾波器中，如果品質(zhì)因子 Q 值可以高達(dá)幾千，則可以形成駐波。這些高 Q 諧振是聲學(xué)濾波器實(shí)現(xiàn)的頻率選擇性和低損耗的基礎(chǔ)。在 SAW 濾波器上，電信號(hào)輸入，通過(guò)交錯(cuò)金屬叉指換能器（IDTs）在壓電材料襯底上轉(zhuǎn)換為聲波。常見(jiàn)的壓電材料基材有石英，鉭酸鋰（LiTaO3）或鈮酸鋰（LiNbO3）。

SAW 濾波器可以覆蓋高達(dá) 1.9GHz 的頻率應(yīng)用，適用于 GSM CDMA 2G 和部分 4G 頻帶。除此之外，WLP封裝也已用來(lái)封裝 SAW，使得它的體積小巧，可以同時(shí)與雙工器或者多帶形式集成。但是 SAW 濾波器在高頻應(yīng)用下的劣勢(shì)是很明顯的，1GHz 以上其選擇性下降明顯，超過(guò) 2.5GHz 時(shí)，SAW 只能滿足一般性應(yīng)用需求而難以滿足高性能要求。同時(shí)，它的工作狀態(tài)對(duì)溫度敏感，基材的剛性在高溫時(shí)會(huì)下降從而導(dǎo)致聲速減弱。溫度上升時(shí) SAW 濾波器的頻率響應(yīng)可能會(huì)下降 4MHz 之低。隨著保護(hù)帶（guard band）變窄、在消費(fèi)設(shè)備應(yīng)用的寬溫度范圍要求（通常，-20° C 至 85° C）下，這種限制變得更加顯著。

Qorvo 推出的 LowDrift 和 NoDrift SAW 濾波器可以解決其溫度漂移的問(wèn)題，通過(guò)在 IDT 結(jié)構(gòu)上增加涂料層，可以提高壓電材料在高溫下的剛性。通常普通的 SAW 濾波器的頻率溫度系數(shù)為-45ppm/℃，LowDrift技術(shù)可以減小到-15 到-25ppm/℃。在更苛刻的應(yīng)用條件中，NoDrift SAW 濾波器可以進(jìn)一步把這個(gè)指標(biāo)提高到 0 ppm/℃。然而，由于制造工藝的復(fù)雜化，掩膜版的數(shù)量會(huì)是普通 SAW 濾波器的兩倍，因此LowDrift 和 NoDrift SAW 濾波器制作難度更高，成本也更高，但是相比于 BAW 濾波器依然有成本優(yōu)勢(shì)，下面我們來(lái)看 BAW 濾波器。

BAW 體聲波濾波器

Bulk Acoustic Wave (BAW)濾波器也叫做體聲波濾波器，不同于 SAW濾波器，BAW濾波器的聲波傳播方向是垂直的。BAW 諧振器通過(guò)石英晶體作為襯底，在上層和下層覆蓋金屬貼片來(lái)激發(fā)聲波，從頂部表面反彈到底部表面形成駐波聲波。諧振頻率是由襯底板厚度和電極質(zhì)量決定的。高頻的 BAW濾波器中壓電層必須做的很薄，幾微米的厚度，這要求諧振結(jié)構(gòu)必須使用載體基板上的薄膜沉積和微加工。

BAW 濾波器具有低插入損耗，因此有助于彌補(bǔ)與單個(gè)智能手機(jī)中支持多頻段帶來(lái)的高損耗。除了改善信號(hào)接收外，更低的損耗也有助于延長(zhǎng)電池壽命。BAW 在上行鏈路和下行鏈路分離最小的應(yīng)用以及緊密壓縮的相鄰頻帶中需要衰減的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

▲B(niǎo)AW 濾波器基礎(chǔ)（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

為了防止能量從襯底處損失，可以通過(guò)交替堆疊不同剛性和密度的薄層來(lái)形成聲學(xué)布拉克反射器。這種方法就稱為固定安裝的諧振器 BAW。布拉格反射器是由具有不同折射率的多層交替材料形成的結(jié)構(gòu)。另一種稱為薄膜體聲諧振器（FBAR）的方法是在有源區(qū)域下方蝕刻空腔，從而形成懸浮膜。FBAR 濾波器是 film bulk acoustic resonator 濾波器的簡(jiǎn)稱，不同于以前的濾波器，F(xiàn)BAR 是使用硅底板、借助 MEMES 技術(shù)以及薄膜技術(shù)而制造出來(lái)的，現(xiàn)階段的 FBAR 濾波器已經(jīng)具備了略高于普通 SAW 濾波器的特性。

兩種類型的 BAW 濾波器都可以實(shí)現(xiàn)非常低的損耗，因?yàn)樗鼈兊穆暷苊芏确浅８卟⑶铱梢苑浅：玫夭东@聲波。它們可實(shí)現(xiàn)的 Q 值在 2 GHz 時(shí)仍然可以高達(dá) 2500，高于在其他類型的微波濾波器。即使在要求苛刻的通帶邊緣，帶外抑制和插入損耗性能方面依然表現(xiàn)優(yōu)秀。

▲B(niǎo)AW 濾波器橫截面示意圖（資料來(lái)源：National Instruments，中銀國(guó)際證券）

BAR 和 BAW-SMR 之間的根本區(qū)別在于如何捕獲聲能。對(duì)于 FBAR，諧振器的兩個(gè)空氣/晶體界面確保適當(dāng)?shù)穆暡ú东@。在 BAW-SMR 中，諧振器下方的布拉格反射器可以有效地捕獲聲波。二者之間另一個(gè)主要區(qū)別是器件產(chǎn)生的熱量的熱路徑。在 BAW-SMR 中，熱量具有進(jìn)入基板的傳導(dǎo)路徑，從該傳導(dǎo)路徑可以傳播。在 FBAR 中，因?yàn)橹C振器的每一側(cè)都存在氣腔，所以熱傳導(dǎo)能力較弱。

兩種 BAW 濾波器構(gòu)造方法使得它們可以處理比 SAW 濾波器更高的射頻功率。與 SAW 器件相比，它們的性能隨溫度變化較小。反射器中使用的 SiO2將 BAW 的整體溫度漂移降低，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng) SAW 或FBAR 濾波器所能達(dá)到的溫度漂移。BAW 器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度，使緊湊型器件能夠處理高達(dá)10 W 的功率，為小型蜂窩基站應(yīng)用提供充足的功率處理能力。

3、5G濾波器

如今的 4G LTE 制式下的智能手機(jī)可以支持超過(guò) 30 個(gè)頻段，需要 60 個(gè)以上濾波器，其中大部分采用復(fù)用器的形式存在。數(shù)量如此之多的濾波器不近占據(jù)大量空間，還擁有高昂的成本，器件制造商既要滿足性能，也要維持低成本要求，可以說(shuō)已經(jīng)是很大挑戰(zhàn)。4G 制式中的濾波器器件大部分是基于SAW 和 BAW 結(jié)構(gòu)。在低頻時(shí)，SAW 濾波器可以滿足低插入損耗和帶外抑制要求，覆蓋寬帶、且體積小巧。但是在 5G 制式下的 sub-6GHz 和毫米波波段，SAW 濾波器很難滿足其需求。SAW 濾波器在 2GHz以下性能優(yōu)勢(shì)明顯，但是在高頻應(yīng)用中，只能滿足例如 GSM、CDMA、3G 無(wú)線接收前端等要求并不苛刻的應(yīng)用中。我們也在前面提到，SAW 濾波器對(duì)溫度也很敏感。通常 SAW 濾波器在手機(jī)中的工作頻率為 600MHz 到 2GHz，BAW 濾波器工作在 1.5GHz 到 6GHz，因此二者的應(yīng)用都被限制在 6GHz 以下。

