IC Insights | 泡沫式增長后,功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高

根據(jù)IC Insights的2019年O-S-D報(bào)告顯示，2018年功率晶體管的銷售額增長率達(dá)到兩位數(shù)（14％），總額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的163億美元，2017年的增長率為11％。此外，今年第一季度的功率晶體管的增長勢頭強(qiáng)勁，全球銷售額與2018年同期相比增長了近10％，但預(yù)計(jì)2019年下半年增長率將大幅放緩。大部分市場類別的零部件短缺將告一段落。預(yù)計(jì)2019年功率晶體管的銷售額將增長5％，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的171億美元，然后在2020年下降2％至168億美元（圖1）。

在過去兩年中，功率晶體管收入受到強(qiáng)勁出貨量和價(jià)格上漲驅(qū)動(dòng)，不過也因此導(dǎo)致產(chǎn)品短缺和產(chǎn)能不足。據(jù)2019年O-S-D報(bào)告顯示，2018年，功率晶體管出貨量增長8%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的667億件，2017年的增幅為9%。此外，報(bào)告預(yù)計(jì)今年全球功率晶體管的銷量將增長6%。其平均售價(jià)在2018年上漲了6%，一些常用零部件——如功率MOSFET——交付周期在去年下半年超過了40周，而在正常市場條件下，交貨周期為8周。

在過去一年里，功率晶體管制造商穩(wěn)步增加了產(chǎn)能，但在2019年第一季度，大多數(shù)供應(yīng)商仍在努力追趕需求。大部分功率晶體管產(chǎn)品的供應(yīng)預(yù)計(jì)將在今年下半年結(jié)束，部分原因是全球經(jīng)濟(jì)放緩，以及到2020年年初對設(shè)備出貨量的需求增長放緩。如果這個(gè)問題得不到解決，中國和美國之間日益激烈的貿(mào)易戰(zhàn)也可能對2019年的晶體管市場產(chǎn)生負(fù)面影響。

根據(jù)O-S-D的最新報(bào)告，除了RF/微波功率晶體管這一類產(chǎn)品銷售下降了1%外，其他所有產(chǎn)品的銷量都出現(xiàn)了增長。2018年功率晶體管銷售增長最強(qiáng)勁的是40-100V應(yīng)用的功率場效應(yīng)晶體管，增長21%，絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)增長20.3%。2018年銷售強(qiáng)勁增長的其他主要功率晶體管類別包括：高達(dá)40V的功率FET(+17%)；100-200V應(yīng)用的功率FET(+16%)；IGBT電源模塊(+15%)。報(bào)告稱，2018年場效應(yīng)晶體管(包括用于模塊系統(tǒng)的晶體管)占總功率晶體管銷量的58%。2018年，IGBT產(chǎn)品(模塊和分立晶體管)占功率晶體管銷量的32%。

在2017年和2018年兩年兩位數(shù)的增長泡沫之后，預(yù)計(jì)未來五年內(nèi)功率晶體管市場將恢復(fù)到個(gè)位數(shù)正常增長，當(dāng)然OSD報(bào)告也預(yù)測了2020年將下降2％。預(yù)計(jì)2018年至2023年期間，功率晶體管的銷售額將以3.3％的復(fù)合年增長率（CAGR）增長，屆時(shí)全球收入將達(dá)到192億美元。