近日迎來了華虹無錫項目舉行了首臺工藝設備搬入儀式。
華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約700畝,總投資100億美元,一期項目總投資約25億美元,新建一條工藝等級90-65/55納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線,支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的應用。
華虹半導體(無錫)有限公司副總裁、華虹七廠廠長倪立華此前曾表示,華虹進入無錫后,無錫的通用半導體制造技術(shù)將從8英寸時代進入到12英寸時代,工藝技術(shù)能力將提升至55納米節(jié)點,而之前為0.13微米。
2017年8月,華虹半導體與無錫市政府及大基金簽訂了一份投資協(xié)議,三方將在無錫投資建設一座12英寸晶圓廠。據(jù)介紹,大基金向華虹注資9.22億美元,其中4億美元投給華虹半導體,持股18.94%;5.22億美元投給華虹無錫,持股29%。
2018年3月2日華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目舉行開工典禮舉行;4月3日,一期樁基工程啟動;7月21日,F(xiàn)1廠房首件鋼柱完成吊裝;8月12日,生產(chǎn)廠房首根桁架吊裝完成,項目進入施工新階段;12月21日實現(xiàn)主廠房結(jié)構(gòu)封頂。實現(xiàn)當年開工,當年主廠房結(jié)構(gòu)封頂。
項目計劃2019年下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)。
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原文標題:華虹無錫廠最新建廠狀況!
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