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正點(diǎn)原子FPGA之SDRAM:SDRAM讀寫測(cè)試實(shí)驗(yàn)(2)

電子硬件DIY視頻 ? 來(lái)源:電子硬件DIY視頻 ? 2019-09-05 06:10 ? 次閱讀

SDRAM之所以成為DRAM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新(Refresh)才能保留住數(shù)據(jù),因?yàn)樗⑿拢≧efresh)是DRAM最重要的操作。那么要隔多長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)一次刷新,目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是,存儲(chǔ)體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms(毫秒,1/1000秒).

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    <b class='flag-5'>正點(diǎn)</b><b class='flag-5'>原子</b><b class='flag-5'>FPGA</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>SDRAM</b>:<b class='flag-5'>SDRAM</b>操作時(shí)序(<b class='flag-5'>2</b>)

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    的頭像 發(fā)表于 09-05 06:08 ?4420次閱讀
    <b class='flag-5'>正點(diǎn)</b><b class='flag-5'>原子</b><b class='flag-5'>FPGA</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>SDRAM</b>:<b class='flag-5'>SDRAM</b><b class='flag-5'>讀寫</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>實(shí)驗(yàn)</b>

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