在上一個(gè)專題中我們?cè)?jīng)介紹，5G 中采用的載波聚合技術(shù)使得其具有 100MHz 的帶寬。濾波器面臨的挑戰(zhàn)是，可以在不同頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換。采用非載波聚合技術(shù)的情況下，即使通信頻段可以高達(dá)30 個(gè)頻段，也是只有一個(gè)濾波器進(jìn)行工作，其他的濾波器處于關(guān)斷狀態(tài)。但是在載波聚合的情況下，以 2 個(gè) CC 為例，就可能有四種復(fù)雜的情況進(jìn)行頻率組合。CC 數(shù)量越多，情況越是復(fù)雜，濾波器需要配合其他頻段的 CC 濾波器進(jìn)行工作，可以采用的形式除了雙工器之外，還有三工器，四工器，甚至更復(fù)雜的形式結(jié)構(gòu)。

▲2 個(gè)子載波的載波聚合形式（資料來(lái)源：IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING，中銀國(guó)際證券）

目前手機(jī)中所采用的零中頻或者直接下變頻收發(fā)機(jī)依賴于 CMOS 技術(shù)。這種結(jié)構(gòu)采用的器件數(shù)量少、線性度高，適用于復(fù)雜調(diào)制結(jié)構(gòu)。對(duì)于其中的濾波器來(lái)說(shuō)，性能要求很高，但是每個(gè)通信頻段只需要兩個(gè)濾波器或者一個(gè)雙工器。對(duì)于早期的 3G 手機(jī)，只有 3 或 4 個(gè)頻段，濾波器可以滿足其要求。

但是 4G 的同頻頻段有 30 個(gè)以上，濾波器的數(shù)量和成本都大幅度增加。而且對(duì)于毫米波來(lái)說(shuō)，直接下變頻和直接處理高頻信號(hào)都是很大的挑戰(zhàn)。因此毫米波中更多的采用的是傳統(tǒng)超外差射頻架構(gòu)。

▲直接變頻或零中頻接收機(jī)框圖（資料來(lái)源：Resonnate，中銀國(guó)際證券）

Sub-6GHz 濾波器

對(duì)于 5G 中的 3.5-6.0 GHz 新頻段，頻率與當(dāng)前的 4G 高頻段接近，因此更有可能采用直接下變頻的無(wú)線電解決方案。但較高的頻率依然會(huì)給高頻段無(wú)線器件性能帶來(lái)壓力，但是基本的直接下變頻架構(gòu)將保持不變。從濾波器的角度來(lái)看，更高的頻率會(huì)給表面聲波（SAW）濾波器的帶來(lái)不小阻礙，其高頻劣勢(shì)在 2.5GHz 頻帶上已經(jīng)體現(xiàn)了出來(lái)。因此 3.5-6.0GHz 更有可能采用 BAW 和溫度補(bǔ)償 BAW（TC-BAW）濾波器。不過(guò)高頻率的影響也會(huì)對(duì) BAW 濾波器起作用，因?yàn)槁晫W(xué)損失隨頻率的平方在急劇增加。

▲B(niǎo)AW 濾波器中電學(xué)和聲學(xué)損耗受頻率變化的影響（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

毫米波濾波器

在毫米波頻率下，聲學(xué)濾波器不再適用，這是由于毫米波頻率下聲學(xué)損失增加，并且縮放尺寸不切實(shí)際。其波長(zhǎng)開(kāi)始變得足夠小，因此毫米波的濾波器技術(shù)是基于 EM 技術(shù)的。

▲波導(dǎo)濾波器 3D 建模及幅度響應(yīng)（資料來(lái)源：IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING，中銀國(guó)際證券）

現(xiàn)有用于 20GHz 和 80GHz 之間的高性能濾波器通常分為兩種結(jié)構(gòu) ，波導(dǎo)濾波器和腔體濾波器。對(duì)于大多數(shù)毫米波無(wú)線電，這些濾波器具有以厘米為單位的尺寸，但是毫米波需要毫米級(jí)尺寸?，F(xiàn)在市場(chǎng)上正在向小型化毫米波濾器過(guò)度。

波導(dǎo)濾波器的優(yōu)點(diǎn)是可以與現(xiàn)有 CMOS 技術(shù)兼容。但是基板的性能會(huì)影響濾波器性能，所以關(guān)鍵在與基板材料的優(yōu)化。腔體濾波器通常比平面波導(dǎo)濾波器在設(shè)計(jì)上難度更大。但是腔體濾波器在優(yōu)化濾波器性能和功率處理方面有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。與平面波導(dǎo)一樣，設(shè)計(jì)者一直在努力使腔體濾波器小型化，但是它在成本方面可能優(yōu)勢(shì)不大。平面波導(dǎo)和腔體濾波器都難以實(shí)現(xiàn)小尺寸，這是由于被濾波掉的 EM 波的波長(zhǎng)尺寸較大，因此濾波器尺寸要求也很大，所以這些毫米波濾波器尺寸可能比低頻帶聲波濾波器大。然而，由于之前提到的無(wú)線電架構(gòu)挑戰(zhàn)，無(wú)線電所需的濾波器數(shù)量可能要少得多。

4、濾波器市場(chǎng)

4G LTE 智能手機(jī)中濾波器的急劇增加，同時(shí) SAW 和 BAW 濾波器制造商提出了挑戰(zhàn)。主要的濾波器供應(yīng)商大幅提高了其制造能力，甚至增加幾倍才能滿足需求。有些供應(yīng)商的前端模塊的生產(chǎn)甚至受到濾器供應(yīng)限制。

SAW 的主要供應(yīng)廠商包括 Murata，Skyworks（來(lái)自 Panasonic），RF360 Holdings（高通/ TDK-EPCOS 合資企業(yè)），Qorvo 和 Taiyo Yuden，以及全球其他幾家小型 SAW 制造商，其中一些提供代工服務(wù)。這為大多數(shù)模組生產(chǎn)商提供了可用資源的靈活性。標(biāo)準(zhǔn)的傳統(tǒng)的 SAW 制造工藝在市場(chǎng)上的區(qū)分度不大，主要的區(qū)別在于設(shè)計(jì)方案。然而，隨著性能需求的增加，需要諸如溫度補(bǔ)償 TC 和更高頻率的解決方案，先進(jìn)的 SAW 工藝會(huì)變得越來(lái)越復(fù)雜，并且會(huì)在制造商之間差別越來(lái)越大，這也會(huì)使得 SAW工藝相對(duì)于 BAW 的成本優(yōu)勢(shì)受到削弱。

Broadcom（來(lái)自 Avago）和 Qorvo（來(lái)自 TriQuint）是智能手機(jī)領(lǐng)域中僅有的兩家批量供應(yīng)商，因此 BAW濾波器的供應(yīng)商的規(guī)模要小得多。Broadcom 憑借其 FBAR 技術(shù)在濾波器體積和器性能方面處于領(lǐng)先地位。Qorvo 擁有 SMR 技術(shù)，并且與 FBAR 的性能差距很小，因此占據(jù)了第二的位臵。兩家公司在過(guò)去十年中都增加了大量產(chǎn)能以滿足濾波器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。并且這兩家公司都將其制造工藝從 150 毫米晶圓轉(zhuǎn)變到 200 毫米晶圓，且兩家公司都積極并購(gòu)硅晶圓廠以滿足未來(lái)的預(yù)期需求。

