臺(tái)積電今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍 達(dá)到100萬(wàn)片約當(dāng)12吋晶圓

臺(tái)積電近日舉辦技術(shù)論壇，今年臺(tái)積電(TSM.US)總產(chǎn)能將以7納米成長(zhǎng)最多，第二代加入EUV的7納米預(yù)計(jì)第3季量產(chǎn)，今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍，達(dá)到100萬(wàn)片約當(dāng)12吋晶圓。而5納米一期也已開(kāi)始裝機(jī)，預(yù)計(jì)明年第1季量產(chǎn)。

對(duì)于制程技術(shù)進(jìn)程，臺(tái)積電總裁魏哲家指出，臺(tái)積電7 納米制程技術(shù)已于去年量產(chǎn)，目前市面看到的7 納米產(chǎn)品，都是由臺(tái)積電制造的，而7 納米加入EUV 的加強(qiáng)版也已完成，且良率已與第一代7 納米一樣；6 納米則是7 納米的優(yōu)化版本，矽智財(cái)(IP) 可與7 納米相容共用；5 納米則已完成試產(chǎn)。

魏哲家表示，臺(tái)積電從28納米到7納米一路發(fā)展以來(lái)，7納米領(lǐng)先全球、去年量產(chǎn)，目前市面上的7納米大多數(shù)是臺(tái)積電提供，本季7納米強(qiáng)化版正式量產(chǎn)。7納米優(yōu)化版本的6納米制程也訂明年量產(chǎn)；3納米建廠進(jìn)度則是已經(jīng)找到土地，落實(shí)在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)發(fā)展計(jì)劃。

張曉強(qiáng)說(shuō)，7納米與6納米IP可共用，客戶花費(fèi)較少的費(fèi)用，就能達(dá)到優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，由于能減少光罩?jǐn)?shù)、縮短交期，有利加速產(chǎn)品上市，吸引很多7納米客戶青睞。

三星放話要在3納米超車臺(tái)積，張曉強(qiáng)表示，不評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但臺(tái)積有信心在明年仍將是全球第一家提供5納米制程代工量產(chǎn)服務(wù)的晶圓廠，至于3納米的設(shè)計(jì)路徑和量產(chǎn)時(shí)間，目前還不便透露。

臺(tái)積電在過(guò)去5年內(nèi)，共投入近500億美元擴(kuò)增產(chǎn)能，今年資本支出也將維持原先預(yù)估的100億至110億美元。魏哲家表示，目前臺(tái)南18廠5納米一期已開(kāi)始裝機(jī)，未來(lái)將持續(xù)投資中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，除5納米一期、二期、三期外，3納米也已經(jīng)找好地。

臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，5 納米預(yù)計(jì)明年第1 季量產(chǎn)，而3 納米量產(chǎn)時(shí)間雖未定，但新技術(shù)推進(jìn)時(shí)程約2 年時(shí)間，目前3 納米進(jìn)展不錯(cuò)，包括規(guī)格與制程技術(shù)等幾近界定完成。

臺(tái)積電2 廠及5 廠廠長(zhǎng)簡(jiǎn)正忠則指出，今年臺(tái)積總產(chǎn)能將擴(kuò)增至1200 萬(wàn)片約當(dāng)12 吋晶圓，年增2%，其中，以7 納米產(chǎn)能成長(zhǎng)最多，第二代加入EUV 的7 納米預(yù)計(jì)第3 季量產(chǎn)，今年7 納米總產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增加1.5 倍，達(dá)到100 萬(wàn)片約當(dāng)12 吋晶圓。

華為要求臺(tái)積電前往大陸設(shè)立供應(yīng)鏈，目前南京廠以16及12納米為主，月產(chǎn)能1萬(wàn)片，明年底再增至2萬(wàn)片，尚無(wú)把制程推進(jìn)至7納米的打算。

5nm工藝的提升：面積縮小45%、性能提升15%

上月月初，臺(tái)積電宣布在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái) (Open Innovation Platform，OIP) 之下推出5納米設(shè)計(jì)架構(gòu)的完整版本，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)支援下一世代先進(jìn)行動(dòng)及高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品的5納米系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)，目標(biāo)鎖定具有高成長(zhǎng)性的5G與人工智能市場(chǎng)。

