1、何謂ESD
ESD(Electrostatic Discharge)俗稱靜電放電,是電磁兼容標準EMC的管控內(nèi)容之一。ESD的本質(zhì)是正電荷和負電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡的結(jié)果。
其顯著特點是:①高電位 ——最高達數(shù)萬伏以至數(shù)十萬伏;②作用時間短。
2、ESD產(chǎn)生機理
靜電:處于不同帶電序列位置(介電系數(shù)不同)的物體之間接觸分離,使物體正負電荷失去平衡而發(fā)生的現(xiàn)象。
靜電放電:靜電源與其他物體接觸時,依據(jù)電荷中和的原則,存在著電荷流動,傳送足夠的電量以抵消電壓。這個高速電量的傳送過程中,將產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流以及電磁場à這個過程就是ESD。
3、ESD的危害
大多數(shù)ESD損害發(fā)生在人的感覺范圍以下。人對靜電放電的感知電壓是3KV,而很多電子元件在幾百伏甚至幾十伏就會損壞。
1)靜電吸附灰塵,降低元件絕緣電阻,縮短壽命。
2)靜電放電破壞,使元件受損(完全破壞)
3)靜電使元件潛在損傷(半擊穿)
4、ESD放電模型
1)人體模型(Human Body Model,HBM)
帶電人體碰觸器件時,人體上的靜電便會經(jīng)碰觸的腳位進入器件內(nèi),若器件有一端接地而形成放電路徑時,便會發(fā)生放電。此放電過程在數(shù)百ns時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流,進而將器件內(nèi)的電路燒毀。
對一般元件可承受的HBM 2KV來說,在2~10ns時間內(nèi),瞬間電流峰值可達1.33A。
2)機器模型(Machine Model,MM)
敏感器件在組裝過程中會涉及很多金屬夾具,當這些金屬帶上靜電并靠近組件時,會發(fā)生快速放電。特點為低壓高流,會直接燒毀組件本身。一般機器設(shè)備的電容遠大于人體,可以儲存更多的電荷,造成放電速度很快,電流比較HBM大數(shù)倍。
3)充電器件模型(Charged Device Model,CDM)
器件因摩擦或感應(yīng)等因素其內(nèi)部積累了靜電,但在靜電慢慢積累的過程中并未損傷。當器件任一腳碰觸到接地導(dǎo)體時,器件內(nèi)部的靜電發(fā)生放電現(xiàn)象。
這種放電過程很短,約幾十納秒。這種靜電模型其等效電容值和器件封裝類型相關(guān),所以放電現(xiàn)象很難模擬。
5、ESD失效機理
5.1 過電壓場失效(絕緣擊穿)
發(fā)生于MOS器件(包括MOS電容)和固體膽電容,電極間電場超過其臨界場強。
5.2過電流失效(熱失效)
多發(fā)生于雙極型器件,PN結(jié)二極管、肖特基二極管等。溫度越高,越容易發(fā)生此失效。
實際元器件發(fā)生哪種失效,取決于靜電放電回路的絕緣程度。
1)若放電回路阻抗較低,絕緣性差,元器件往往會因放電期間產(chǎn)生過流導(dǎo)致高溫損傷à過電流失效。
2)若放電回路阻抗較高,絕緣性好,元器件往往發(fā)生高電壓損傷à過電壓損傷。
6、ESD防護(針對作業(yè)及包裝環(huán)境)
1)靜電源接地à靜電帶及工作表面接地。
2)靜電屏蔽à靜電屏蔽袋。
3)離子中和à離子風(fēng)機、離子氣槍。
7、ESD防護實際應(yīng)用電路
TVS全稱是瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor),是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時,它能以10的負12次方秒量級的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?,吸收高達數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個預(yù)定值,有效地保護電子線路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。
典型應(yīng)用電路解析:
此電路為雙向ESD防護,USB排插處進行拔插時可能會產(chǎn)生正負方向的ESD,而此電路能將這兩種情況下的靜電釋放掉。
1)當USB+有正向大的(比如+8KV)ESD產(chǎn)生時,下位的TVS二極管將從高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài),ESD將會從地端釋放掉。
2)當USB+有負向大的(比如-8KV)ESD產(chǎn)生時,上位的TVS二極管將從高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài),ESD將會經(jīng)過VCC端回流到地端釋放掉。
8、ESD器件(TVS)選型步驟
1)計算接口信號幅值的范圍來確定ESD器件的工作電壓。
2)根據(jù)信號類型決定使用單向或雙向ESD器件。
3)根據(jù)信號速率決定該接口能承受的最大寄生電容。
4)根據(jù)電路系統(tǒng)的最大承受電壓沖擊,選擇合適的鉗位電壓。
5)確保ESD器件可達到或超過IEC 61000-4-2 LEVEL 4。
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