由于 BAW工藝的復(fù)雜性，BAW 技術(shù)的進(jìn)入壁壘明顯高于 SAW。除了工藝流程的復(fù)雜性之外，兩家公司都擁有涵蓋該技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán) IP。2009 年至 2012 年期間，Avago 和 TriQuint 就 BAW 技術(shù)專利進(jìn)行了大的法律訴訟，最終達(dá)成了交叉許可協(xié)議。之后兩家公司積極增加各自的專利組合，這進(jìn)一步提高了技術(shù)門(mén)檻。然而，BAW 濾波器市場(chǎng)的前景依然非常可觀，Skyworks，RF360 Holdings 和 Taiyo Yuden 也宣布將會(huì)提供基于 BAW 的產(chǎn)品。初創(chuàng)公司 Akoustis 通過(guò)使用單晶 AlN 開(kāi)發(fā)了一種非常高性能的 BAW 技術(shù)，在此前其他供應(yīng)商使用的則是多晶 AlN 方案。

Akoustis 技術(shù)公司(前稱為 Danlax,Corp.)是根據(jù)美國(guó)內(nèi)華達(dá)州法律于 2013 年 4 月 10 日注冊(cè)成立，總部設(shè)在北卡羅來(lái)納州的亨茨維爾。2015 年 4 月 15 日，公司更名為 Akoustis 技術(shù)公司。2017 年 3 月，登陸納斯達(dá)克。

▲Akoustic XBAW 單晶體濾波器在 1-7GHz 頻率的應(yīng)用（資料來(lái)源：IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING，中銀國(guó)際證券）

目前 Akoustis 已經(jīng)宣布推出了三款商用濾波器產(chǎn)品：第一款是用于三頻 WiFi 路由器應(yīng)用的商用 5.2 GHz BAW RF 濾波器；第二款是針對(duì)雷達(dá)應(yīng)用的 3.8 GHz BAW RF 濾波器；第三款 AKF -1652 是針對(duì)未來(lái) 4G LTE和 5G 移動(dòng)設(shè)備 5.2 GHz BAW RF 濾波器。

雖然目前我們所討論的濾波器技術(shù)都不直接涉及化合物半導(dǎo)體，但在整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于性能需求，大量的器件會(huì)使用化合物半導(dǎo)體設(shè)計(jì)。對(duì) sub-6 GHz 以下頻段，基于現(xiàn)有的架構(gòu)，使用化合物半導(dǎo)體工藝可以具有更高的性能。對(duì)于 20 GHz 以上的毫米波頻率，會(huì)根據(jù)應(yīng)用選擇性使用化合物半導(dǎo)體器件優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。載波頻率進(jìn)行上下變頻時(shí)，還可能需要用到混頻器和壓控振蕩器之類的器件，這些都可能采用化合物半導(dǎo)體制造工藝，這都是為了支持 5G 制式可能采用的架構(gòu)所用到的部件，而4G 中這些組件不在移動(dòng)設(shè)備中使用。

5G 制式下聲學(xué)濾波器的限制顯得更加關(guān)鍵。BAW 濾波器目前應(yīng)用在 2.5-3.5GHz，5G 制式下將會(huì)占領(lǐng)3.5-6.0 GHz。隨著頻率增加到 6.0 GHz，性能挑戰(zhàn)將會(huì)非常明顯。為了避免濾波器性能在高頻時(shí)的下降，必須開(kāi)發(fā)改進(jìn)型聲學(xué)諧振器技術(shù)。SAW 濾波器將會(huì)沿用當(dāng)前工藝，在改進(jìn)的同時(shí)繼續(xù)在低頻區(qū)域占據(jù)成本優(yōu)勢(shì)。SAW 濾波器將主導(dǎo) 5G 中新出現(xiàn)的 600-700 MHz 頻段。依據(jù)目前的技術(shù)現(xiàn)狀，還沒(méi)有可以替代 SAW 和 BAW 濾波器的其他可用的先進(jìn)濾波器技術(shù)，因此在未來(lái) 5 年之內(nèi)目前的手機(jī)收發(fā)機(jī)架構(gòu)不會(huì)發(fā)生本質(zhì)性變化。

對(duì)于 27 GHz 以上的毫米波頻率，濾波器的挑戰(zhàn)將是巨大的。目前的高性能毫米波濾波器確實(shí)存在，但大多數(shù)的尺寸和重量并不適用于與移動(dòng)設(shè)備。小型化 EM 波導(dǎo)和腔體濾波器的新技術(shù)開(kāi)始出現(xiàn)。腔體濾波器的預(yù)期性能應(yīng)高于 EM 波導(dǎo)濾波器，但是 EM 波導(dǎo)濾波器可以使用薄膜工藝，有低成本優(yōu)勢(shì)。

四、射頻開(kāi)關(guān)

1、RF switch

射頻開(kāi)關(guān)的作用是將多路射頻信號(hào)中的任一路或幾路通過(guò)控制邏輯連通，以實(shí)現(xiàn)不同信號(hào)路徑的切換，包括接收與發(fā)射的切換、不同頻段間的切換等，以達(dá)到共用天線、節(jié)省終端產(chǎn)品成本的目的。

射頻開(kāi)關(guān)的主要產(chǎn)品種類有移動(dòng)通信傳導(dǎo)開(kāi)關(guān)、Wi-Fi 開(kāi)關(guān)、天線開(kāi)關(guān)等，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)等移動(dòng)智能終端。智能手機(jī)可能包含 10 多個(gè) RF 開(kāi)關(guān)設(shè)備。

射頻開(kāi)關(guān)的的工作原理如下圖所示：當(dāng)射頻開(kāi)關(guān)的控制端口加上不同電壓時(shí)，射頻開(kāi)關(guān)各端口將呈現(xiàn)不同的連通性。以單刀雙擲射頻開(kāi)關(guān)為例，當(dāng)控制端口加上正電壓時(shí)，連接端口 1 與端口 3 的電路導(dǎo)通，同時(shí)連接端口 2 與端口 3 的電路斷開(kāi)；當(dāng)控制端口加上零電壓時(shí)，連接端口 1 與端口 3 的電路斷開(kāi)，同時(shí)連接端口 2 與端口 3 的電路導(dǎo)通。

▲射頻開(kāi)關(guān)工作原理示意圖（資料來(lái)源：卓勝微招股說(shuō)明書(shū)，中銀國(guó)際證券）

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FET 是構(gòu)成 RF 開(kāi)關(guān)的重要元素，因此 FET 的非理想特性會(huì)嚴(yán)重影響開(kāi)關(guān)性能。在低阻抗?fàn)顟B(tài)下，F(xiàn)ET 源級(jí)漏級(jí)之間的導(dǎo)通電阻不為零，所以信號(hào)通過(guò) FET 時(shí)會(huì)產(chǎn)生能量損失，反映在指標(biāo)上就是插入損耗。FET 開(kāi)關(guān)的插入損耗可重復(fù)性強(qiáng)，可以建立有效模型，在需要高精度的應(yīng)用中，可以進(jìn)行適當(dāng)校準(zhǔn)和補(bǔ)償。

除此之外，開(kāi)關(guān)在關(guān)斷狀態(tài)下，信號(hào)還會(huì)通過(guò) FET 寄生電容漏電，可以用隔離度指標(biāo)進(jìn)行量化。FET 的非線性，也產(chǎn)生互調(diào)和諧波失真。輸入 1dB 壓縮點(diǎn)是表征線性度的指標(biāo)，當(dāng)插入損耗相比于低輸入功率情況下下降 1dB 是的輸入能量水平就是 IP1dB。P1dB 越高，線性度越好。FET 開(kāi)關(guān)可以處理的功率或者能量是有限的，因此也有最高能量指標(biāo)。開(kāi)關(guān)的速度可以用轉(zhuǎn)換時(shí)間和建立時(shí)間來(lái)表示，也就是表示開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換信號(hào)路徑的速度。