臺(tái)積電表示，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化及硅智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商與臺(tái)積電已透過(guò)多種芯片測(cè)試載具合作開(kāi)發(fā)并完成整體設(shè)計(jì)架構(gòu)的驗(yàn)證，包括技術(shù)檔案、制程設(shè)計(jì)套件、工具、參考流程、以及知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

臺(tái)積電指出，目前5納米制程已進(jìn)入試產(chǎn)階段，能夠提供芯片設(shè)計(jì)業(yè)者全新等級(jí)的效能及功耗最佳 化解決方案，支援下一世代的高階行動(dòng)及高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品。相較于臺(tái)積公司7納米制程，5納米創(chuàng)新的微縮功能在 ARM Cortex-A72的核心上能夠提供 1.8倍的邏輯密度，速度增快15%，在此制程架構(gòu)之下也產(chǎn)生出優(yōu)異的SRAM及類比面積縮減。據(jù)悉，此次的第一代5nm是臺(tái)積電第二次引入EUV技術(shù)，多達(dá)14層；而第二代7nm（預(yù)計(jì)今年蘋(píng)果A13、麒麟985/990要用）的EUV，只有4層規(guī)模。

而且，5納米制程享有極紫外光微影技術(shù)所提供的制程簡(jiǎn)化效益，同時(shí)也在良率學(xué)習(xí)上展現(xiàn)了卓越的進(jìn)展，相較于臺(tái)積公司前幾代制程，在相同對(duì)應(yīng)的階段，達(dá)到了最佳的技術(shù)成熟度。

臺(tái)積電進(jìn)一步指出，完備的5納米設(shè)計(jì)架構(gòu)包括5納米設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)、SPICE模型、制程設(shè)計(jì)套件、以及通過(guò)硅晶驗(yàn)證的基礎(chǔ)與界面硅智財(cái)，并且全面支援通過(guò)驗(yàn)證的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具及 設(shè)計(jì)流程。在業(yè)界最大設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)資源的支持之下，臺(tái)積電與客戶之間已經(jīng)展開(kāi)密集的設(shè)計(jì)合作，為產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎(chǔ)。

當(dāng)前最新的5納米制程設(shè)計(jì)套件目前已可取得用來(lái)支援生產(chǎn)設(shè)計(jì)，包括電路元件符號(hào)、參數(shù)化元件、電路網(wǎng)表生成及設(shè)計(jì)工具技術(shù)檔案，能夠協(xié)助啟動(dòng)整個(gè)設(shè)計(jì)流程，從客制化設(shè)計(jì)、電路模擬、實(shí)體實(shí)作、虛擬填充、電阻電容擷取到實(shí)體驗(yàn)證及簽核。

臺(tái)積電與設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)伙伴合作，包括益***際計(jì)算機(jī)科技 (Cadence)、新思科技 (Synopsys)、Mentor Graphics、以及 ANSYS，透過(guò)臺(tái)積電開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化驗(yàn)證項(xiàng)目來(lái)進(jìn)行全線電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具的驗(yàn)證，此驗(yàn)證項(xiàng)目的核心涵蓋硅晶為主的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具范疇，包括模擬、實(shí)體實(shí)作 (客制化設(shè)計(jì)、自動(dòng)布局與繞線) 、時(shí)序簽核 (靜態(tài)時(shí)序分析、晶體管級(jí)靜態(tài)時(shí)序分析) 、電子遷移及壓降分析 (閘級(jí)與晶體管級(jí)) 、 實(shí)體驗(yàn)證 (設(shè)計(jì)規(guī)范驗(yàn)證、電路布局驗(yàn)證) 、以及電阻電容擷取。

而透過(guò)此驗(yàn)證項(xiàng)目，臺(tái)積電與電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化伙伴能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)計(jì)工具來(lái)支援臺(tái)積電5納米設(shè)計(jì)法則，確保必要的準(zhǔn)確性，改善繞線能力，以達(dá)到功耗、效能、面積的最佳化，協(xié)助客戶充分利用臺(tái)積公司5納米制程技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。