三星預(yù)計在2021年推出3納米制程產(chǎn)品 未來將與臺積電及英特爾進(jìn)行抗衡

在先進(jìn)制程的發(fā)展上，臺積電與三星一直有著激烈的競爭。雖然，臺積電已經(jīng)宣布將在 2020 年正式量產(chǎn) 5 納米制程。不過，三星也不甘示弱，預(yù)計透過新技術(shù)的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的產(chǎn)品。根據(jù)三星表示，其將推出的 3 納米制程產(chǎn)品將比當(dāng)前的 7 納米制程產(chǎn)品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面積也再減少 45%。

根據(jù)外媒報導(dǎo)，三星 14 日于美國加州所舉辦的晶圓制造論壇 （Samsung Foundry Forum） 上宣布，目前三星正在開發(fā)一項名為 ?環(huán)繞柵極 （gate all around，GAA） ? 的技術(shù)，這個被稱為當(dāng)前 FinFET 技術(shù)進(jìn)化版的生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)π酒诵牡?a target="_blank">晶體管進(jìn)行重新設(shè)計和改造，使其更小更快。三星指出，預(yù)計 2021 年透過這項技術(shù)所推出的 3 納米制程技術(shù)，將能使得三星在先進(jìn)制程方面與臺積電及英特爾進(jìn)行抗衡，甚至超越。而且，能夠解決芯片制造縮小過程中所帶來的工程難題，以延續(xù)摩爾定律的持續(xù)發(fā)展。

而根據(jù)國際商業(yè)戰(zhàn)略咨詢公司 （International Business Strategies） 執(zhí)行長 Handel Jones 表示，目前三星正透過強(qiáng)大的材料研究讓晶圓制造技術(shù)獲得發(fā)展。而在 GAA 的技術(shù)發(fā)展上，三星大約領(lǐng)先臺積電 1 年的時間，而英特爾封面則是落后三星 2 到 3 年。三星也強(qiáng)調(diào)，GAA 技術(shù)的發(fā)展能夠期待未來有更好的圖形技術(shù)，人工智能及其他運算的進(jìn)步，以確保未來包括智能型手機(jī)、手表、汽車、以及智慧家庭產(chǎn)品都能夠有更好的效能。

事實上，之前三星就宣布將在未來 10 年內(nèi)投資1，160 億美元來發(fā)展非存儲器項目的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以成為未來全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)霸主。其中，透過 GAA 技術(shù)發(fā)展的 3 納米制程技術(shù)就是其中重要的關(guān)鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前臺積電客戶的青睞，以獲取更多晶圓生產(chǎn)上的商機(jī)。