▲開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換時(shí)間 TSW 和建立時(shí)間 TS（資料來(lái)源：Ranatec，中銀國(guó)際證券）

開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）用作三端口器件，其中源極和漏極端口形成用于 RF 信號(hào)的傳導(dǎo)路徑或通道，柵極端口被施加直流電壓來(lái)控制通道開(kāi)閉。大多數(shù)開(kāi)關(guān) FET 使用耗盡型模式，也就是說(shuō)沒(méi)有施加電壓時(shí)，溝道通常處于其低電阻狀態(tài)，而漏極和源極施加負(fù)電壓時(shí)，溝道處于高電阻狀態(tài)。

▲單刀雙擲開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)（資料來(lái)源：Skyworks，中銀國(guó)際證券）

隨著單片 RF 開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計(jì)的復(fù)雜度從簡(jiǎn)單的單刀單擲、串聯(lián)、窄帶寬結(jié)構(gòu)過(guò)渡到了多刀多擲、寬帶、多串聯(lián)、多分流的復(fù)雜構(gòu)造開(kāi)關(guān)。同時(shí)，最大入射 RF 功率也增加到 30 dBm 至 33 dBm 的范圍。在過(guò)去幾年中，GaAs pHEMT，SOI MOSFET 和 PIN 二極管技術(shù)得以采用，來(lái)解決原有的材料散熱問(wèn)題，并且可以處理 20 瓦范圍內(nèi)的入射功率水平的高頻開(kāi)關(guān)。射頻和微波頻率下的 100 瓦連續(xù)波能量。

隨著頻率增加到毫米波的范圍，AlGaAs / GaAs 異質(zhì)結(jié) PIN 二極管集成開(kāi)關(guān)可以將功率處理提高到 40瓦，在極高頻率下的性能卓越?；?GaN HEMT 技術(shù)利用碳化硅，藍(lán)寶石或高電阻率硅襯底的控制部件也被采用，來(lái)替代傳統(tǒng)的硅和 GaAs 工藝，用于高功率處理。

GaN 工藝相比于 GaAs 和 SiC 有其獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)，例如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅和 GaAs 的十倍，在高功率上應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯；介電常數(shù)和硅、GaAs 以及 SiC 相比降低了 50%，并且能量密度大幅度提升，因此在高頻高功率具有顯著優(yōu)勢(shì)。GaN HEMT 器件在高功率控制上，尤其是射頻、微波毫米波領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)是非常明顯的。但是 GaN HEMT 的導(dǎo)通電阻典型值為 6.25ohmxmm，相對(duì)較大，會(huì)限制其在高頻高擺幅時(shí)的應(yīng)用，高功率輸出時(shí)有線性度限制。

▲GaN HEMT 器件電流電壓關(guān)系圖（資料來(lái)源：IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS)，中銀國(guó)際證券）

基于 CMOS 工藝的 SOI MOSFET 也是適合于高功率高頻率開(kāi)關(guān)的有源器件，導(dǎo)通電阻可以達(dá)到 1.0 ohm*mm 和 2.0 ohm*mm，關(guān)斷時(shí)的電容可以達(dá)到 250fF/mm 和 30fF/mm。綜合各方面性能，SOI 與 GaAs pHEMT 開(kāi)關(guān)性能接近，可以用在 RF 微波頻率。即使和 GaN HEMT 相比，SOI MOSFET 的導(dǎo)通電阻也很低，在 RF 上優(yōu)勢(shì)明顯。

2、RF 開(kāi)關(guān)市場(chǎng)

5G 智能手機(jī)需要接收更多頻段的射頻信號(hào)，根據(jù) Yole Development 的總結(jié)，2011 年及之前智能手機(jī)支持的頻段數(shù)不超過(guò) 10 個(gè)，而隨著 4G 通訊技術(shù)的普及，至 2016 年智能手機(jī)支持的頻段數(shù)已經(jīng)接近 40 個(gè)；因此，移動(dòng)智能終端中需要不斷增加射頻開(kāi)關(guān)的數(shù)量以滿足對(duì)不同頻段信號(hào)接收、發(fā)射的需求。

與此同時(shí)，智能手機(jī)外殼現(xiàn)多采用手感、外觀更好的金屬外殼，一定程度上會(huì)造成對(duì)射頻信號(hào)的屏蔽，需要天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)提高天線對(duì)不同頻段信號(hào)的接收能力。

根據(jù) QYR Electronics Research Center 的統(tǒng)計(jì)，2010 年以來(lái)全球射頻開(kāi)關(guān)市場(chǎng)經(jīng)歷了持續(xù)的快速增長(zhǎng)，2017 年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 14.47 億美元，2017 年及之后增速放緩，但預(yù)計(jì)到 2020 年期間仍保有 9.5%的年化增長(zhǎng)率，預(yù)計(jì)到 2020 年達(dá)到 19.01 億美元。

▲全球射頻開(kāi)關(guān)銷售收入及預(yù)測(cè)（資料來(lái)源：Global Radio Frequency Front-end Module Market Research Report 2017，中銀國(guó)際證券）

目前 RF 開(kāi)關(guān)的主要市場(chǎng)被海外公司占領(lǐng)，主要包括 Skyworks、Qorvo、博通、恩智浦、英飛凌、Murata等。這些主要玩家仍在不斷進(jìn)行生產(chǎn)技術(shù)創(chuàng)新來(lái)提高企業(yè)效率。國(guó)內(nèi)的公司則有銳迪科、卓勝微、唯捷創(chuàng)芯、韋爾股份等。卓勝微公司的射頻前端芯片應(yīng)用于三星、小米、華為、vivo、OPPO、聯(lián)想、魅族、TCL。目前國(guó)內(nèi)的 RF 開(kāi)關(guān)技術(shù)還有待提高，國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)可以期待。

五、放大器

1、功率放大器簡(jiǎn)介

手機(jī)中的功率放大器是將小信號(hào)轉(zhuǎn)換成大功率信號(hào)的裝臵，用于驅(qū)動(dòng)特定負(fù)載的天線等。功率放大器于其工作頻率范圍、效率等要求達(dá)的不同會(huì)有不同類型的設(shè)計(jì)。

▲功率放大器的工作原理（資料來(lái)源：Microwave Journal，中銀國(guó)際證券）

功率放大器具有盡管任何類型的放大器都有特定的特性，但每個(gè)放大器的基本特性可以用幾個(gè)參數(shù)來(lái)解釋。

功率放大器有各種類型，但最常用的是 Class C、Class B、Class AB 以及 Calss A，針對(duì)特殊的設(shè)計(jì)還可以具有開(kāi)關(guān)模式。為了提高 PA 的效率和越來(lái)越高的通信要求，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展出了 Class-E，Class-F、Class-J、Class-G 以及 Doherty 型的濾波器設(shè)計(jì)。

5G 對(duì)于 RFFE 中的 PA 數(shù)量和形式都有非常大的影響。5G 制式下的 PA 要求功率和效率都要求更高，同時(shí)帶寬增加。MIMO 的使用帶來(lái)了上行鏈路的增加，2x2 MIMO 上行鏈路的要求下，PA 的用量至少會(huì)增加一倍。

▲2G 向 5G 演變過(guò)程中相關(guān)參數(shù)變化（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

在設(shè)計(jì)上，LTE 制式下高端型手機(jī)中多采用的包絡(luò)追蹤（ET）技術(shù)來(lái)配合 PA 降低功耗。包絡(luò)追蹤技術(shù)通過(guò)追蹤射頻信號(hào)包絡(luò)，即檢測(cè)輸出信號(hào)能量，來(lái)不停適配 PA 的電源，從而優(yōu)化 PA 效率。但是包絡(luò)追蹤目前的技術(shù)只能支持到 60MHz 帶寬，在 5G 載波聚合應(yīng)用后帶寬可以 100MHz，此時(shí)包絡(luò)追蹤技術(shù)無(wú)法滿足帶寬要求。因此 PA 需要工作在平均功率跟蹤（APT）固定電壓模式下，來(lái)支持寬帶的 5G 傳輸，同時(shí) PA 的效率會(huì)下降。

▲包絡(luò)追蹤 ET 技術(shù)（資料來(lái)源：Techdesignforums，中銀國(guó)際證券）

▲ET 與 APT 技術(shù)對(duì)比（資料來(lái)源：Qualcomm，中銀國(guó)際證券）

5G 增加的新波形，例如 CP-OFDM 和其他信道進(jìn)行載波聚合后，會(huì)有更高峰值平均功率比（PAR），所以在 5G PA 中需要實(shí)現(xiàn)更大的回退（backoff）。工作在回退模式意味著必須降低 PA 的最大輸出功率，以便使整個(gè)信號(hào)在 PA 傳遞曲線的線性區(qū)域范圍內(nèi)。這樣做會(huì)給 PA 的線性度和效率的折中帶來(lái)更大的困難。

▲PA 中的回退技術(shù)（資料來(lái)源：Analog Circuits and Signal Processing，中銀國(guó)際證券）

5G RFFE 還可能需要支持 LTE 中與 5G FR1 重合的頻率，對(duì) LTE 向下兼容?？紤]到電池壽命，手機(jī)制造商希望盡可能使用 ET 來(lái)保證 PA 效率，這意味著使用 ET 進(jìn)行 LTE 傳輸和采用 60 MHz 帶寬的 5G 信號(hào)。因此，PA 在 ET 模式下工作時(shí)必須提供高飽和效率，在 APT 模式下則必須具有高線性效率。在寬帶 APT 模式和相對(duì)窄帶的 ET 模式下 PA 的的工作模式，給 RFFE 供應(yīng)商帶來(lái)很大挑戰(zhàn)。此外，在ET 和 APT 模式之間切換需要復(fù)雜的電源管理。

毫米波波段的 5G NR 標(biāo)準(zhǔn)對(duì)天線模塊有低成本要求，包括帶波束成形的相控陣收發(fā)器，天線陣列和電源管理 IC 的共同繼承。由于典型的片上毫米波 CMOS 功率放大器（PA）的有損襯底，可能會(huì)導(dǎo)致功率效率較低，還會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的熱問(wèn)題，使得手機(jī)的電池壽命縮短。因此也需要引入了供電調(diào)制（SM）技術(shù)，例如包絡(luò)跟蹤（ET）和平均功率跟蹤（APT），而不是直接電池連接電源，以提高 PA 效率。

手機(jī)里面 PA 的數(shù)量隨著 2G、3G、4G、5G 前向兼容而增加，以 PA 模組為例，4G 多模多頻手機(jī)所需的 PA 芯片增至 5-7 顆，而在 5G 時(shí)代 Strategy Analytics 預(yù)測(cè)稱手機(jī)內(nèi)的 PA 或多達(dá) 16 顆之多。PA直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量，甚至待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外最重要的部分。

2、PA 市場(chǎng)分析

根據(jù) Marketandmarkets 預(yù)測(cè)，功率放大器市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從 2018 年的 214 億美元增長(zhǎng)到 2023 年的 306 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)到 7.4%。消費(fèi)類電子產(chǎn)品的日益普及和 LTE、5G 技術(shù)的會(huì)持續(xù)推動(dòng)功率放大器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。功率放大器市場(chǎng)的擴(kuò)大也會(huì)使得材料供應(yīng)商、處理器、制造商等收益。

▲PA 市場(chǎng)在全球范圍內(nèi)預(yù)測(cè)情況（資料來(lái)源：Marketsandmarkets，中銀國(guó)際證券）

2G 時(shí)代手機(jī)單機(jī) PA 芯片成本僅 0.3 美元/部， 3G 手機(jī)則提升至約 1.25 美元/部，而 4G 時(shí)代則增至 2美元～3.25 美元/部，高端手機(jī)成本甚至更高，僅 iPhone6 射頻部分就使用了 6 顆 PA 芯片。StrategyAnalytics 預(yù)測(cè) 5G 單機(jī)需 16 顆 PA，這意味著 5G 時(shí) PA 在手機(jī)成本中所占比例將成倍增長(zhǎng)。

根據(jù) Strategy Analytics 的新市場(chǎng)預(yù)測(cè)，5G 將推動(dòng) RF 功率放大器（PA）市場(chǎng)的增長(zhǎng)。經(jīng)過(guò)過(guò)去三年的市場(chǎng)低迷，功率放大器將由于 5G 手機(jī)和其他蜂窩用戶設(shè)備的需求而增加。PA 模組是集成和簡(jiǎn)化 RF設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。由于新的 sub-6GHz 波段的加入，上行鏈路載波聚合以及上行鏈路 MIMO 技術(shù)的應(yīng)用Skyworks、Qorvo、Broadcom、Murata 等主要廠商會(huì)承受很大的設(shè)計(jì)、研發(fā)、以及供貨壓力。5G 帶來(lái)的PA 模塊復(fù)雜度的提升，會(huì)加入諸如濾波器、開(kāi)關(guān)等模塊，隨著市場(chǎng)的增長(zhǎng)，這種復(fù)雜 PA 模塊不會(huì)僅僅存在于旗艦高端智能設(shè)備應(yīng)用中，還將會(huì)逐漸向中低端設(shè)備中滲透。在這樣的壓力下，預(yù)計(jì)全球的 PA 供應(yīng)商會(huì)進(jìn)一步增加研發(fā)預(yù)算以滿足 OEM 廠商的需求。

▲全球 PA 市場(chǎng)份額統(tǒng)計(jì)（資料來(lái)源：Gartner，中銀國(guó)際證券）

高通對(duì)手機(jī) 5G 射頻前端模組進(jìn)行供貨，最新的 QTM525 毫米波天線模組集成了天線和射頻前端模塊。新模組在原有的 n257（26.5 - 29.5 GHz）頻段，n260（37 - 40 GHz）和 n261（27.5 - 28.35 GHz）頻段的基礎(chǔ)上增加了頻段 n258（24.25 - 27.5 GHz）對(duì)北美、歐洲和澳大利亞進(jìn)行支持。同時(shí)高通公司還推出了全球首個(gè) 5G 100MHz 包絡(luò)追蹤解決方案 QET6100，一系列集成的 5G / 4G 功率放大器（PA）和分集模塊，以及 QAT3555 5G 自適應(yīng)天線調(diào)諧解決方案。QET6100 將包絡(luò)跟蹤技術(shù)擴(kuò)展到 100 MHz帶寬的上行鏈路以及 5G NR 所需的 256-QAM 調(diào)制技術(shù)上，這在以前被認(rèn)為是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。與平均功率跟蹤技術(shù) APT 相比功率效率加倍，可以延長(zhǎng)電池壽命。

▲高通QTM525 毫米波天線模組（資料來(lái)源：Qualcomm 官網(wǎng)，中銀國(guó)際證券）

Qorvo 的 PA 在 5G 基站應(yīng)用上可以進(jìn)行供貨，在手機(jī)設(shè)備中目前只提供 3G、4G 以及 LTE 制式下的 PA。Murata 公司也推出了毫米波射頻天線模組，可以支持基站之間的 5G 通信。Skyworks 目前提供的手機(jī)應(yīng)用的 PA 產(chǎn)品可以針對(duì) GSM/GPRS/EDGE 應(yīng)用，LTE、TD-SCDMA、CDMA、WCDMA、以及手機(jī)藍(lán)牙等。

功率放大器的需求增加，帶動(dòng)了對(duì)“砷化鎵/氮化鎵”化合物半導(dǎo)體的需求。3G、4G 時(shí)代，移動(dòng)終端PA 主要是砷化鎵器件，根據(jù) Technavio 數(shù)據(jù)， 2021 年砷化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 630 億元人民幣。5G通信時(shí)代，氮化鎵因擁有小體積、大功率特性，有望成為最適合 PA 的材料。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2020 年 GaN 射頻市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 41 億人民幣。在 PA 領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司有近 20 家，主要包括漢天下、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等；晶圓代工廠商主要有三安光電、海特高新等。

六、射頻前端涉及工藝

1、RF SOI 工藝

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層氧化埋層。通過(guò)在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI 材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅 CMOS 電路中的寄生閂鎖效應(yīng)。

▲SOI 基本結(jié)構(gòu)（資料來(lái)源：IBM，中銀國(guó)際證券）

采用這種材料制成的集成電路具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說(shuō) SOI 將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。從器件結(jié)構(gòu)來(lái)看，SOI 做成的 MOS 器件可以大大減小寄生電容，因此 MOS 晶體管的速度可以很快，這對(duì)于數(shù)字 CMOS 工藝?yán)?CPU 制程來(lái)說(shuō)也是很關(guān)鍵的。

▲SOI MOS寄生電容（資料來(lái)源：IBM，中銀國(guó)際證券）

目前國(guó)內(nèi)使用 SOI 工藝的芯片廠家數(shù)量相對(duì)較少，只有中芯國(guó)際（FD-SOI 和 FinFET 兩種工藝都有）、成都格芯、上海新傲科技和華力微電子（二期晶圓廠）等幾家，主要的工藝種類為 FD-SOI。不過(guò)，雖然廠家為數(shù)不多，但整體工藝水平卻比較超前，尤其是中芯國(guó)際和華力微電子的 28nm 制程已經(jīng)逼近世界頂尖。

目前 GF 已經(jīng)商用 45nm RF SOI 制程，可以用來(lái)制作 PA， LNA 和 Tx Rx 的開(kāi)關(guān)。相比于硅基襯底不僅減小了寄生電容，fmax 也增加了 40%。

▲45nm RF SOI 先進(jìn)制程與 CMOS 制程性能比較（資料來(lái)源：Global Foundries，中銀國(guó)際證券）

受益于在手機(jī)終端上的大量應(yīng)用，幾家 SOI 大廠都在積極擴(kuò)產(chǎn)。代工廠正增加擴(kuò)產(chǎn) 200 毫米 RF SOI晶圓廠的產(chǎn)能，以滿足增長(zhǎng) 5G 帶來(lái)的射頻前端需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺(tái)積電和聯(lián)華電子正在推出 300 毫米晶圓射頻 SOI 工藝，以爭(zhēng)奪下一代 5G 標(biāo)準(zhǔn)射頻業(yè)務(wù)。RF SOI 用于為智能手機(jī)和其他產(chǎn)品制作專用 RF 芯片，如開(kāi)關(guān)器件和天線調(diào)諧器。RF SOI 是絕緣體上硅（SOI）技術(shù)的 RF 版本，與數(shù)字芯片的全耗盡 SOI（FD-SOI）不同。代工廠的 SOI 硅片主要來(lái)自于采購(gòu)，例如 Soitec 和其他公司將 RF SOI 硅片出售給代工廠，后者將其加工成 RF 芯片。

Solitec 目前是 RF SOI 硅晶片的最大供應(yīng)商，占比全球市場(chǎng)份額的 70%。其他家如 Shin-Etsu 和GlobalWafers 也對(duì) 200mm 和 300mm 硅晶片出貨，但是也是基于 Solitec 的技術(shù)。中國(guó)的 SOI 材料供應(yīng)商有上海新傲科技。根據(jù) Solitec 表示，雖然目前的幾家代工廠正在增加 300mm RF SOI，但產(chǎn)能依然有限。世界上大約 5％的 RF SOI 產(chǎn)能在 300 毫米，到 2019 年預(yù)計(jì)可以增加到 20％。根據(jù) Soitec 的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2020 年左右，RF SOI 晶圓片的出貨量可能達(dá)到 200 萬(wàn)片。

2、GaAs 工藝

砷化鎵半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)的硅材料相比，它的電子移動(dòng)率約為硅材料的 5.7 倍。它具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性。因此，廣泛運(yùn)用于高頻及無(wú)線通訊(主要為超過(guò) 1GHz以上的頻率).適于制做 IC 器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無(wú)線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS 全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在 IC 產(chǎn)品應(yīng)用以外,也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對(duì)應(yīng)的光波波長(zhǎng),制作成光電元件。

▲GaAs 器件的應(yīng)用領(lǐng)域（資料來(lái)源：Global Foundries，中銀國(guó)際證券）

在微電子領(lǐng)域中，使用的化合物半導(dǎo)體材料屬于高端產(chǎn)品，主要用于制作無(wú)線通訊（衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊）、光纖通訊、汽車電子等用的微波器件。根據(jù) SA 數(shù)據(jù)，作為半絕緣砷化鎵下游產(chǎn)業(yè)的砷化鎵集成電路業(yè)市場(chǎng)平均增長(zhǎng)近年都在 40%以上，盡管砷化鎵分立器件的市場(chǎng)份額在逐步減少，砷化鎵射頻器件市場(chǎng)仍有 30%的年增長(zhǎng)，加之衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和車載雷達(dá)用砷化鎵單晶的潛在市場(chǎng)，半絕緣砷化鎵的需求前景非?？春?。

在 GaAs 晶圓供應(yīng)方面，住友電工（Sumitomo Electric）、弗萊貝格化合物材料（Freiberger Compound Materials）、晶體技術(shù)（AXT）三家公司占據(jù)約 95％市場(chǎng)份額。目前微電子用砷化鎵晶片市場(chǎng)主要掌握在日本住友電工（SumitomoElectric）、費(fèi)里伯格（FreibergerCompoundMaterials）、日立電線（HitachiCable）和美國(guó) AXT 等四家大公司手中。主要以生產(chǎn) 4、6 英寸砷化鎵材料為主。費(fèi)里伯格公司供應(yīng) LEC 法生長(zhǎng)的 3、4、6 英寸半絕緣砷化鎵襯底，供應(yīng) VGF 法生長(zhǎng)的 4、6 英寸半絕緣砷化鎵襯底。住友供應(yīng) VB法生長(zhǎng)的 4、6 英寸半絕緣砷化鎵襯底。日立電線供應(yīng) LEC 法生長(zhǎng)的 2、3、4、6 英寸半絕緣砷化鎵襯底。AXT 供應(yīng) VGF 法生長(zhǎng)的 2、3、4、6 英寸半絕緣砷化鎵襯底。

目前中國(guó)的砷化鎵材料生產(chǎn)企業(yè)主要以 LED 用低阻砷化鎵晶片為代表的低端市場(chǎng)為主，利潤(rùn)率較高的微電子用 4～6 英寸半絕緣晶片還沒(méi)有形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。中國(guó)大陸從事砷化鎵材料研發(fā)與生產(chǎn)的公司主要有：北京通美晶體技術(shù)有限公司（AXT）、中科晶電信息材料（北京）有限公司、天津晶明電子材料有限責(zé)任公司（中電集團(tuán) 46 研究所）、北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司、北京國(guó)瑞電子材料有限責(zé)任公司、揚(yáng)州中顯機(jī)械有限公司、山東遠(yuǎn)東高科技材料有限公司、大慶佳昌科技有限公司、新鄉(xiāng)神舟晶體科技發(fā)展有限公司（原國(guó)營(yíng) 542 廠）等九家。

砷化鎵在微電子的應(yīng)用范圍，以射頻 IC 為主。它的產(chǎn)品集中在 PA(功率放大器)，LNA(低雜訊功率放大器)等通訊元件上，產(chǎn)品廣度遠(yuǎn)不如可應(yīng)用在資訊，通訊及消費(fèi)性電子的硅 IC。但基于對(duì)未來(lái)無(wú)線通訊的成長(zhǎng)可期，通訊元件的應(yīng)用范圍會(huì)隨著新通訊產(chǎn)品的推出而倍增，其應(yīng)用領(lǐng)域有移動(dòng)電話，無(wú)線電話，無(wú)線通訊，微波通訊及衛(wèi)星通訊產(chǎn)品等。這些產(chǎn)品將會(huì)隨著通訊網(wǎng)路的建構(gòu)與普及而需求大增。所以就長(zhǎng)期發(fā)展而言，對(duì)砷化鎵 IC 的需求量也會(huì)愈來(lái)愈大。砷化鎵 IC 在手機(jī)中發(fā)射端的功率放大器（PA）、接收端的低噪聲放大器和高速開(kāi)關(guān)等，多由 GaAsIC 承擔(dān)。它是手機(jī)中重要關(guān)鍵性零組件。一只典型的高質(zhì)量手機(jī)通常包含 6-7 塊 GaAs MMIC，因此無(wú)線通訊市場(chǎng)的走向?qū)φ麄€(gè) GaAs工業(yè)非常重要。整個(gè)移動(dòng)通訊技術(shù)的發(fā)展更是帶動(dòng) GaAs 材料的技術(shù)進(jìn)步與需求增長(zhǎng)。

3、GaN 工藝

氮化鎵技術(shù)可以追溯到 1970 年代，美國(guó)無(wú)線電公司（RCA）開(kāi)發(fā)了一種氮化鎵工藝來(lái)制造 LED?，F(xiàn)在市場(chǎng)上銷售的很多 LED 就是使用藍(lán)寶石襯底的氮化鎵技術(shù)。除了 LED，氮化鎵也被使用到了功率半導(dǎo)體與射頻器件上?；诘壍墓β市酒谑袌?chǎng)站穩(wěn)腳跟。

氮化鎵技術(shù)具有以下好處：

高擊穿場(chǎng)：由于 GaN 的大帶隙，GaN 材料具有高擊穿場(chǎng)，這使得 GaN 器件能夠在比其他半導(dǎo)體器件高得多的電壓下工作。當(dāng)經(jīng)受足夠高的電場(chǎng)時(shí)，半導(dǎo)體中的電子可以獲得足夠的動(dòng)能來(lái)破壞化學(xué)鍵（稱為碰撞電離或電壓擊穿的過(guò)程）。如果不控制碰撞電離，則會(huì)降低設(shè)備的性能。由于 GaN 器件可以在更高的電壓下工作，因此它們可以用于更高功率的應(yīng)用。

高飽和速度：GaN 上的電子具有高飽和速度（在非常高的電場(chǎng)下的電子速度）。結(jié)合大電荷能力，這意味著 GaN 器件可以提供更高的電流密度。RF 功率輸出是電壓和電流擺動(dòng)的乘積，因此更高的電壓和電流密度可以在實(shí)際尺寸的晶體管中產(chǎn)生更高的 RF 功率。簡(jiǎn)而言之，GaN 器件可以產(chǎn)生更高的功率密度。

出色的熱性能：GaN-on-SiC 器件具有出色的熱性能，這主要?dú)w功于 SiC 的高導(dǎo)熱性。實(shí)際上，這意味著 GaN-on-SiC 器件在耗散相同功率時(shí)不會(huì)像 GaAs 或 Si 器件那樣熱。“較冷”設(shè)備意味著更可靠的設(shè)備。

典型的 GaN 射頻器件的加工工藝主要包括外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。

▲典型的 GaN 工藝流程（資料來(lái)源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

GaN 器件的功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的十倍。GaN 器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率，這是由于器件外圍更小。

GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類 GaAs 器件高五倍。由于 GaN FET 器件可以在更高的電壓下工作，因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。阻抗匹配是以這樣的方式設(shè)計(jì)電負(fù)載的輸入阻抗的實(shí)踐，其最大化從設(shè)備到負(fù)載的功率傳輸。

GaN FET 器件的電流是 GaAs FET 器件的兩倍。由于 GaN FET 器件可提供的電流是 GaAs FET 器件的兩倍，因此 GaN FET 器件具有更高的帶寬能力。大部分的半導(dǎo)體器件對(duì)于溫度的變化都是非常敏感的，為了保證可靠性，半導(dǎo)體的溫度變化必須被控制在一定范圍內(nèi)。熱管理對(duì)于 RF 系統(tǒng)來(lái)說(shuō)尤其重要，因?yàn)樗鼈儽旧砟芰繐p耗就比較高，會(huì)帶來(lái)比較嚴(yán)重的散熱問(wèn)題。GaN 在保持低溫方面有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，另外即使在溫度較高的情況下，相比于硅其性能影響較小。例如 100 萬(wàn)小時(shí)失效時(shí)間中位數(shù) MTTF 顯示，GaN 比 GaAs 的工作溫度可以高 50 攝氏度。

▲GaAs 與 GaN 的可靠性比較（資料來(lái)源：Qorvo, 中銀國(guó)際證券）

與其他半導(dǎo)體（如 Si 和 GaAs）相比，GaN 是一種相對(duì)較新的技術(shù)，但它已成為高射頻，高耗電應(yīng)用的首選技術(shù)，如長(zhǎng)距離或高端功率傳輸信號(hào)所需的應(yīng)用 （如雷達(dá)，基站收發(fā)信臺(tái)[BTS]，衛(wèi)星通信，電子戰(zhàn)[EW]等）。

根于 Yole 的預(yù)測(cè)，在通信和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)下 RF GaN 產(chǎn)業(yè)在 2017 年至 2023 年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將會(huì)達(dá)到的 23％。截至 2017 年底 RF GaN 市場(chǎng)總量接近 3.8 億美元，2023 年將達(dá)到13 億美元以上?；?RF 的 GaN 技術(shù)也在不斷創(chuàng)新以滿足工業(yè)界需求。國(guó)防應(yīng)用是 RF GaN 的主要市場(chǎng)領(lǐng)域，這是因?yàn)?GaN 產(chǎn)品具有專業(yè)的高性能要求和低價(jià)格優(yōu)勢(shì)。2017-2018 年間，國(guó)防應(yīng)用占 GaN射頻市場(chǎng)總量的 35％以上，目前全球國(guó)防市場(chǎng)在 GaN 領(lǐng)域沒(méi)有放緩跡象。

▲2017-2023 年 RF GaN 器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)（資料來(lái)源：Yole, 中銀國(guó)際證券）

從專利角度看，住友電工是 RF GaN 器件的市場(chǎng)的領(lǐng)軍者，但是相比于 Cree 仍然有不小差距。住友電工在專利方面目前有所放緩，而其他日本公司如富士通，東芝和三菱電機(jī)正在增加其專利申請(qǐng)，目前也擁有強(qiáng)大的專利組合。英特爾和 MACOM 目前是 RF GaN 領(lǐng)域最活躍申請(qǐng)專利的兩家公司，尤其是 GaN-on-Silicon 技術(shù)，如今這兩家公司在 RF GaN 專利領(lǐng)域擁有重要 IP。參與 RF GaN 市場(chǎng)的其他公司，如 Qorvo，Raytheon，Northrop Grumman，恩智浦/飛思卡爾和英飛凌，擁有一些關(guān)鍵專利，但知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位仍然相對(duì)薄弱。

▲RF GaN 方面關(guān)鍵 IP 玩家（資料來(lái)源：Yole, 中銀國(guó)際證券）

中國(guó)電子科技集團(tuán)和西安電子科技大學(xué)在中國(guó)專利領(lǐng)域占主導(dǎo)地位，擁有針對(duì)微波和毫米波應(yīng)用的 GaN 射頻技術(shù)專利。中國(guó)公司 HiWafer 作為新興的代工廠，也逐漸在 GaN專利方面占有一席之地。

總體來(lái)說(shuō)，RF GaN 領(lǐng)域方面，依然是被美國(guó)和日本公司主導(dǎo)。

七、與本文研究相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈公司梳理

立訊精密：公司擁有射頻模塊、互聯(lián)、光電三大產(chǎn)品線，主打產(chǎn)品將伴隨 5G 浪潮量?jī)r(jià)齊升。蘋(píng)果核心供應(yīng)商，國(guó)內(nèi)稀缺精密制造平臺(tái)公司。公司產(chǎn)品線從單一的連接器拓展到聲學(xué)、馬達(dá)、無(wú)線充電、Airpods 等業(yè)務(wù)，以優(yōu)良的管理能力橫向品類擴(kuò)張。

1）聲學(xué)部分：美律生產(chǎn)進(jìn)入快車道。2）AirPods：作為 AirPods 重要供應(yīng)商，受益滲透率提升。3）線性馬達(dá)：良率提升快，響應(yīng)客戶能力極強(qiáng)。4）無(wú)線充電：已實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)線充電的全系統(tǒng)測(cè)試，競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著。5）LCP 天線：未來(lái)將會(huì)把其他模組功能整合。公司已成為具備研發(fā)、管理綜合能力的精密制造平臺(tái)。

信維通信：公司以射頻產(chǎn)品為核心，產(chǎn)品獲得主流客戶應(yīng)用。公司天線產(chǎn)品線切入平板以及筆記本等產(chǎn)品線，獲得大客戶使用。同時(shí)無(wú)線充電接收端模組已實(shí)現(xiàn)全球一流移動(dòng)終端廠商覆蓋。5G 時(shí)代即將到來(lái)，2018 年下半年高通發(fā)布了 5G 調(diào)制解調(diào)器以及相關(guān) 5G 終端解決方案。5G 射頻難度更高更復(fù)雜，并且價(jià)值量更大，公司加強(qiáng)天線等產(chǎn)品線研發(fā)投入，并且與芯片廠商合作推出 5G 毫米波解決方案，同時(shí)與國(guó)內(nèi)基站廠商合作研發(fā)，做好相關(guān) 5G 產(chǎn)品儲(chǔ)備。

卓勝微：公司一直從事射頻前端芯片產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，如射頻開(kāi)關(guān)、射頻低噪聲放大器，同時(shí)在 WiFi、藍(lán)牙方面進(jìn)行技術(shù)積累，并對(duì)外提供 IP 授權(quán)。5G 將會(huì)加速智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)智能終端市場(chǎng)的發(fā)展，公司射頻前端芯片產(chǎn)品的銷售規(guī)模有望迅速提升。公司擬募集資金用于投入射頻濾波器芯片、PA 等產(chǎn)品。

麥捷科技：公司生產(chǎn)及銷售片式功率電感、濾波器及片式 LTCC 射頻元器件等新型片式被動(dòng)電子元器件，并為下游客戶提供技術(shù)支持服務(wù)和元器件整體解決方案。產(chǎn)品廣泛用于通訊、消費(fèi)電子、軍工電子、計(jì)算機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、汽車電子等領(lǐng)域。目前國(guó)內(nèi)的主要 SAW 濾波器設(shè)計(jì)和制造相關(guān)廠商有，麥捷科技、信維通信、無(wú)錫好達(dá)、三安光電、瑞虹科技等。除此之外諾思微系統(tǒng)在 FBAR (BAW)濾波器方面也有所突破。

韋爾股份：韋爾股份是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和銷售公司，公司的射頻前端產(chǎn)品包括射頻開(kāi)關(guān)、LNA、天線調(diào)諧器。公司 2018 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 39.64 億元，同比增長(zhǎng) 64.74%；設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng) 15.19%，延續(xù)上市以來(lái)的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中，IC、射頻及微傳感器業(yè)務(wù)營(yíng)收增幅較大，分別

同比增長(zhǎng) 35.07%、137.84%。

紫光展銳：紫光展銳是紫光集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的核心企業(yè)，致力于移動(dòng)通信和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域核心芯片的自主研發(fā)及設(shè)計(jì)，產(chǎn)品涵蓋 2G/3G/4G/5G 移動(dòng)通信基帶芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、射頻芯片、無(wú)線連接芯片、安全芯片、電視芯片。公司積極布局 5G 產(chǎn)品，在 2019 世界移動(dòng)通信大會(huì)（MWC）上發(fā)布了 5G 通信技術(shù)平臺(tái)馬卡魯及其首款 5G 基帶芯片春藤 510。

漢天下：公司產(chǎn)品涵蓋射頻功放前端芯片、IoT 射頻 SoC 芯片、手機(jī)終端射頻器件三大類產(chǎn)品線，完整的 PA/FEM 產(chǎn)品線系列，產(chǎn)品覆蓋 2G、3G、4G 全系列，是國(guó)內(nèi)首家同時(shí)擁有大規(guī)模量產(chǎn)的CMOS PA 和 GaAs PA 技術(shù)的公司，漢天下的 CMOS PA 已經(jīng)成為 2G 功能機(jī)和智能機(jī)的首選射頻功放，成功應(yīng)用于 SPRD 和 MTK 等各類平臺(tái)。

唯捷創(chuàng)芯：公司的射頻功率放大器可以應(yīng)用于 2G，3G，4G 手機(jī)及數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品?；壑俏㈦娮釉诳芍貥?gòu)的混合集成射頻前端架構(gòu)技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新，可應(yīng)用于 4G 移動(dòng)終端的射頻功率放大器和其他射頻前端器件，也適用于未來(lái) 5G、IOT 等技術(shù)演進(jìn)。

海外方面：PA 部分目前主要市場(chǎng)仍然被 Qorvo、Broadcom（Avago）和 Skyworks 三家 IDM 公司占領(lǐng)，總共占領(lǐng)大約超過(guò) 90%以上的市場(chǎng)份額。射頻前端龍頭廠商 Avago、Qorvo、Skyworks 以及日本的Murata、TDK 和太陽(yáng)誘電可以提供射頻前端各個(gè)模塊的不同解決方案，高通可以為 5G 終端設(shè)備提供完整的射頻前端方案。